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최상수

소속기관
대한전자공학회
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주요 연구분야

  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 연구 키워드

저자가 작성한 논문들의 주요 키워드입니다.

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저자의 논문 현황

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  • 논문수12
  • 발행기간1991 ~ 1998
  • 이용수132
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
A Novel Anti-Reflective Structure for Metal Layer Pattering 대한전자공학회 학술대회 1998 0 0
시뮬레이션을 이용한 ArF 엑시머 레이저 노광장치용 광학계의 성능 분석 ( Simulated Performance of ArF Excimer Lasser Lithography Optics ) 대한전자공학회 워크샵 1997 25 0
Enhancement of Alignment Accuracy with a Novel X-ray Mask in Mix-and-Match of Optical and X-ray Lithography ICVC : International Conference on VLSI and CAD 1997 3 0
A Novel X-ray Mask for Mix-and-Match of Optical and Synchrotron Radiation X-ray Lithography Applied in Sol Device Fabrication 대한전자공학회 학술대회 1997 1 0
딥 서브 마이크로미터 MOSFET 제작을 위한 싱크로트론 방사광 X-선 리소그래피 기술 대한전자공학회 워크샵 1996 25 0
Fabrication of X-ray Mask With 0.15um Line width by Additive Method 대한전자공학회 학술대회 1996 1 0
개선된 T - gate 기술로 제작한 초저잡음 AlGaAs / InGaAs / GaAs pseudomorphic HEMT 소자의 특성 ( A Super Low Noise Characteristics of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMTs Fabricated by the Improved T - Gate ) 전자공학회논문지-A 1995 23 0
차세대 반도체 ( GDRAM ) 를 위한 X-선마스크 제작 대한전자공학회 학술대회 1995 0 0
Wide Head T-Gate를 갖는 InGaAs Pseudomorphic HEMT 소자의 초 저잡음 특성 ( Super Low Noise Characteristics of In GaAs Pseudomorphic HEMTs with Wide Head T-Gate ) 대한전자공학회 학술대회 1995 0 0
AlGaAs / GaAs HEMT 소자의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characterization of GaAs / AlGaAs HEMT Device ) 전자공학회논문지-A 1994 37 0
X-선 리소그래픽을 이용하여 제작한 0.2μm n-MOSFET의 특성 대한전자공학회 학술대회 1994 1 0
SAL 603 Resist를 사용한 변형 가우시안 전자빔 리소그라피 공정 대한전자공학회 워크샵 1991 16 0