| 경사입사각증착법을 이용한 이산화 티타늄 박막 기반의 고반사 분포 브래그 반사기 제작 및 특성 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2014 |
31 |
2 |
0 |
1 |
3 |
8 |
17 |
| 금 나노패턴을 이용한 서브파장구조를 가진 광대역 무반사 글래스의 제작 및 특성 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2014 |
31 |
1 |
1 |
3 |
7 |
9 |
10 |
| 산화아연 나노로드기반 광검출소자 제작 및 특성 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2013 |
20 |
2 |
5 |
2 |
1 |
2 |
8 |
| 열적 산화된 실리콘 나노구조의 표면 및 무반사 특성 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2013 |
36 |
2 |
5 |
1 |
3 |
7 |
18 |
| 광대역 및 전방향 높은 투과도를 갖는 사파이어 나노구조 제작 및 광학적 특성연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2012 |
24 |
1 |
4 |
0 |
6 |
2 |
11 |
| 생체모방 복합 눈 구조를 이용한 갈륨비소 반사방지막 제작 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2012 |
153 |
27 |
25 |
14 |
27 |
25 |
35 |
| 플렉서블 소자 응용을 위한 전기화학증착법을 이용한 금속산화물 나노복합구조 형성 및 제어 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2012 |
63 |
4 |
7 |
4 |
2 |
9 |
37 |
| 무반사 투명 전극용 AZO 박막의 구조적 및 광학적 특성 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2009 |
80 |
1 |
5 |
4 |
2 |
8 |
60 |
| A study on the Nickel Oxide as the Resistance Memory Device |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2009 |
3 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
3 |
| Investigation of Solvent Effect on the Electrical Properties of Triisopropylsilylethynyl (TIPS) Pentacene Organic Thin-film Transistors |
Applied Science and Convergence Technology |
2008 |
157 |
0 |
2 |
4 |
10 |
41 |
100 |
| 광투과 전자파 차폐필름의 특성 |
전자공학회논문지-IE |
2007 |
283 |
1 |
21 |
16 |
27 |
49 |
169 |
| 반응성 DC 스퍼터링 방법으로 증착된 Nickel Oxide 박막의 산소 분압에 따른 조성비 특성 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2007 |
36 |
1 |
0 |
0 |
1 |
12 |
22 |
| 자발형성 InAs/GaAs 양자점 구조의 전자 투과 특성 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2007 |
7 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2 |
5 |
| 저에너지 집속 이온빔을 이용한 투과전자 현미경시편 표면 영향성 최소화 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2007 |
15 |
0 |
5 |
0 |
1 |
1 |
8 |
| DC magnetron 방법과 RF 스퍼터링 방법으로 제작된 Nickel Oxide 박막의 특성 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
2007 |
52 |
3 |
2 |
2 |
7 |
7 |
31 |
| DC magnetron 방법과 RF 스퍼터링 방법으로 제작된 Nickel Oxide 박막의 특성 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
2007 |
12 |
1 |
0 |
4 |
2 |
5 |
0 |
| Effect of Channel Thickness on Electrical Properties of TIPS Pentacene Organic Thin-film Transistors Employing Suspended Source/Drain Electrode |
대한전자공학회 학술대회 |
2007 |
20 |
0 |
1 |
1 |
2 |
2 |
14 |
| Effect of Channel Thickness on Electrical Properties of TIPS Pentacene Organic Thin-film Transistors Employing Suspended Source/Drain Electrode |
대한전자공학회 학술대회 |
2007 |
2 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| Mn을 증착한 GaAs 자성 반도체 박막의 특성에 관한 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2007 |
10 |
0 |
2 |
0 |
0 |
1 |
7 |
| 1:1 Electron-beam Emission Lithography: a method for MIM e-beam projection |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2006 |
7 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
6 |
| 다층박막 전자파 차폐필름의 광학적 특성 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
2006 |
30 |
4 |
4 |
8 |
13 |
1 |
0 |
| 비정질 실리콘의 자기정렬콘텍 (Self Aligned contact)에서 LPCVD 공정시간에 따른 특성 변화 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
2006 |
21 |
1 |
1 |
0 |
18 |
1 |
0 |
| 중합 박막 트랜지스터를 위한 Ta₂O_5 유전체 접합의 자기조립 단분자막의 특성 |
전자공학회논문지-IE |
2006 |
24 |
2 |
0 |
0 |
5 |
5 |
12 |
| 플라스틱 기판위에 엑시머 레이저 열처리된 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 |
전자공학회논문지-IE |
2006 |
145 |
5 |
12 |
15 |
17 |
29 |
67 |
| Investigation about Effect of Solvent Boiling Point on Electrical Properties of TIPS Pentacene OTFTs |
대한전자공학회 학술대회 |
2006 |
3 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
| LPCVD 공정시간에 따른 silicon 의 결정화 특성 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2006 |
20 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
19 |
| Photorelfectance Spectra due to Local Strain Effect at InAs/GaAs Quantum-Dot Heterointerface |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2006 |
3 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
2 |
| Strain Effect of AlGaN Layer in AlGaN/GaN Heterostructures |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2006 |
21 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
19 |
| 마이크로 스펙트로미터 적외선 센서용 저응력 Si₃N₄ Membrane 상에서의 Thermopile 제조 및 특성 |
대한전자공학회 학술대회 |
2005 |
25 |
0 |
1 |
2 |
3 |
3 |
16 |
| 마이크로 스펙트로미터 적외선 센서용 저응력 Si₃N₄Membrane상에서의 Thermopile 제조 및 특성 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2005 |
15 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
14 |
| Lithography용 MIM(metal-insulator-metal) 소자 특성 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2005 |
7 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2 |
5 |
| MIM(Metal-Insulator-Metal) Cathode를 이용한 Lithography 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
2005 |
30 |
0 |
2 |
2 |
2 |
3 |
21 |
| SiO₂, Si₃N₄의 Capping과 레이저결정화에 의한 저온 다결정 실리콘의 결정립 성장 제어 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2005 |
9 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
8 |
| 절연체 Al₂O₃ and Ta₂O₅ 사용한 Metal-Insulator-Metal 구조의 특성 |
대한전자공학회 학술대회 |
2004 |
20 |
3 |
0 |
4 |
1 |
1 |
11 |
| MIM소자 전류전압특성에 대한 열처리의 영향 |
대한전자공학회 학술대회 |
2004 |
47 |
15 |
16 |
3 |
3 |
1 |
9 |
| Perfomance of Poly-3-Hexylthiophene Organic-TFTs on Plastic Substrates with Anodized Ta₂O₅ Insulator |
대한전자공학회 학술대회 |
2004 |
16 |
0 |
0 |
0 |
0 |
6 |
10 |
| Polymer Thin Film Transistors Fabricated on Photo Paper |
대한전자공학회 학술대회 |
2004 |
21 |
2 |
2 |
0 |
2 |
0 |
15 |
| Successful Growth and Applications of High - Quality GaN and InGaN Nanorod Arrays |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2004 |
14 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
12 |
| [특집:Nano Photonics 기술]특집 편집기 |
전자공학회지 |
2003 |
11 |
0 |
0 |
3 |
3 |
1 |
4 |
| LCD소자용 MIM 다이오드의 특성연구 |
Applied Science and Convergence Technology |
2003 |
52 |
2 |
3 |
2 |
8 |
23 |
14 |
| 유기금속화학기상증착법에 의해 증착된 구리 핵의 기판과 전처리의 의존성 |
전자공학회논문지-IE |
2002 |
51 |
2 |
1 |
5 |
11 |
8 |
24 |
| Electrical Properties of Metal-Insulator-Metal Diode for AM-LCD Driving |
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications |
2002 |
13 |
0 |
0 |
1 |
0 |
3 |
9 |
| HVPE 방법을 이용한 GaN 성장 및 특성 분석 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2002 |
58 |
0 |
3 |
6 |
11 |
3 |
35 |
| Leakage Current Mechanism of Thin - Film Diode for Active - Matrix Liquid Crystal Displays |
Journal of Korean Vacuum Science & Technology |
2002 |
27 |
1 |
0 |
1 |
0 |
4 |
21 |
| A high performance MIM LCDs for AM - LCDs |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2001 |
3 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2 |
| Effects of One-Time Post-Annealing(OPTA) Process on the Electrical Properties of Metal-Insulator-metal Type Thin-Film |
대한전자공학회 학술대회 |
2001 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| Electrochemical Metallization방법을 이용한 GaN Schottky Diode의 제작과 전기적 특성 향상 및 분석 |
대한전자공학회 학술대회 |
2001 |
4 |
1 |
0 |
2 |
1 |
0 |
0 |
| MBE로 성장한 n - GaN Schottky 특성분석 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2001 |
20 |
0 |
0 |
1 |
1 |
2 |
16 |
| MIM(Metal-Insulator-Metal)구조의 LCD(Liquid Crystal Display)소자 특성 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
2001 |
23 |
3 |
11 |
6 |
3 |
0 |
0 |
| Ta / Ta₂O5 / Ti 구조의 MIM(Metal - Insulator - Metal) LCD(liquid Crystal Display)소자 특성 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2001 |
3 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
| A study on deep level defects of GaN by TSC |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2000 |
20 |
0 |
5 |
0 |
0 |
3 |
12 |
| A study on ohmic contact to p - type GaN |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2000 |
24 |
0 |
0 |
2 |
0 |
1 |
21 |
| Characteristics of AlNd thin film for TFT - LCD bus line |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2000 |
12 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
12 |
| Characteristics of AlW thin film for TFT - LCD bus line |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2000 |
2 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2 |
| furnace 열처리와 질소 플라즈마 처리에 의한 유기화학증착법을 이용한 선택적 구리 증착 ( Selective Cu-MOCVD by Furnace Annealing and N2 Plasma Pretreatment ) |
전자공학회논문지-SD |
2000 |
56 |
2 |
1 |
2 |
6 |
15 |
30 |
| The characteristics of AINd thin film for TFT - LCD bus line |
Applied Science and Convergence Technology |
2000 |
67 |
1 |
0 |
1 |
1 |
10 |
54 |
| The characteristics of AlW thin film for TFT - LCD bus line |
Applied Science and Convergence Technology |
2000 |
30 |
1 |
1 |
1 |
2 |
1 |
24 |
| Characteristics of Al - Nd and Al - Zr thin film for TFT - LCD by DC magnetron sputtering system |
Applied Science and Convergence Technology |
1999 |
23 |
0 |
0 |
0 |
2 |
7 |
14 |
| Characteristics of Al - Nd and Al - Zr thin film for TFT - LCD by DC magnetron sputtering system |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1999 |
9 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
8 |
| 초전도체 특집 - 특집 편집기 - |
전자공학회지 |
1998 |
27 |
5 |
7 |
1 |
3 |
0 |
11 |
| Characteristics of InGaN / GaN Quantum Well Structure Grown by MBE |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1998 |
12 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
11 |
| MBE로 성장한 InGaN / GaN 양자우물 구조의 Photoconductivity |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1998 |
11 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
10 |
| The Properties of GaN on Porous Si Grown by MBE |
대한전자공학회 학술대회 |
1998 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| Thermally stable contact of Nickel Silicide between metal and GaN |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1998 |
7 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
7 |
| Characteristics of GaN epitaxial layer grown on 6H - SiC(0001) by RF - Molecular Beam Epitaxy |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1997 |
6 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
6 |
| Characteristics of GaN films by RF - Molecular Beam Epitaxy according to the growth process |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1997 |
6 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
6 |
| Mg flux 에 따른 P - type GaN 특성 변화 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1997 |
11 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2 |
9 |
| MICROMACHINS 특집 - 특집 편집기 - |
전자공학회지 |
1997 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
| Nitridation effect of GaN epitaxial layer grown by MBE |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1997 |
12 |
4 |
1 |
0 |
0 |
1 |
6 |
| Optical properties of GaN by the Effect of Hydrogenation |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
| 인이 주입된 poly-Si/SiO2/Si 기판에서 텅스텐 실리사이드의 형성에 관한 연구 ( Study on Formation of W-Silicide in the Doped-Phosphorus poly-Si/SiO2/Si-Substrate ) |
전자공학회논문지-A |
1996 |
27 |
2 |
1 |
0 |
8 |
4 |
12 |
| 텅스텐 폴리사이드 전극에 따른 게이트 산화막의 내압 특성 ( Breakdown Characteristics of Gate Oxide with Tungsten Polycide Electrode ) |
전자공학회논문지-A |
1996 |
27 |
0 |
0 |
2 |
4 |
6 |
15 |
| FPGA 및 PLD 기술 특집 - 특집 편집기 - |
전자공학회지 |
1996 |
22 |
0 |
0 |
0 |
2 |
2 |
18 |
| MBE로 성장된 InxGa₁-xN의 Indium mole fraction에 따른 특성 조사 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1996 |
4 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
3 |
| 전극 재료와 산화분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성에 관한 연구 |
Applied Science and Convergence Technology |
1995 |
112 |
8 |
3 |
2 |
18 |
18 |
63 |
| 직접 접합된 실리톤 기판쌍에 있어서 계명 산화막의 상태와 이의 새로운 평가 방법 ( Condition and New Testing Method of Interfacial Oxide Films in Directly Bonded Bonded Silicon Wafer Pairs ) |
전자공학회논문지-A |
1995 |
16 |
0 |
2 |
3 |
0 |
4 |
7 |
| 텅스텐 폴리사이드막의 열산화에서 인 불순물 효과 |
Applied Science and Convergence Technology |
1995 |
13 |
0 |
0 |
1 |
2 |
3 |
7 |
| Er 과 Ti doping에 따른 InGaAs / InP의 반절연성연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1995 |
4 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
3 |
| W - Polycide 게이트 구조에서 텅스텐 실리사이드 증착 방법에 따른 게이트 산화막의 내압 특성 |
Applied Science and Convergence Technology |
1995 |
39 |
0 |
5 |
9 |
4 |
8 |
13 |
| 급속 열처리된 GaAs위의 Ru와 RuO₂ 박막의 Schottky Contact의 열적 안정성 비교 |
대한전자공학회 학술대회 |
1994 |
3 |
0 |
0 |
0 |
0 |
3 |
0 |
| 비정질 실리콘을 이용한 다층 유전 박막의 전기적 특성에 관한 연구 |
Applied Science and Convergence Technology |
1994 |
29 |
0 |
0 |
2 |
6 |
5 |
16 |
| 중성자 변환도핑된 GaAs의 수소화 효과 |
대한전자공학회 학술대회 |
1994 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| SBG(Schotty Barrier Gate) CCD의 정적 전위 우물에 관한 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1994 |
9 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
7 |
| 건식 / 습식 산화막을 적용한 MOS 특성 개선 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1993 |
16 |
2 |
1 |
5 |
1 |
4 |
3 |
| 다층 유전체 박막의 전기적 특성에 관한 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
1993 |
5 |
0 |
2 |
3 |
0 |
0 |
0 |
| 산화 분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성 분석 ( An Analysis of Electrical Characteristics of Gate Oxides by Oxidation Ambience ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1993 |
3 |
0 |
3 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| 이중 구조 Gate를 이용한 MOS 특성 개선 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1993 |
5 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2 |
3 |
| ONO 유전박막 캐패시터의 전기적 특성 및 결함분석 |
대한전자공학회 학술대회 |
1993 |
9 |
0 |
2 |
1 |
4 |
2 |
0 |
| ONO 유전박막 캐패시터의 전기적 특성 및 결함분석 ( Analysis of Defects and Electrical Characteristics of ONO Dielectric Film Capacitors ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1993 |
4 |
0 |
2 |
0 |
1 |
1 |
0 |
| Scanning Tunneling Microscope의 제작 및 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
1993 |
8 |
0 |
3 |
0 |
5 |
0 |
0 |
| Scanning Tunneling Microscope의 제작 및 연구 ( A Study and Fabrication on Scanning Tunneling Microscope ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1993 |
14 |
3 |
5 |
0 |
6 |
0 |
0 |
| Scanning Tunneling Microscopy를 이용한 graphite의 표면 영상 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1993 |
7 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
7 |
| Scanning Tunneling Microscopy의 시료 접근 방식에 관한 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1993 |
5 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
4 |
| 전자선 직접 묘사 방법을 이용한 소자 제작 ( The Fabrication of Devices Using Electron Beam Direct Writing Lithography Method ) |
전자공학회논문지-A |
1992 |
19 |
0 |
0 |
0 |
5 |
3 |
11 |
| MBE에 의한 다양자 우물제작 및 특성연구 (공명투과 다이오드의 제작과 전기적 특성) |
Applied Science and Convergence Technology |
1992 |
14 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
12 |
| 수치해석 모델을 이용한 a-Si : H Tft의 정적 I-V 특성 분석 ( The Analysis of the Static I-V Characteristics of a-Si : H Tft Using the Numerical Model ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1990 |
4 |
0 |
1 |
0 |
2 |
1 |
0 |
| 수치해석 모델을 이용한 a-Si:H TFT의 정적 I-V특성 분석 |
대한전자공학회 학술대회 |
1990 |
4 |
0 |
1 |
0 |
1 |
2 |
0 |
| 이중장벽 공명투과 다이오드의 물성 |
대한전자공학회 학술대회 |
1990 |
4 |
0 |
1 |
0 |
3 |
0 |
0 |
| 이중장벽 공명투과 다이오드의 물성 ( Physical Properties of Double Barrier Resonant Tunneling Diode ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1990 |
3 |
1 |
0 |
2 |
0 |
0 |
0 |
| FA-CVD에 의한 미세결정질 실리콘 박막 제작 및 특성 ( Characterization and Fabrication of Microcrystalline Si Thin Films Prepared by FA-CVD ) |
전자공학회논문지 |
1990 |
19 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
17 |
| n형 GaAs의 RTA에 따른 Deep Trap 연구 ( Deep Trap in N-type GaAs by Rapid Thermal Annealing ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1990 |
3 |
0 |
0 |
1 |
2 |
0 |
0 |
| 새로운 시료 접근방식을 사용한 Scanning Tunneling Microscope ( STM ) 의 제작 ( Construction of Stm with a new Type translator ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
4 |
0 |
1 |
0 |
2 |
1 |
0 |
| 새로운 CVD 방법에 의하여 제작된 실리콘 박막의 특성 연구 ( Characterization of Silicon Thin Films Prepared by New CVD Technique ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
2 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
| 실온에서의 GaAs / AlAs 이중 장벽 구조의 공명 투과 ( The Resonant Tunneling of GaAs / AlAs Double Barrier Structure at Room Temperature ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| AuGe 액체금속 이온이 주입된 n-GaAs의 물성연구 ( Physical Properties of AuGe Liquid Metal Ion Implanted n-GaAs ) |
전자공학회논문지 |
1989 |
17 |
0 |
0 |
0 |
2 |
6 |
9 |
| Delta-Doping 을 이용한 비정질 규소 n+ -P -P+ 태양전지의 제작 ( Fabrication of a-Si : H n+ -p -p+ Solar Cells Using Delta-Doping ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
3 |
0 |
2 |
1 |
0 |
0 |
0 |
| FA-CVD에 의한 Si 박막 특성의 수소 희석 효과 ( Effect of Hydrogen Dilution on Characteristics of Thin Silicon Films Prepared by FA-CVD ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| RP-CVD에 의한 비정질 실리콘 박막의 특성 ( Characterization of a-Si : H films deposited by a remote plasma CVD ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
4 |
0 |
2 |
1 |
1 |
0 |
0 |
| 적외선 CVD 방법을 이용한 산화막 성장에 NH3가 미치는 영향 ( Effects of NH3 on the Growth of Oxide Film by Infrared-CVD Method ) |
전자공학회논문지 |
1988 |
25 |
0 |
2 |
1 |
3 |
10 |
9 |
| IBM PC를 사용한 DLTS 측정 장치의 제작과 n-HB GaAs 시료의 측정 ( Fabrication of the DLTS Measuring System Using IBM PC and Measuring the n-HB GaAs sample . ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1988 |
7 |
0 |
5 |
1 |
0 |
1 |
0 |
| MBE에 의한 porous Si 위에 GaAs 성장 ( The Growth of GaAs epi layer on porous Si MBE ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1988 |
2 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
| 주사전자현미경을 이용한 전자선 직접묘사에 관한 연구 ( A Study of Rlectron Beam Direct Writing Lithography Using SRM ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1987 |
6 |
3 |
2 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| RHEED 강도의 진동을 이용한 초격자 성장 ( Superlattice Growth Using RHEED Intensity Oscillation ) |
전자공학회논문지 |
1987 |
21 |
1 |
2 |
1 |
5 |
7 |
5 |
| TCO기관의 Plasma에 의한 영향 연구 ( Effect of Plasma on TCO Film ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1987 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| 수소화된 비정질 실리콘과 투명 전극의 경계면 상태에 관한 연구 ( Study on the Interface Properties between Indium Tin Oxide and Hydrogenated Amorphous Silicon ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| 수소화된 비정질 실리콘과 투명전극의 경계면 상태에 관한 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
2 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
| GaAs 에피층의 Ar+ 이온 sputtering ( Ar+ ion sputtering for GaAs epi layer ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사전처리 과정 ( Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ) |
전자공학회논문지 |
1986 |
13 |
0 |
1 |
0 |
5 |
4 |
3 |
| MBE에 의해 성장한 GaAs에피층의 Hall Effect ( Hall Effect of GaAs Epi-Layer Grown by MBE ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
8 |
0 |
1 |
0 |
3 |
4 |
0 |
| RHEED 강도의 진동을 이용한 단 분자층 및 초격자 성장 ( One Monolayer and Super Lattice Sturcture Growth Using by RHEED Intensity Oscillation ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
5 |
0 |
2 |
0 |
2 |
1 |
0 |
| GaAs Epi층의 온도의존성 ( Substrate Temperature Dependence of GaAs Epitaxial Layer ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1985 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
| MBE성장전 ( 100 ) GaAs 표면의 열처리에 대한 RHEED-AES의 분석에 관한 연구 ( A Study on RHEED-AES Analysis with Thermal Treatment of ( 100 ) GaAs Surface Prior to MBE Growth ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1985 |
5 |
0 |
1 |
2 |
0 |
2 |
0 |
| MBE에 의하여 성장된 GaAs 에피층의 특성 ( Characteristics of GaAs Epilayer Grown by Molecular Beam Epitaxy ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1985 |
2 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| MBE에 의한 GaAs 에피택셜층 성장 ( GaAs Epitaxial Layer Growth by Molecular Beam Epitaxy ) |
전자공학회지 |
1985 |
35 |
2 |
1 |
2 |
0 |
1 |
29 |