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박건식

소속기관
ETRI
소속부서
ICT소재부품연구소 융합부품기술센터
직급
-
ORCID
-
연구경력
-

주요 연구분야

  • 자연과학 > 물리학
  • 공학 > 기계공학
  • 공학 > 전기/제어계측공학
  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 논문 현황

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  • 논문수28
  • 발행기간1997 ~ 2019
  • 이용수1,320
  • 피인용수1

논문제목를 인용한 논문목록입니다.

  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
4인치 광점호 Thyristor의 제조 및 특성 분석에 대한 연구 전력전자학회 학술대회 논문집 2019 1 0
금속 전극의 미세 패턴 구조 및 식각 측면 기울기 개선 반도체 공정 한국진공학회 학술발표회초록집 2019 27 0
전력반도체소자의 애벌런치 에너지 및 역회복시간 분석을 위한 VHDL 설계 대한전자공학회 학술대회 2017 14 0
MOS 구조를 이용한 Power Rectifier 제작 및 특성분석 연구 대한전자공학회 학술대회 2017 13 0
평면 및 트렌치 구조를 갖는 실리콘 카바이드 JBS 다이오드 특성 연구 대한전자공학회 학술대회 2017 12 0
전력소자의 애벌런치 에너지 분석을 위한 FPGA 설계 대한전자공학회 학술대회 2017 11 0
낮은 트리거 전압 기술을 이용한 MOSFET 기반 ESD 보호회로의 특성 비교에 관한 연구 대한전자공학회 학술대회 2016 25 0
4H-SiC JBS Diode의 Schottky면적에 따른 전기적 특성에 관한 연구 대한전자공학회 학술대회 2016 13 0
PNP 달링톤 구조를 이용한 GSTNMOS ESD 보호회로에 관한 연구 대한전자공학회 학술대회 2016 10 0
6인치 4H-SiC Wafer기반 SiC Power Diode 소자 제작 및 특성 평가 대한전자공학회 학술대회 2016 17 0
X-ray 장비용 엑스선 해상도 게이지 패턴 제작 대한전자공학회 학술대회 2016 7 0
다열 공간변조 모서리 종단 기술을 이용한 2.3kV급 4H-SiC 다이오드 특성 대한전자공학회 학술대회 2016 6 0
문턱전압 조절 이온주입에 따른 MCT(MOS Controlled Thyristor)의 스위칭 특성 연구 전자공학회논문지 2016 58 0
1700V급 4H-SiC 쇼트키 다이오드를 위한 Edge Termination (Single/Double Zone JTE)의 항복전압 특성 대한전자공학회 학술대회 2015 41 0
높은 항복전압을 갖는 새로운 구조의 SBR (Super Barrier Rectifier) 소자 대한전자공학회 학술대회 2014 35 0
초친수 박막 코팅을 통한 폴리머애자의 표면개선 한국진공학회 학술발표회초록집 2014 49 0
플라즈마 처리를 통한 폴리머애자의 표면개선 한국진공학회 학술발표회초록집 2014 31 0
[포스터] Electrical property variations of Trench type Super Barrier Rectifier (tSBR) with fabrication processes 대한전자공학회 학술대회 2013 26 0
열경화 폴리머를 이용한 Via Filling 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2011 40 0
Via Liner 형성 메커니즘 및 Filling 특성 연구 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2011 36 0
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