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정윤하 (Y. H. Jeong)

소속기관
포항공과대학교
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연구경력
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주요 연구분야

  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 연구 키워드

저자가 작성한 논문들의 주요 키워드입니다.

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저자의 논문 현황

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  • 논문수85
  • 발행기간1978 ~ 2013
  • 이용수1,226
  • 피인용수0

논문제목를 인용한 논문목록입니다.

  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
수소이온 감지를 위한 실리콘 나노선 ISFETs의 가상기준전극 특성 분석 대한전자공학회 학술대회 2013 25 0
분기 부하 임피던스를 이용한 광대역 도허티 전력증폭기 대한전자공학회 학술대회 2012 23 0
광대역에서의 고효율 3-way 비대칭 도허티 전력증폭기 대한전자공학회 학술대회 2012 17 0
Quantum Simulation을 이용한 Silicon Channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석 대한전자공학회 학술대회 2010 90 0
Junctionless Double-Gate MOSFET의 소자 성능에 관한 비교 연구 대한전자공학회 학술대회 2010 85 0
비대칭 지연 선로를 이용한 고선형 Three-way 도허티 전력증폭기 대한전자공학회 학술대회 2010 44 0
적응 게이트 전압 제어기를 이용한 고효율 3-stage 반전 도허티 전력증폭기 대한전자공학회 학술대회 2010 44 0
적응 게이트 전압 제어기를 이용한 고효율 3-stage 반전 도허티 전력증폭기 대한전자공학회 학술대회 2010 39 0
A Study on Carrier Injection Velocity in sub-100㎚ SiGe Channel pMOSFETs Using RF C-V Measurement 대한전자공학회 학술대회 2010 20 0
Junctionless Double-Gate MOSFET의 소자 성능에 관한 비교 연구 대한전자공학회 학술대회 2010 18 0
SiGe pMOSFETs 의 저온 초고주파 특성 연구 대한전자공학회 학술대회 2010 12 0
Quantum Simulation을 이용한 Silicon Channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석 대한전자공학회 학술대회 2010 7 0
비대칭 지연 선로를 이용한 고선형 Three-way 도허티 전력증폭기 대한전자공학회 학술대회 2010 5 0
SiGe pMOSFETs 의 저온 초고주파 특성 연구 대한전자공학회 학술대회 2010 3 0
A Study on Carrier Injection Velocity in sub-100nm SiGe Channel pMOSFETs Using RF C-V Measurement 대한전자공학회 학술대회 2010 1 0
Silicon Nanowire FET 제작과 DC 및 Low Frequency Noise 특성 분석 대한전자공학회 학술대회 2009 59 0
Hot Electron Degradation Effects in 35-㎚ InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT 대한전자공학회 학술대회 2009 6 0
수평 전기장을 고려한 variable range hopping 전도메커니즘 기반의 유기박막트랜지스터 모델 대한전자공학회 학술대회 2009 75 0
Hot carrier 효과에 의한 단채널 금속 게이트/High-k 절연막 nMOSFET의 고주파 특성 열화 대한전자공학회 학술대회 2009 66 0
광대역 디지털 전치 왜곡기를 이용한 고효율 GaN HEMT Doherty 전력증폭기의 선형성 개선 대한전자공학회 학술대회 2009 55 0
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