| Improvement of characteristics of p-ZnTe and n-ZnO hetero-structured devices |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2019 |
2 |
2 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| Study of electrochromic material (WO3) by thermal treatment |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2018 |
16 |
6 |
10 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| Si and ZnO hetero-structures nanowire on Si (100) Growth and properties |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2017 |
6 |
5 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
| Structural, optical, and magnetic properties of Cd0.98Cr0.02S Nanosheets |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2016 |
7 |
1 |
0 |
1 |
5 |
0 |
0 |
| Fabrication and characterization of CdS film, nanowires and nanobelts grown by VPE |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2010 |
10 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
9 |
| Fabrication and characterization of ternary compound ZnCdS nanowires |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2010 |
11 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
10 |
| Trimodal Redshift Due to Carrier Tunneling in Chained InGaAs/GaAs Quantum Dots |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2007 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
| Excitonic photoluminescence in GaMnN thin films with high ferromagnetic transition temperatures |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2005 |
10 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
9 |
| Self - Assembled (Inl - xMnx)As diluted magnetic semiconductor QDs grown by RFMBE |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2005 |
6 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
5 |
| Characterization of manganese - implanted CdTe |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2004 |
4 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
4 |
| Growth of High - Quality HVPE - GaN Thick Film with V / III ratios |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2004 |
45 |
2 |
0 |
0 |
2 |
3 |
38 |
| HVPE법에 의해 성장된 GaN nanorod p - n 접합 LED의 전기적ㆍ광학적 특성 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2004 |
64 |
3 |
0 |
3 |
3 |
1 |
54 |
| RF Magnetron Sputter법으로 성장된 Zn1 - xMnxO 박막의 Rapid Thermal Annealing 효과 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2004 |
9 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
8 |
| Successful Growth and Applications of High - Quality GaN and InGaN Nanorod Arrays |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2004 |
14 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
12 |
| AlGaN / GaN Heterostructure에서 형성되는 2DEG의 광학적 특성 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2003 |
21 |
1 |
2 |
0 |
1 |
1 |
16 |
| Au doped p - type Hg₁-xCdxTe layers grown by MBE |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2003 |
3 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
3 |
| AlGaN / GaN 구조에서 형성되는 polarity 조절에 관한연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2002 |
14 |
3 |
1 |
0 |
1 |
1 |
8 |
| HVPE 방법을 이용한 GaN 성장 및 특성 분석 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2002 |
58 |
0 |
3 |
6 |
11 |
3 |
35 |
| LPE법으로 성장한 GaMnAs epilayer의 자기적 특성 조사 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2002 |
4 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
3 |
| Self - assembled nanowires for novel devices |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2002 |
3 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
3 |
| 다공성 Si - 초격자 구조의 발광특성에 관한 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2001 |
14 |
1 |
3 |
6 |
0 |
2 |
2 |
| Electrochemical Metallization방법을 이용한 GaN Schottky Diode의 제작과 전기적 특성 향상 및 분석 |
대한전자공학회 학술대회 |
2001 |
4 |
1 |
0 |
2 |
1 |
0 |
0 |
| LPE법으로 성장한 GaMnAs epilayer의 특성 조사 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2001 |
13 |
0 |
0 |
0 |
0 |
5 |
8 |
| MBE로 성장한 n - GaN Schottky 특성분석 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2001 |
20 |
0 |
0 |
1 |
1 |
2 |
16 |
| MBE법으로 In - situ annealing에 의한 p - Hg1 - xCdxTe / CdTe / GaAs(211)B 박막 성장 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2001 |
2 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2 |
| RTLPCVD법에 의해 sapphire(1102)위에 제작된 Si 박막의 특성 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2001 |
6 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
5 |
| Si / SiO₂ - nanostructure의 제작 및 C-V특성에 관한 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2001 |
8 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
8 |
| 반도체 소자의 Critical issue와 미래 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2000 |
17 |
2 |
3 |
5 |
0 |
1 |
6 |
| 열처리에 따른 p-GaN의 오믹접촉 특성에 관한 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
2000 |
6 |
0 |
0 |
4 |
1 |
1 |
0 |
| A study on deep level defects of GaN by TSC |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2000 |
20 |
0 |
5 |
0 |
0 |
3 |
12 |
| A study on ohmic contact to p - type GaN |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2000 |
24 |
0 |
0 |
2 |
0 |
1 |
21 |
| Improvement of crystal quality of GaN grown by MBE using AlN interlayers |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
2000 |
10 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
10 |
| p-Si 기판 위에 형성된 S iO₂/S iN/S iO₂ 박막의 특성에 관한 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
2000 |
3 |
0 |
1 |
2 |
0 |
0 |
0 |
| Au / Ni / Si / Ni ohmic contacts to p - type GaN |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1999 |
40 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
39 |
| Hydrogenated and annealed effect of CdTe : In |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1999 |
4 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
4 |
| LaAlO₃(100) 기판 위에 epitaxy 성장된 GaN 박막의 구조 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1999 |
7 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
7 |
| MBE법으로 성장한 Hg0.8Cd0.2Te의 표면보호연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1999 |
6 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
6 |
| Photoconductivity in Mg - doped p - type GaN by MBE |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1999 |
4 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
4 |
| The Characteristics of GaN by MBE with InxGa1-xN buffer layer |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1999 |
12 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
11 |
| Analysis of Exciton-Phonon Coupling in ZnxCd1-xTe by Low Temperature Photoluminescence Spectroscopy |
대한전자공학회 학술대회 |
1998 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
| Characteristics of InGaN / GaN Quantum Well Structure Grown by MBE |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1998 |
12 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
11 |
| Effect of Cu Diffusion in Cu / TiN / SiO2 / Si Capacitors by C-V Measurements |
대한전자공학회 학술대회 |
1998 |
7 |
1 |
1 |
0 |
2 |
3 |
0 |
| IEEE 802.11 무선 LAN 환경에서 실시간 서비스를 제공하기 위한 채널 구간 할당 방안 ( An Efficient Channel Assignment Method for Real-Time Service in the IEEE 802.11 Wireless LAN System ) |
한국통신학회논문지 |
1998 |
28 |
1 |
1 |
0 |
5 |
5 |
16 |
| MBE로 성장한 CdTe 박막의 photoconductivity |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1998 |
5 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
4 |
| MBE로 성장한 InGaN / GaN 양자우물 구조의 Photoconductivity |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1998 |
11 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
10 |
| MBE법으로 성장된 CdTe : In 박막의 Deep Level 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1998 |
10 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
9 |
| MBE와 MOCVD를 이용하여 LAO 기판위에 성장된 GaN의 특성비교 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1998 |
45 |
0 |
16 |
0 |
1 |
3 |
25 |
| Photoconductivity study for GaN |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1998 |
3 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
3 |
| Schottky diode characteristics on hydrogenated n - type GaN |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1998 |
9 |
0 |
0 |
0 |
0 |
3 |
6 |
| Strain Effects in CdTe Heteroepitaxial Layers Grown by MBE. |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1998 |
5 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
5 |
| The Properties of GaN on Porous Si Grown by MBE |
대한전자공학회 학술대회 |
1998 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| Thermally stable contact of Nickel Silicide between metal and GaN |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1998 |
7 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
7 |
| 57Fe 도프된 GaAs의 Mossbauer 효과 및 광학적 특성에 관한 연구 |
Applied Science and Convergence Technology |
1997 |
33 |
0 |
0 |
0 |
7 |
3 |
23 |
| 강제요소법에 의한 도체로 이루워진 구조의 레이타 단면적 계산 ( The calculation of RCS of metallic materials using BEM ) |
한국통신학회 학술대회논문집 |
1997 |
11 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
10 |
| 경계요소법에 의한 도체로 이루어진 구조의 레이다 단면적 계산 ( The Calculation of RCS of Metallic Materials Using BEM ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
| 유한요소법을 이용한 전자파 차폐 기구물의 개구부 특성 해석 ( Analysis of Characteristics of cavity-backed Aperture using finite Element Method ) |
한국통신학회 학술대회논문집 |
1997 |
35 |
1 |
3 |
5 |
10 |
3 |
13 |
| 유한요소법을 이용한 전자파 차폐 기구물의 개구부 특성 해석 ( Analysis of Characteristics of Cavity-backed Apeture Using Element Method ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
8 |
0 |
3 |
0 |
5 |
0 |
0 |
| As을 이용한 HgCdTe의 도핑 특성 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1997 |
2 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2 |
| Characteristics of GaN epitaxial layer grown on 6H - SiC(0001) by RF - Molecular Beam Epitaxy |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1997 |
6 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
6 |
| Characteristics of GaN films by RF - Molecular Beam Epitaxy according to the growth process |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1997 |
6 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
6 |
| Characterization of In Doped CdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1997 |
2 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2 |
| Heteroepitaxy of HgCdTe |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
2 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
| HgTe / CdTe 초격자 내에서의 Hg의 비선형 확산 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1997 |
4 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
3 |
| Mg flux 에 따른 P - type GaN 특성 변화 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1997 |
11 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2 |
9 |
| Nitridation effect of GaN epitaxial layer grown by MBE |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1997 |
12 |
4 |
1 |
0 |
0 |
1 |
6 |
| Optical properties of GaN by the Effect of Hydrogenation |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
| Planar 법에 의한 HgCdTe P - type Doping 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1997 |
4 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
4 |
| SNMP를 이용한 ATM망의 VPC / VCC 관리 기법 |
한국통신학회 공개발표회 및 토론회 |
1997 |
4 |
2 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
| SNMP를 이용한 ATM망의 VPC / VCC 관리 기법 ( A VPC / VCC management scheme of ATM network using SNMP ) |
한국통신학회 학술대회논문집 |
1997 |
11 |
0 |
1 |
1 |
0 |
4 |
5 |
| SNMP를 이용한 ATM망의 VPC / VCC 관리 기법 ( A VPC / VCC management scheme of ATM network using SNMP ) |
한국통신학회 공개발표회 및 토론회 |
1997 |
11 |
0 |
0 |
1 |
3 |
3 |
4 |
| SNMP를 이용한 ATM망의 VPC / VCC 관리 기법 ( A VPC / VCC Management Scheme of ATM Network using SNMP ) |
한국통신학회논문지 |
1997 |
21 |
0 |
1 |
0 |
4 |
6 |
10 |
| 신경망을 이용한 SMD인식에 관한 연구 ( A Study on SMD Recognition using by Neural Network ) |
한국통신학회 학술대회논문집 |
1996 |
16 |
0 |
2 |
3 |
8 |
0 |
3 |
| 자동차 전장케이블의 전자파복사 내성 시험용 스트립선로 설계 · 제작 ( Design and Construction of Strip-line for Measuring Electromagnetic Immunity of Vehicular Electrical Cables ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
2 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
| 자동차 전장케이블의 전자파복사 내성 시험용 스트립선로 설계·제작 ( Design and Construction of Strip-line for measuring Electromagnetic Immunity of Vehicular Electrical Cables ) |
한국통신학회 학술대회논문집 |
1996 |
41 |
0 |
0 |
0 |
12 |
4 |
25 |
| 저압 유기금속 화학증착법을 이용한 InP 기판에 격자 일치된 In0.53Ga0.47As 에피층의 성장 |
Applied Science and Convergence Technology |
1996 |
18 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
16 |
| 전자기내성 시험실 성능평가의 주파수 증가율과 측정점 간격에 대한 의존성 ( Dependence of the Performance Evaluation of an Immunity Chamber on the Frequency Step and the Distance between Test Points ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
3 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
| 전자기내성 실험실 성능평가의 주파수 증가율과 측정점 간격에 대한 의존성 ( Dependence of the Performance Evaluation of an Immunity Chamber on the Frequency Step and the Distance Between Test Points ) |
한국통신학회 학술대회논문집 |
1996 |
22 |
0 |
0 |
0 |
7 |
2 |
13 |
| MBE로 성장된 InxGa₁-xN의 Indium mole fraction에 따른 특성 조사 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1996 |
4 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
3 |
| Molecular Beam Epitaxy 법으로 성장시킨 CdTe : In 박막의 DLTS 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1996 |
9 |
0 |
2 |
0 |
0 |
2 |
5 |
| Nonparabolic three - band model을 사용한 HgCdTe 박막의 운반자농도와 Fermi 준위 계산에 대한 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1996 |
5 |
0 |
0 |
0 |
0 |
3 |
2 |
| PICTS법에 의한 CdTe(111) / Si(100)의 깊은 결함준위 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1996 |
9 |
0 |
2 |
0 |
0 |
1 |
6 |
| Si 기판처리에 따른 CdTe 박막 특성 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1996 |
14 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
12 |
| Si(100) 기판의 방위이탈각에 따른 CdTe(111) 박막의 변형에 관한 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1996 |
2 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2 |
| 국가교정검사기관의 전자파전력 측정정확도의 분석 및 평가 ( Analysis and Evaluation of the Accuracy of Electromagnetic Power Measurement at National Calibration and Test Organizations ) |
전자공학회논문지-A |
1995 |
11 |
0 |
0 |
0 |
1 |
5 |
5 |
| 기하광학법을 이용한 전자기내성 챔버의 전자기장 균일도 해석 |
대한전자공학회 학술대회 |
1995 |
8 |
0 |
0 |
3 |
3 |
2 |
0 |
| 기하광학법을 이용한 전자기내성 챔버의 전자기장 균일도 해석 ( Analysis of the Field Uniformity of EMS Chamber Using Geometrical Optics Approach ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1995 |
4 |
0 |
2 |
0 |
0 |
2 |
0 |
| Er 과 Ti doping에 따른 InGaAs / InP의 반절연성연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1995 |
4 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
3 |
| MBE법에 의한 Si ( 100 ) 기판위에 CdTe 박막 성장 |
대한전자공학회 학술대회 |
1995 |
2 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
| MBE법으로 성장한 CdTe / Si(100)의 특성 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1995 |
9 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
9 |
| 분자선 에피시탁법으로 저온에서 성장된 CdTe ( 111 ) / GaAs ( 100 ) 이종박막의 급속열처리에 따른 특성 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
1994 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| 전달임피던스 측정치구를 이용한 가스켓의 차폐효과 측정 ( Shielding Effectiveness Measurement of Gaskets Using Transfer Impedance Test Fixture ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1994 |
5 |
0 |
2 |
0 |
2 |
1 |
0 |
| 전달임피던스 측정치구를 이용한 가스켓의 차폐효과 측정 ( Shielding Effectiveness Measurement of Gaskets Using Transfer Impedance Test Fixture ) |
한국통신학회 학술대회논문집 |
1994 |
36 |
0 |
1 |
0 |
7 |
12 |
16 |
| 중성자 변환도핑된 GaAs의 수소화 효과 |
대한전자공학회 학술대회 |
1994 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| 페라이트-고무 복합재료에서 첨가재의 체적비에 따른 전자파 차폐 및 흡수 성능 변화 ( The Volume Fraction Dependence of Electromagnetic Shielding and Absorbing Performance in the Ferrite-Rubber Composites ) |
한국통신학회 학술대회논문집 |
1994 |
54 |
4 |
2 |
4 |
9 |
14 |
21 |
| 페라이트-고무 복합재료에서 첨가제의 체적비에 따른 전자파 차폐 및 흡수 성능 변화 ( The Volume Fraction Dependence of Electromagnetic Shielding and Absorbing Performance in the Ferrite-Rubber Composites ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1994 |
15 |
4 |
1 |
2 |
6 |
2 |
0 |
| Establishment of RF Voltage Standards using Thermistor Mount at KRISS |
대한전자공학회 학술대회 |
1994 |
3 |
1 |
0 |
0 |
0 |
2 |
0 |
| Molecular Beam Epitaxy법으로 성장된 Hg0.8 Cd 00.2 Te박막에 대한 수소화 효과 |
대한전자공학회 학술대회 |
1994 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| Zero-Band-Gap 초격자 HgZnTe / CdTe의 Hole특성에 관한 전기 수송 및 광학적 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
1994 |
3 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
| 8.2 GHz - 18 GHz 주파수범위에서의 전력표준 ( Power Standards in the Frequency Range of 8.2 GHz to 18 GHz ) |
전자공학회논문지-A |
1993 |
11 |
0 |
3 |
1 |
2 |
2 |
3 |
| Scanning Tunneling Microscopy를 이용한 graphite의 표면 영상 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1993 |
7 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
7 |
| Scanning Tunneling Microscopy의 시료 접근 방식에 관한 연구 |
한국진공학회 학술발표회초록집 |
1993 |
5 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
4 |
| 분자선결정성장과 반사고에너지전자회절상의 강도진동 ( The Molecular Beam Epitaxy and Reflection High Energy Electron Deflection Intensity Oscillation ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1992 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
| MBE에 의한 다양자 우물제작 및 특성연구 (공명투과 다이오드의 제작과 전기적 특성) |
Applied Science and Convergence Technology |
1992 |
14 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
12 |
| TiC와 TiN 박막의 열처리 효과 |
Applied Science and Convergence Technology |
1992 |
81 |
1 |
2 |
1 |
15 |
10 |
52 |
| 갈륨비소위에 플라즈마 화학 증착한 텅스텐 박막의 특성연구 ( Properties of Tungsten Films Grown on GaAs by PECVD ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1991 |
2 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
| 플라즈마 화학 증착 텅스텐 박막의 특성에 미치는 수소분압의 영향 ( Effects of H2 / WF6 Input Ratio on the Properties of PECVD-W Thin Films ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1991 |
10 |
0 |
1 |
5 |
0 |
4 |
0 |
| LEC-Grown Undoped Semi-insulating GaAs의 Shallow Acceptor의 광학적 특성 ( Optical Characteristics of Shallow Acceptors in LEC-Grown Undoped Semi-insulating GaAs Substrates Supplied By Four Vendors ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1991 |
8 |
3 |
0 |
0 |
2 |
3 |
0 |
| Strained InGaAs / GaAs Multiple Quantum Well의 Line-Broadening Mechanism |
대한전자공학회 학술대회 |
1991 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| 분자선 결정 성장 온도의 변화에 따른 Si-doped In0.52Al0.48As의 깊은 준위에 관한 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
1990 |
5 |
2 |
0 |
0 |
0 |
3 |
0 |
| 분자선 결정 성장 온도의 변화에 따른 Si-doped In0.52Al0.48As의 깊은 준위에 관한 연구 ( The Dependence of Deep Levels of molecular Beam Epitaxial Si-doped In0.52Al0.48As on Growth Temperature ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1990 |
2 |
2 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| 야외 시험장의 시험장 감쇠량 ( Site Attenuations of the KSRI Open Area Test Site ) |
한국통신학회 학술대회논문집 |
1990 |
12 |
0 |
0 |
0 |
4 |
4 |
4 |
| 야외시험장의 시험장감쇠량 |
한국통신학회 학술대회논문집 |
1990 |
8 |
0 |
0 |
1 |
0 |
5 |
2 |
| 원통형공농공진기에 의한 유전체의 복소유전율의 측정 ( Measurement of the Complex Permittivity of Dielectrics Using Cylindrical Cavity Resonators ) |
전자공학회논문지 |
1990 |
36 |
1 |
0 |
3 |
6 |
12 |
14 |
| 이중장벽 공명투과 다이오드의 물성 |
대한전자공학회 학술대회 |
1990 |
4 |
0 |
1 |
0 |
3 |
0 |
0 |
| 이중장벽 공명투과 다이오드의 물성 ( Physical Properties of Double Barrier Resonant Tunneling Diode ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1990 |
3 |
1 |
0 |
2 |
0 |
0 |
0 |
| Heteroepitaxial Growth by MBE |
대한전자공학회 워크샵 |
1990 |
14 |
0 |
0 |
1 |
2 |
2 |
9 |
| n형 GaAs의 RTA에 따른 Deep Trap 연구 ( Deep Trap in N-type GaAs by Rapid Thermal Annealing ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1990 |
3 |
0 |
0 |
1 |
2 |
0 |
0 |
| Pseudomorphic InGa₁-xAs(x>0.53)/Ino.53Alo.48As Modulation-Doped Heterostrutures의 Low-Field Transport와 계면에 관한 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
1990 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
| Pseudomorphic InxGa1-xAs ( x > 0.53 ) / In0.53 Al0.48 As Modulation-Doped Heterostructures의 Low-Field Transport와 계면에 관한 연구 ( Low-Field Transport and InterFace Properties of Pseudomorphic InxGa1-xAs / In0.53Al0.48 As Modulation-Doped Heterostructures ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1990 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
| Si 위에 성장시킨 GaAs 에피층의 Defect Level에 대한 수소화 ( Hydrogenation on Defect Levels of GaAs Epilayer on Si ) |
전자공학회논문지 |
1990 |
18 |
0 |
1 |
0 |
2 |
8 |
7 |
| 공동공진기의 섭동방법에 의한 저손실 유전체의 복소유전율 측정 ( Measurement of the Complex Permittivity of a Low-loss Dielectric by the Cavity Perturbation Method ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
20 |
0 |
3 |
7 |
4 |
6 |
0 |
| 마이크로스트립기판의 유전율측정에 관한 고찰 ( A Consideration on the Measurements of the Permittivity of Microstrip Substrates ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
10 |
1 |
0 |
3 |
3 |
3 |
0 |
| 실온에서의 GaAs / AlAs 이중 장벽 구조의 공명 투과 ( The Resonant Tunneling of GaAs / AlAs Double Barrier Structure at Room Temperature ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
2 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| 액체금속이온원을 이용한 n형 GaAs의 오옴성접촉 ( The Ohmic Contact of n-GaAs Using by Liquid Metal Ion Source ) |
전자공학회논문지 |
1989 |
23 |
0 |
0 |
0 |
8 |
9 |
6 |
| 액체금속이온이 주입된 p형 GaAs의 오옴성 접촉 ( Ohmic Contact of p-type GaAs Implanted the Liquid Metal Ion ) |
전자공학회논문지 |
1989 |
20 |
0 |
0 |
0 |
0 |
9 |
11 |
| 유전체공진기를 이용한 복소유전율 및 투자율 측정 ( Complex permittivity and permeability measurement by using dielectric rod resonator ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
15 |
2 |
2 |
4 |
5 |
2 |
0 |
| 전송선을 이용한 마이크로파 영역에서의 복소유전율 및 투자율 측정상의 오차 해석 ( Error Analysis in Measurements of the Complex Permittivity and Permeability by Using Coaxial Transmission Line in Microwave Frequencies ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
7 |
0 |
2 |
2 |
2 |
1 |
0 |
| AuGe 액체금속 이온이 주입된 n-GaAs의 물성연구 ( Physical Properties of AuGe Liquid Metal Ion Implanted n-GaAs ) |
전자공학회논문지 |
1989 |
17 |
0 |
0 |
0 |
2 |
6 |
9 |
| HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process ) |
특정연구 결과 발표회 논문집 |
1989 |
38 |
1 |
2 |
4 |
3 |
12 |
16 |
| Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process ) |
한국통신학회 학술대회논문집 |
1989 |
21 |
0 |
0 |
2 |
1 |
2 |
16 |
| HEMT 소자 공정연구 - Part 3 : 개별소자 제작 및 특성분석 ( A Study on HEMT Device Process - Part 3 : Fabrication of a Discrete Device and its Characteristics ) |
전자공학회논문지 |
1989 |
35 |
0 |
0 |
2 |
9 |
8 |
16 |
| PLE에 의한 multiquantum well 제작 ( Fabrication of Multiquantum Well Grown by PLE ) |
특정연구 결과 발표회 논문집 |
1989 |
5 |
0 |
0 |
0 |
2 |
1 |
2 |
| PLE에 의한 Multiquantum Well 제작 ( Fabrication of Multiquantum Well Grown by PLE ) |
한국통신학회 학술대회논문집 |
1989 |
14 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
12 |
| IBM PC를 사용한 DLTS 측정 장치의 제작과 n-HB GaAs 시료의 측정 ( Fabrication of the DLTS Measuring System Using IBM PC and Measuring the n-HB GaAs sample . ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1988 |
7 |
0 |
5 |
1 |
0 |
1 |
0 |
| MBE에 의한 porous Si 위에 GaAs 성장 ( The Growth of GaAs epi layer on porous Si MBE ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1988 |
2 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
| 분자선 ( Epitaxy ) |
전자공학회지 |
1987 |
10 |
0 |
0 |
2 |
1 |
3 |
4 |
| MBE 방법에 의한 Si ( 001 ) 기판 위에 Single Domain GaAs 성장 ( The Growth of Single-Domain GaAs on Si substrates by MBE ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1987 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| MBE성장중 RHEED 강도의 진동관측에 의한 조성비 측정 ( Measurements of Composition Ratio by RHEED Intensity Oscillation During MBE Growth ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1987 |
2 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
| RHEED 강도의 진동을 이용한 초격자 성장 ( Superlattice Growth Using RHEED Intensity Oscillation ) |
전자공학회논문지 |
1987 |
21 |
1 |
2 |
1 |
5 |
7 |
5 |
| STM 장치의 제작 ( Fabrication of STM System ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1987 |
10 |
1 |
2 |
4 |
3 |
0 |
0 |
| 금속 - 화합물 반도체 접합의 컴퓨터 모델링에 대한 감도 분석 |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
2 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| 금속-화합물 반도체 접합의 컴퓨터 모델링에 대한 감도 분석 ( Parameter Sensitivity Analysis for Computor Modelling of Metal-Compound Semiconductor Junctions ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| 화상 감광재료의 개발에 관한 연구 ( Studies on the Imaging Photosensitive Materials ) |
전자공학회지 |
1986 |
11 |
1 |
5 |
3 |
0 |
0 |
2 |
| Be 도핑된 GaAs epi 층의 전기적 특성 |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
2 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
| C²-DLTS System 제작 및 MBE로 성장한 Sn-doped GaAs의 Deep Level |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
6 |
0 |
3 |
0 |
0 |
3 |
0 |
| C2-LTS System 제작 및 MBE로 성장한 Sn-doped GaAs의 Deep Level ( Fabrication of the C2-DLTS System and Deep Levels In Sn-doped GaAs Grown by MBE ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
2 |
0 |
2 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| GaAs 에피층의 Ar+ 이온 sputtering ( Ar+ ion sputtering for GaAs epi layer ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| Image 센서 |
전자공학회잡지 |
1986 |
18 |
3 |
6 |
1 |
5 |
1 |
2 |
| MBE |
대한전자공학회 단기강좌 |
1986 |
49 |
0 |
0 |
1 |
12 |
4 |
32 |
| MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장 |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
11 |
0 |
7 |
0 |
4 |
0 |
0 |
| MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사전처리 과정 ( Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ) |
전자공학회논문지 |
1986 |
13 |
0 |
1 |
0 |
5 |
4 |
3 |
| MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) ) |
전자공학회논문지 |
1986 |
13 |
0 |
1 |
0 |
0 |
5 |
7 |
| MBE에 의해 성장한 GaAs에피층의 Hall Effect ( Hall Effect of GaAs Epi-Layer Grown by MBE ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
8 |
0 |
1 |
0 |
3 |
4 |
0 |
| RHEED 강도의 진동을 이용한 단 분자층 및 초격자 성장 ( One Monolayer and Super Lattice Sturcture Growth Using by RHEED Intensity Oscillation ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
5 |
0 |
2 |
0 |
2 |
1 |
0 |
| GaAs Epi층의 온도의존성 ( Substrate Temperature Dependence of GaAs Epitaxial Layer ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1985 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
| MBE성장전 ( 100 ) GaAs 표면의 열처리에 대한 RHEED-AES의 분석에 관한 연구 ( A Study on RHEED-AES Analysis with Thermal Treatment of ( 100 ) GaAs Surface Prior to MBE Growth ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1985 |
5 |
0 |
1 |
2 |
0 |
2 |
0 |
| MBE에 의하여 성장된 GaAs 에피층의 특성 ( Characteristics of GaAs Epilayer Grown by Molecular Beam Epitaxy ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1985 |
2 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| MBE에 의한 GaAs 에피택셜층 성장 ( GaAs Epitaxial Layer Growth by Molecular Beam Epitaxy ) |
전자공학회지 |
1985 |
35 |
2 |
1 |
2 |
0 |
1 |
29 |
| Cholestric 액정 Cholesteryl Benzoate에서 Drift Mobility측정 ( Electrical Drift Mobility in the Cholesteryl Benzoate ) |
전자공학회지 |
1978 |
13 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
12 |