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김천수 (金千洙)

소속기관
한국전자통신연구원
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주요 연구분야

  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 연구 키워드

저자가 작성한 논문들의 주요 키워드입니다.

저자의 연구 키워드
#band pass filter
#FTI
#Receiver
#switched GmC
#TIA

저자의 논문 현황

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  • 논문수21
  • 발행기간1987 ~ 2016
  • 이용수475
  • 피인용수0

논문제목를 인용한 논문목록입니다.

  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
A 41dB Gain Control Range 6th-Order Band-Pass Receiver Front-End Using CMOS Switched FTI JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2016 2 0
샘플링 레이트 컨버터의 리샘플 비 오차 보정 기법 대한전자공학회 학술대회 2016 12 0
에러엠프의 오프셋 전압이 밴드갶전압의 분포도에 미치는 영향 대한전자공학회 학술대회 2016 5 0
측위 · 통신용 UWB RF 칩개발 대한전자공학회 워크샵 2008 21 0
MB-OFDM UWB System용 Fast Setting PLL 개발 대한전자공학회 학술대회 2006 8 0
[대특집:RF IC 기술]RF CMOS 기술의 현재와 미래 전자공학회지 2002 58 0
지능망을 이용한 인터넷 망과 이동전화망 연동 기술 전자공학회지 2000 17 0
Interdigitated Metal Capacitor의 RF 특성 고찰 대한전자공학회 학술대회 2000 11 0
A Study on the Hot Carrier Induced High Frequency Performance Degradation in NMOSFET`s 대한전자공학회 학술대회 1998 1 0
High Q Microwave Integrated Inductors in CMOS Double-Metal Technology Using the Thick-Metal Process 대한전자공학회 학술대회 1998 1 0
Non-Quasi-Static Analysis of MOS Transients Based On Charge Sheet Model 대한전자공학회 학술대회 1997 0 0
Fabrication and Characteristics of a Polysilicon Resistor with Low Temperature Coefficient 대한전자공학회 학술대회 1996 0 0
X-선 리소그래픽을 이용하여 제작한 0.2μm n-MOSFET의 특성 대한전자공학회 학술대회 1994 1 0
0.3 um급 Inverse-T Gate 모스와 LDD모스의 전류구동력 및 신뢰성 특성 비교 ( Characterization of Current Drivability and Reliability of 0.3 um Inverse T-Gate MOS Compared with Those of Conventional LDD MOS ) 전자공학회논문지-A 1993 10 0
차세대 DRAM의 Memory Cell 기술 동향 전자공학회지 1990 45 0
스트레스전압 극성에 따른 얇은 산화막의 TDDB 특성 ( The TDDB Characteristics of Thin SiO2 with Stress Voltage Polarity ) 전자공학회논문지 1989 63 0
금속열처리법에 의한 재산화질화산화막 ( Reoxidized-Nitrided-Oxide Film Formed by Rapid Thermal Processing ) 대한전자공학회 학술대회 1989 2 0
정전류 Stress 하에서의 얇은 산화막의 TDDB 특성 ( The TDDB Characteristics of Thin Si02 under Constant Stress Condition ) 대한전자공학회 학술대회 1988 16 0
Hot-carrier 효과로 인한 MOSFET의 성능저하 및 동작수명 측정 ( Hot-carrier Induced MOSFET Degradation and its Lifetime Measurement ) 전자공학회논문지 1988 135 0
Hot-carrier 현상을 이용한 n-MOSFET의 동작수명 측정 ( Measurement of n-MOSFETs Lifetime using Hot-carrier induced Degradation ) 대한전자공학회 학술대회 1987 42 0
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