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임한조 (H.J. Lim)

소속기관
한국전자파학회
소속부서
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직급
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ORCID
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연구경력
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주요 연구분야

  • 자연과학 > 물리학
  • 공학 > 전기/제어계측공학
  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 논문 현황

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  • 논문수33
  • 발행기간1983 ~ 2005
  • 이용수1,328
  • 피인용수0

논문제목를 인용한 논문목록입니다.

  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
사각 링 스트립선로를 결합시킨 소형 3층 EBG 구조 한국전자파학회논문지 2005 117 0
저지대역의 중첩을 이용한 캐스캐이드 저역통과 여파기의 설계 한국전자파학회논문지 2004 78 0
슬롯과 개방 스터브의 특성을 결합한 소형 저역통과 여파기 한국전자파학회논문지 2004 115 0
[특집:Nano Photonics 기술]나노 포토닉스 : 과거, 현재, 미래 전자공학회지 2003 122 0
[특집-Nano Photonics 기술]광자결정 수동소자기 전자공학회지 2003 20 0
[특집:Nano Photonics 기술]특집 편집기 전자공학회지 2003 11 0
초광대역의 저지대역을 갖는 3단 저역통과 필터 전자공학회논문지-TC 2003 118 0
개방스텁을 갖는 계단 임피던스 저역통과 필터의 해석 한국전자파학회논문지 2002 132 0
넓은 저지대역을 가지는 압축된 PBG 링 구조 한국전자파학회논문지 2002 30 0
포토닉 밴드갭 구조를 이용한 두껍고 유전상수가 높은 패치 안테나의 성능 향상 ( Improvement of Performance for Thick and High Dielectric Patch Antennas using Photonic Bandgap Structures ) 한국전자파학회논문지 2002 42 0
스텁을 갖는 PBG 셀로 구현한 마이크로스트립 PBG 구조 및 듀플렉서 전자공학회논문지-TC 2001 66 0
Photonic Bandgap 구조를 이용한 마이크로스트립 라인 대역통과 여파기 설계 ( Design of Microstrip Line Bandpass Filter using Photonic Bandgap Structures ) 한국전자파학회논문지 2001 34 0
변형된 저지특성을 갖도록 λg/4 변환기를 정합 시킨 마이크로스트립 라인 포토닉 밴드갭 구조의 설계 및 응용 ( Design and Application of Microstrip Line Photonic Bandgap Structure with a Quarter-Wavelength Transformer for The Modified Characteristics of Stopband ) 전자공학회논문지-TC 2000 23 0
Influence of Dopant Ionization Energy on the Capacitance-Voltage Profile of Delta-Doped Structures 대한전자공학회 학술대회 1998 0 0
Effect of Donor Doping on Deep Trap in InGaP / GaAs Grown by Liquid Phase Epitaxy 대한전자공학회 학술대회 1996 0 0
황처리가 금속 / InP Schottky 접촉과 Si3N4 / InP 계면들에 미치는 영향 ( Effects of Sulfur Treatments on metal / Inp Schottky Contact and Si3N4 / InP interfaces ) 전자공학회논문지-A 1994 21 0
Photoluminescence Property of Type I/Type II InGaP / AIxGa1-xAs Heterojunction 대한전자공학회 학술대회 1994 0 0
산화루테늄 계 후막 저항기의 과도한 전류잡음에 관한 고찰 ( A Study on the Excessive Current Noise in RuO2 Thick Film Resistors ) 전자공학회논문지-A 1992 16 0
Pecvd 방법으로 제작한 Si3N4 / InP Metal-iNsulator-Semiconductor 다이오드의 전기적 특성 ( A Study on the Electrical Characteristics of Pecvd-Grown Si3N4 / InP Metal-iNsulator-Semiconductor Diode ) 대한전자공학회 학술대회 1991 6 0
GaAs MESFET의 소오스와 드레인 직렬 저항의 게이트 전압 의존성에 대한 모델링 및 Gate Probe Method를 응용한 파라미터 추출 ( A Modeling on Gate Voltage Dependence of Series Resistances for GaAs MESFET`s and the Parameter Extraction Utilizing the Gate Probe Method ) 전자공학회논문지-A 1991 16 0
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