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차선용 (Seon-Young Cha)

소속기관
대한전자공학회
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연구경력
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주요 연구분야

  • 공학 > 전자/정보통신공학

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  • 논문수13
  • 발행기간1995 ~ 2000
  • 이용수119
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
Giga-Bit급 DRAM을 위한 고유전 ( Ba , Sr ) TiO3 박막 커패시티의 유전완화 특성에 대한 회로 모델 ( A Circuit Model of the Dielectric Relaxation of the High Dielectric ( Ba , Sr ) TiO3 Thin Film Capacitor for Giga-Bit Scale DRAMs ) 전자공학회논문지-SD 2000 47 0
고유전 ( Ba , Sr ) TiO3 박막 커패시터의 저전계 영역에서의 전기전도기구 ( Electrical Conduction Mechanism of ( Ba , Sr ) TiO3 Thin Film Capacitor in Low Electric Field Region ) 전자공학회논문지-D 1999 18 0
Calculation of Trap Densities Between BST / Pt Interface From Capacitance-Voltage Characteristics and Rapid Thermal Annealing Effect for DRAM Capacitor Application 대한전자공학회 학술대회 1997 2 0
Ir Thin Film as a Bottom Electrode for High Dielectric ( Ba , Sr ) TiO3 Capacitor 대한전자공학회 학술대회 1997 0 0
Ba 0.7 Sr 0.3 Ti O3 / Pt 구조의 계면층 유전특성 분석 ( Analysis of Dielectric Properties of the Interfacial layers in Ba 0.7 Sr 0.3 Ti O3 / Pt structures ) 전자공학회논문지-A 1996 14 0
Ba0.7Sr0.3TiO3 박막 커패시터의 마이크로파 측정 ( Microwave Measurement of Ba0.7Sr0.3TiO3 Thin Film Capacitors ) 전자공학회논문지-A 1996 20 0
Analysis of Interface Traps of ( Ba2Sr ) TiO3 Thin Film Capacitor From Capacitance-Voltage Characteristics 대한전자공학회 학술대회 1996 1 0
Improvement of Dielectric Characteristics of the Interface Between Ba0.7 Sr0.3 TiO3 Thin films and Pt Bottom Electrode 대한전자공학회 학술대회 1996 1 0
고유전율 박막용 Pt/Ti 하부전극구조에 대한 Ti 층의 두께에 따른 영향 대한전자공학회 학술대회 1995 1 0
고주파 측정용 Ba0.7Sr0.3TiO3 박막 캐페시터의 제작과 유전 분산 측정 대한전자공학회 학술대회 1995 1 0
고주파 측정용 Ba0.7Sr0.3TiO₃ 박막 캐페시터의 제작과 유전 분산 측정 ( Fabrication and Measurement of Dielectric Dispersion of Ba0.7 Sr0.3 TiO3 Thin Film Capacitor ) 대한전자공학회 학술대회 1995 10 0
고유전율 박막용 Pt / Ti 하부전극구조에 대한 Ti층의 두께에 따른 영향 ( Effects of Ti Thickness on Pt / Ti Bottom Electrode for High-Dielectric Thin Films ) 대한전자공학회 학술대회 1995 0 0
E-Beam Evaporation 방법에 의해 증착된 고유전율 박막용 Pt 하부전극에 관한 연구 대한전자공학회 학술대회 1995 4 0