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권광호 (Kwang-Ho Kwon)

소속기관
한서대학교
소속부서
전자공학과
직급
교수
ORCID
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연구경력
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주요 연구분야

  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 연구 키워드

저자가 작성한 논문들의 주요 키워드입니다.

저자의 연구 키워드
#광통신 모듈
#단일칩
#레이아웃
#ASIC 설계
#CMOS 트랜시버

저자의 논문 현황

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  • 논문수17
  • 발행기간1986 ~ 2004
  • 이용수467
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
광통신 모듈용 단일칩 CMOS 트랜시버의 설계 전자공학회논문지-SD 2004 33 0
Mechanisms of Cl₂ Molecules Dissociation in a Gas Discharge Plasma in Mixtures with Ar, O₂. N₂ JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2001 4 0
Cl2 / Ar 가스 플라즈마에 O2 첨가에 따른 Pt 식각 특성 연구 ( The Study on the Etching Characteristics of Pt Thin Film by O2 Addition to Cl2 / Ar Gas Plasma ) 전자공학회논문지-D 1999 38 0
유도 결합 BCI3 / CI2 플라즈마내에서 Pt 박막의 건식 식각 ( Dry Etching of Pt Thin Film in Inductive Coupled BCI3 / CI2 Plasmas ) 대한전자공학회 학술대회 1998 0 0
유도 결합 BCI₃/CI₂ 플라즈마내에서 Pt 박막의 건식 식각 대한전자공학회 학술대회 1998 1 0
Al ( Cu 1% ) 플라즈마 식각후 fluorine 처리에 의한 passivation 막 형성 ( The formation of the passivation layer by the fluorine treatment after Al ( Cu 1% ) plasma etching ) 전자공학회논문지-D 1998 42 0
ICP 에 의한 Pt 박막의 식각 메카니즘에 관한 연구 ( The Study on the etching mechanism of Pt thin film by inductive Coupled plasma ) 전자공학회논문지-D 1997 38 0
BCl3/SF6 gas chemistries 에 의한 TiW막의 식각특성 연구 ( A Study on the Etching Characteristics of TiW Films using BCl3/SF6 gas chemistries ) 전자공학회논문지-D 1997 48 0
Effect of the Fluorine Treatment for the Reduction of Al ( Cu 1% ) Corrosion After Plasma Etching 대한전자공학회 학술대회 1997 2 0
AlCu 플라즈마 식각후 Al 결정입계에서 Al 부식현상 ( Al corrosion phenomena on the Al grain boundary after AlCu plasma etching ) 전자공학회논문지-A 1996 60 0
CHF3/C2F6 반응성이온 건식식각에 의한 실리콘 표면의 오염 및 제거에 관한 연구 ( A Study on the Silicon surface and near-surface contamination by CHF3/C2F6 RIE and its removal with thermal treatment and O2 plasma exposure ) 전자공학회논문지-A 1993 81 0
초고집적 소자 제조를 위한 건식 식각 기술 동향 전자공학회지 1991 30 0
CHF3 / C2F6 반응성 이온 건식 식각시 실리콘 표면 잔류막 특성 변화에 미치는 감광막 마스크의 영향 ( The Effects of Photoresist Layer on the Characteristics of Si-Surface Residue Induced by CHF3 / C2F6 Reactive Ion Eching ) 대한전자공학회 학술대회 1991 20 0
반응성 이온 건식식각에 의해 형성된 실리콘 표면 잔류막의 특성연구 ( Charaterization of Si-Surface Residues Caused by Reactive Ion Etching ) 대한전자공학회 학술대회 1991 3 0
반응성 이온 건식식각에 의해 형성된 실리콘 표면 잔류막의 특성연구 대한전자공학회 학술대회 1991 6 0
CHF₃/ C₂F6 반응성 이온 건식 식각시 실리콘 표면 잔류막 특성 변화에 미치는 감광막 마스크의 영향 대한전자공학회 학술대회 1991 3 0
탐침법에 의한 CF4 가스 프라즈마 제량의 측정과 에칭 특성 ( Characteristics of Plasma Diagnostics of CF4 Gas with Electric Probe ) 전자공학회논문지 1986 58 0