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양광선 (K.S.Yang)

소속기관
대한전자공학회
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주요 연구분야

  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 연구 키워드

저자가 작성한 논문들의 주요 키워드입니다.

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  • 논문수25
  • 발행기간1986 ~ 1998
  • 이용수264
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
TCAD Prediction of Latchup Charateristics in Retrograde / BILLI / BL CMOS Well Structures 대한전자공학회 학술대회 1998 0 0
SC-PMOSFET 의 수평 전계 모델과 노쇠화 메커니즘 ( Lateral Electric Field Model and Degradation Mechanism of Surface-Channel PMOSFET`s ) 전자공학회논문지-A 1994 13 0
수정된 수평 전계 모델을 이용한 SC-PMOSFET 의 기판 전류와 게이트 전류의 해석적 모델 ( An Analytical Models for Substrate Current and Gate Current Using Modified Lateral Electric Field Model for Surface-Channel PMOSFET`S ) 전자공학회논문지-A 1994 11 0
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET ) 전자공학회논문지-A 1993 22 0
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( I ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( I ) ) 전자공학회논문지-A 1993 35 0
게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S ) 대한전자공학회 학술대회 1992 1 0
다결정 실리콘 위에 성장한 ONO 절연체의 전기적 특성 ( Electrical Properties of ONO Dielectrics Grown on Polycrystalline Silicon ) 전자공학회논문지-A 1992 23 0
BF2 이온 주입한 표면 채널 LDD PMOSFET의 Hot-Carrier 효과 ( Hot-Carrier Effects of BF3 Ion-Implanted Surface-Channel LDD PMOSFET ) 전자공학회논문지-A 1991 32 0
PECVD를 이용한 SiO2 / Si3N4 박막의 특성 고찰 ( Characteristics of SiO2 / Si3N4 Films Using the PECVD Method Under Various Conditions ) 대한전자공학회 학술대회 1991 63 0
( 100 ) 면 InP 결정 습식 식각 특성 ( Wet Etching Properties of ( 100 ) Surface InP Crystal ) 대한전자공학회 학술대회 1991 10 0
급속열처리 방법을 이용한 ONO Interpoly 절연체의 전기적 특성 ( Electrical Properties of ONO Dielectrics Grown by Rapid Thermal Processing ) 대한전자공학회 학술대회 1991 5 0
Extended MINIMOS를 이용한 매몰 채널과 표면 채널 PMOSFET의 노쇠화 현상 비교 ( A Comparative of Degradation Effects in Buried-and Surface-Channel PMOSFET`s Using Extended MINIMOS ) 대한전자공학회 학술대회 1991 4 0
Extended MINIMOS를 이용한 p-MOSFET의 노쇠화 현상 연구 ( A Study of Degradation effects on p-MOSFET Using Extended MINIMOS . ) 대한전자공학회 학술대회 1991 0 0
재산화된 질화 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 특성 ( The Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate Dielectrics ) 전자공학회논문지-A 1991 13 0
BF2 이온 주입된 P 다결정실리콘 게이트 PMOSFET의 Hot-Carrier 효과 ( Hot-Carrier Effect of BF2 Implanted p Polysilicon Gate PMOSFET ) 대한전자공학회 학술대회 1991 6 0
ONO 박막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate-Dielectrics ) 대한전자공학회 학술대회 1991 6 0
비정상 상태 GaAs MESFET의 전자 전송 특성 해석을 위한 수력학적 모델의 개발과 응용 ( Hydrodynamic Modeling and Simulation for Carrier Transport Analysis of Nonstationary GaAs MESFET ) 대한전자공학회 학술대회 1991 0 0
몬테 카를로 방법과 수력학적 방법을 사용한 GaAs MESFET의 특성 해석 대한전자공학회 학술대회 1990 3 0
몬테카를로 방법과 수력학적 방법을 사용한 GaAs Mesfet의 특성 ( Analysis of GaAs Mesfet with Monte-Carlo Method and hydrodynamic Method ) 대한전자공학회 학술대회 1990 2 0
게이트 길이에 따른 GaAs MESFET의 입자 시뮬레이션 ( Particle Simulation of GaAs MESFET with Gate Length ) 대한전자공학회 학술대회 1990 4 0
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