본문 바로가기

장지근 (Ji-Geun Jang)

소속기관
단국대학교
소속부서
전자공학과
직급
-
ORCID
-
연구경력
-

주요 연구분야

  • 자연과학 > 물리학
  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 연구 키워드

저자가 작성한 논문들의 주요 키워드입니다.

저자의 연구 키워드
-

저자의 논문 현황

연도별 상세보기를 클릭하시면 연도별 이용수·피인용수 상세 현황을 확인하실 수 있습니다.
피인용수는 저자의 논문이 DBpia 내 인용된 횟수이며, 실제 인용된 횟수보다 적을 수 있습니다.
  • 논문수40
  • 발행기간1978 ~ 2009
  • 이용수613
  • 피인용수0

논문제목를 인용한 논문목록입니다.

  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
TPBI:FIrpic 이미터를 이용한 고효율 청색 인광 유기발광소자 대한전자공학회 학술대회 2009 56 0
녹색 인광다이오드의 엑시톤 차단층 처리와 특성 평가 대한전자공학회 학술대회 2009 20 0
녹색 인광다이오드의 엑시톤 차단층 처리와 특성 평가 대한전자공학회 학술대회 2009 1 0
유기발광다이오드의 제작에서 플라스마 전처리 효과 대한전자공학회 학술대회 2006 28 0
GDI Host-Dopant를 이용한 청색 유기발광다이오드의 제작 대한전자공학회 학술대회 2005 55 0
APF optical link용 Si pin photodiode의 설계 및 제작 대한전자공학회 학술대회 2000 5 0
Si 기판상에 DC 마그네트론 스퍼터링방식에 의한 Pt(200) 박막의 배향성장 한국진공학회 학술발표회초록집 1998 5 0
Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 p+ - n 극저접합의 형성 ( Formation of p+ - n Ultra Shallow Junction with Co/Ti Bilayer Silicide Contact ) 전자공학회논문지-D 1998 24 0
비휘발성 메모리용 SrBi2Ta2O9 강유전체 박막의 제조 및 특성연구 ( Preparation and Characterization of SrBi2Ta2O9 Ferroelectric Thin Films for Nonvolatile Memory ) 전자공학회논문지-D 1998 34 0
Ti-실리사이드 전계방출소자의 제작 및 전기적 특성 평가 ( Fabrication and Emission Characteristics of the Ti-Silicided Field Emitter Arrays ) 대한전자공학회 학술대회 1997 2 0
Co / Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P+-N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적 특성 ( Fabrication and Electrical Characteristics P+-N Ultra Shallow Junction with Co/Ti Bilayer Silicide Contact ) 대한전자공학회 학술대회 1997 1 0
Ti-실리사이드 전계방출소자의 제작 및 전기적 특성 평가 대한전자공학회 학술대회 1997 2 0
Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P+-N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적특성 대한전자공학회 학술대회 1997 0 0
Pb(Zr, Ti)O₃ 강유전체 박막의 스퍼터링 증착과 후속열처리 Applied Science and Convergence Technology 1997 45 0
Photoluminescent and Electroluminescent Characteristics of MgxZn1-xSiN2 : Eu Phosphors 대한전자공학회 학술대회 1997 1 0
Properties of SrBi2Ta2O9 Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering Method 대한전자공학회 학술대회 1997 1 0
Fabrication and Properties of the Ti-Silicided Emitter Tip Arrays 대한전자공학회 학술대회 1997 0 0
Co 및 Co/Ti 이중막에 의해 형성된 Co-실리사이드의 열적 불안정성 ( Thermal Instability of Co-silicides formed by Co and Co/Ti Bilayer ) 전자공학회논문지-A 1996 17 0
Co / Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P+ -N 극저접합의 형성 ( Formation of P-N Ultra Shallow Junction with The Co / Ti Bilayer Silicide Contact ) 대한전자공학회 학술대회 1996 0 0
Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P⁺-N 극저접합의 형성 대한전자공학회 학술대회 1996 0 0
더보기