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이해권 (H.K.Lee)

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한국진공학회
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주요 연구분야

  • 자연과학 > 물리학
  • 공학 > 전자/정보통신공학

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  • 논문수27
  • 발행기간1988 ~ 2002
  • 이용수168
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
Self - assembled nanowires for novel devices 한국진공학회 학술발표회초록집 2002 3 0
Effect of Poat Annealing of Amorphous SiC Thin Films using by PECVD 한국진공학회 학술발표회초록집 1998 5 0
분자선에피택셜 방법으로 성장한 In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT구조내의 V 및 X 자형 결함에 관한 연구 ( A Study on the V and X shape defects in In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48 As/InP P-HEMT structure grown by molecular beam epitaxy method ) 전자공학회논문지-D 1997 12 0
A Study on the Defects in In0.53 Ga0.47 As / In0.52 Al0.48 As / InP Epi-Structure 대한전자공학회 학술대회 1997 0 0
Asymmetric AlAs / GaAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Heterostructure ; MBE Growth , Fabrication and Characteristics 대한전자공학회 학술대회 1997 0 0
Dependences of mobility on In composition and δ - doping concentration in InP based P - HEMT channel layer. 한국진공학회 학술발표회초록집 1996 5 0
Low - High 도핑된 GaAs E / D MESFET의 제작 및 특성 한국진공학회 학술발표회초록집 1996 4 0
Analysis of lattice - mismatched introduced defects in P - HEMT structures by DXRD 한국진공학회 학술발표회초록집 1996 3 0
High Electron Mobility in Indium - Rich Pseudomorphic InxGa₁-xAs / InyAl₁-yAs / InP HEMT Containing a Linearly - Graded Buffer Structure Grown by MBE 한국진공학회 학술발표회초록집 1996 5 0
AlxGayIn1※yAs ( x + y = 0.47 ~ 8 ) Buffer Structure Design for High Electron Mobility GaInAs / AllnAs Lattice Matched HEMT 대한전자공학회 학술대회 1996 0 0
MBE에 의한 HEMT 소자용 In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As / InP 에피택셜층 성장 연구 Applied Science and Convergence Technology 1995 14 0
MBE에 의한 InGaAs / InAlAs / InP 격자정합 에피택셜층 성장연구 한국진공학회 학술발표회초록집 1995 17 0
In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As / InP HEMT 구조 에피택셜 층 ; 성장 및 특성 한국진공학회 학술발표회초록집 1995 9 0
MBE 에 의한 InGaAs / GaAs P - HEMT 성장과 특성 한국진공학회 학술발표회초록집 1995 9 0
MBE법으로 저온 성장된 Si불순물이 첨가된 AlxGa1-xAs의 급속열처리에 의한 효과 대한전자공학회 학술대회 1995 1 0
MBE에 의한 HEMT 소자용 In0.53 Ga0.47 As / In0.5 Al0.48 As / InP 에피텍셜층 성장연구 대한전자공학회 학술대회 1995 1 0
900 MHz 대역 4.7 V 동작 전력소자 제작 및 특성 ( Fabrication of 4.7 V Operation GaAs Power MESFETs and Its Characteristics at 900 MHz ) 전자공학회논문지-A 1994 8 0
AlGaAs / GaAs HEMT 소자의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characterization of GaAs / AlGaAs HEMT Device ) 전자공학회논문지-A 1994 37 0
AlGaAs / GaAs HBT 의 제작과 특성연구 ( Fabrication and Characterization of AlGaAs / GaAs HBT ) 전자공학회논문지-A 1994 13 0
LSI 급 소자 제작을 위한 3 인치 GaAs MBE 에피택셜 기판의 균일도 특성 연구 ( A Study on Characteristics of Si doped 3 inch GaAs EPITAXIAL Layer Grown by MBE for LSI Application ) 전자공학회논문지-A 1994 10 0
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