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박형호 (Hyeong-Ho Park)

소속기관
한국나노기술원
소속부서
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직급
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ORCID
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연구경력
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주요 연구분야

  • 공학 > 전자/정보통신공학
  • 공학 > 컴퓨터학

저자의 연구 키워드

저자가 작성한 논문들의 주요 키워드입니다.

저자의 연구 키워드
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저자의 논문 현황

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  • 논문수15
  • 발행기간1990 ~ 2018
  • 이용수280
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
게이트 크기에 따른 AlGaN/GaN HEMT 기반 수소 센서의 검출 감도 변화 대한전자공학회 학술대회 2018 9 0
MIMO 시스템을 위한 Patrial Sphere Decoding 기반 낮은 복잡도의 반복 MAP 수신기 설계 한국통신학회 학술대회논문집 2005 12 0
안테나 스케줄링 기반 MIMO-HARQ 기법의 성능 분석 한국통신학회 학술대회 및 강연회 2005 11 0
SiO2 에어로겔 박막에 대한 O2 플라즈마 처리효과 대한전자공학회 학술대회 1998 16 0
저유전 SiO2 에어로겔 박막의 건식식각 특성연구 대한전자공학회 학술대회 1998 11 0
펄스 레이저 어블레이션에 의한 다이아몬드성 카본 박막의 형성연구 대한전자공학회 학술대회 1998 4 0
열처리된 SiO2/TiW 구조의 계면 특성 ( The interfacial properties of the annealed SiO2/TiW structure ) 전자공학회논문지-A 1996 62 0
나카가미 페이딩 환경하에서 합성 변조 기법을 채용한 DS-CDMA 시스템에서의 성능 개선 ( Performance Improvement of DS-CDMA System Employing Combined Modulation Technique in Nakagami Fading Environment ) 한국통신학회 학술대회논문집 1996 8 0
CHF3/C2F6 반응성이온 건식식각에 의한 실리콘 표면의 오염 및 제거에 관한 연구 ( A Study on the Silicon surface and near-surface contamination by CHF3/C2F6 RIE and its removal with thermal treatment and O2 plasma exposure ) 전자공학회논문지-A 1993 81 0
CHF3 / C2F6 반응성 이온 건식 식각시 실리콘 표면 잔류막 특성 변화에 미치는 감광막 마스크의 영향 ( The Effects of Photoresist Layer on the Characteristics of Si-Surface Residue Induced by CHF3 / C2F6 Reactive Ion Eching ) 대한전자공학회 학술대회 1991 20 0
반응성 이온 건식식각에 의해 형성된 실리콘 표면 잔류막의 특성연구 ( Charaterization of Si-Surface Residues Caused by Reactive Ion Etching ) 대한전자공학회 학술대회 1991 3 0
반응성 이온 건식식각에 의해 형성된 실리콘 표면 잔류막의 특성연구 대한전자공학회 학술대회 1991 6 0
CHF₃/ C₂F6 반응성 이온 건식 식각시 실리콘 표면 잔류막 특성 변화에 미치는 감광막 마스크의 영향 대한전자공학회 학술대회 1991 3 0
TiSi2와 다결정 실리콘에 이온주입된 As계에서 TiAs침전물형성에 관한 고분해능 TEM 연구 ( High-Resolution TEM Study on TiAs Precipitate Formation Between TiSi2 and As Doped in Poly-Silicon ) 전자공학회논문지-A 1991 13 0
C54구조의 TiSi2와 As 이온 주입된 다결정 Si계에서 고온 열처리에 의한 표면상태 거칠어짐과 TiAs 침전물 형성에 관한 연구 ( Investigation of TiAs Precipitate Formation and Morphology Degradation between TiSi2 with C54 Structure and Poly Silicon Doped with Arsenic ) 전자공학회논문지 1990 21 0