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조훈영 (H. Y. Cho)

소속기관
동국대학교
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직급
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연구경력
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주요 연구분야

  • 자연과학 > 물리학
  • 공학 > 전자/정보통신공학
  • 공학 > 컴퓨터학

저자의 연구 키워드

저자가 작성한 논문들의 주요 키워드입니다.

저자의 연구 키워드
#Raman
#scanning transmission electron microscopy
#silicon nanowire

저자의 논문 현황

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  • 논문수18
  • 발행기간1989 ~ 2015
  • 이용수127
  • 피인용수0

논문제목를 인용한 논문목록입니다.

  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
Decoration of whole silicon nanowire surface by gold nanoparticles with surface-enhanced Raman effect 한국진공학회 학술발표회초록집 2015 11 0
빠른 공분산 보상을 이용한 온라인 HMM 적응 한국정보과학회 학술발표논문집 2001 6 0
다공성 Si - 초격자 구조의 발광특성에 관한 연구 한국진공학회 학술발표회초록집 2001 14 0
RTLPCVD법에 의해 sapphire(1102)위에 제작된 Si 박막의 특성 한국진공학회 학술발표회초록집 2001 6 0
고온스퍼터링법으로 제작된 티타늄실리사이드의 구조적 전기적 특성 연구 대한전자공학회 학술대회 2000 6 0
열처리에 따른 p-GaN의 오믹접촉 특성에 관한 연구 대한전자공학회 학술대회 2000 6 0
p-Si 기판 위에 형성된 S iO₂/S iN/S iO₂ 박막의 특성에 관한 연구 대한전자공학회 학술대회 2000 3 0
Effect of Cu Diffusion in Cu / TiN / SiO2 / Si Capacitors by C-V Measurements 대한전자공학회 학술대회 1998 7 0
가변 정규화 방법을 이용한 화자식별기의 구현 한국정보과학회 학술발표논문집 1997 10 0
Si - SiO₂ 계면에서 수소원자와 결함상태의 상호작용 한국진공학회 학술발표회초록집 1997 27 0
Low Temperature ( LT ) GaAs 에피층의 성장과 그 특성연구 ( The Growth and Its Characteristics of Low Temperature ( LT , 250˚C ) GaAs Epilayer ) 전자공학회논문지-A 1994 12 0
Molecular Beam Epitaxy법으로 성장된 Hg0.8 Cd 00.2 Te박막에 대한 수소화 효과 대한전자공학회 학술대회 1994 1 0
MBE로 성장된 (AIAs / GaAs) 단주기 초격자의 전기 및 광학적 특성 한국진공학회 학술발표회초록집 1993 4 0
저온 Mbe 방법으로 성장한 Undoped 및 Si-Doped GaAs Layer ( Undoped and Si-Doped Gaas Layer Grown at Low Temperature by Molecular Beam Epitaxy ) 대한전자공학회 학술대회 1992 1 0
Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs Layer의 성장과 특성분석 ( Growth and Characterization of GaAs Layer by Molecular Beam Epitaxy ) 대한전자공학회 학술대회 1992 0 0
Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs layer의 성장과 특성분석 대한전자공학회 학술대회 1992 1 0
저온 MBE 방법으로 성장한 undoped 및 Si-doped GaAs layer 대한전자공학회 학술대회 1992 0 0
실리콘 3차원구조 소자를 위한 기반기술 연구 ( Fundamental Study on Technology for 3D Structured Device ) 특정연구 결과 발표회 논문집 1989 12 0