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오응기 (Eung-Gie Oh)

소속기관
대한전자공학회
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주요 연구분야

  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 연구 키워드

저자가 작성한 논문들의 주요 키워드입니다.

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저자의 논문 현황

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  • 논문수14
  • 발행기간1983 ~ 1998
  • 이용수72
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
WLL Rx MMIC 설계 및 동작 특성 ( The Characteristics of Rx MMIC for WLL Applications ) 대한전자공학회 학술대회 1998 2 0
E / D-GaAs MESFET의 문턱전압 변동에 대한 T-Flipflop의 수율 시뮬레이션 ( Yield Simulations of E / D-GaAs MESFET T-Flipflop for Threshold Voltage Variations ) 대한전자공학회 학술대회 1996 5 0
E/D-GaAs MESFET의 문턱전압 변동에 대한 T-Flipflop의 수율 시뮬레이션 대한전자공학회 학술대회 1996 1 0
A 3.3V GaAs MESFET Monolithic Driver Amplifier for Digital / Analog Dual-Mode Hand-Held Phones 대한전자공학회 학술대회 1996 2 0
A 3.3V Front-end Receiver GaAs MMIC for the Digital / Analog Dual-Mode Hand-Held Phones 대한전자공학회 학술대회 1996 0 0
밀러효과를 이용한 HBT 내부 및 외부 베이스-콜렉터 캐패시턴스 추출 방법 ( A Method of Measuring Intrinsic and Extrinsic Base-Collecter Capacitances of HBTs Using the Miller Effect ) 대한전자공학회 학술대회 1994 4 0
A Method of Measuring Intrinsic and Extrinsic Base-Collector Capacitances of HBTs Using the Miller Effect 대한전자공학회 학술대회 1994 0 0
AlGaAs / GaAs HEMT 소자의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characterization of GaAs / AlGaAs HEMT Device ) 전자공학회논문지-A 1994 37 0
AlGaAs / GaAs HBT 의 제작과 특성연구 ( Fabrication and Characterization of AlGaAs / GaAs HBT ) 전자공학회논문지-A 1994 13 0
MBE로 성장된 AIGaAs / GaAs HBT의 제작과 전기적 특성 연구 대한전자공학회 학술대회 1994 0 0
Ion-Implemented E-IGFET의 Doping Profile과 Threshold 전압과의 관계에 관한 연구 ( 1 ) ( A Study on the Relation of Doping Profile and Threshold Voltage in the Ion-Implanted E-IGFET ( 1 ) ) 전자공학회지 1984 3 0
Ion-Implanted Short Channel E-IGFET의 Threshold 전압과 I-V 특성에 관한 연구 ( 2 ) ( A Study on the Threshold Voltage and I-V Characteristis in the Ion-Implanted Short Channel E-I GFET ( 2 ) ) 대한전자공학회 학술대회 1984 1 0
Ion-implanted E-IGFET의 Doping Profile과 Threshold전압과의 관계에 관한 연구 대한전자공학회 학술대회 1983 1 0
MOS-Field Effect Transistor의 2차원적인 수학적 모델에 관한 연구 ( A Study on Two-Dimensional Mathematical Model of MOS-Field Effect Transistor ) 대한전자공학회 학술대회 1983 3 0