| 수소이온 감지를 위한 실리콘 나노선 ISFETs의 가상기준전극 특성 분석 |
대한전자공학회 학술대회 |
2013 |
25 |
0 |
4 |
2 |
1 |
13 |
5 |
| 분기 부하 임피던스를 이용한 광대역 도허티 전력증폭기 |
대한전자공학회 학술대회 |
2012 |
23 |
0 |
4 |
2 |
4 |
7 |
6 |
| 광대역에서의 고효율 3-way 비대칭 도허티 전력증폭기 |
대한전자공학회 학술대회 |
2012 |
17 |
0 |
3 |
0 |
3 |
3 |
8 |
| Quantum Simulation을 이용한 Silicon Channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석 |
대한전자공학회 학술대회 |
2010 |
92 |
4 |
2 |
4 |
14 |
9 |
59 |
| Junctionless Double-Gate MOSFET의 소자 성능에 관한 비교 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
2010 |
86 |
1 |
10 |
5 |
4 |
17 |
49 |
| 비대칭 지연 선로를 이용한 고선형 Three-way 도허티 전력증폭기 |
대한전자공학회 학술대회 |
2010 |
44 |
0 |
2 |
0 |
3 |
5 |
34 |
| 적응 게이트 전압 제어기를 이용한 고효율 3-stage 반전 도허티 전력증폭기 |
대한전자공학회 학술대회 |
2010 |
44 |
0 |
1 |
1 |
2 |
5 |
35 |
| 적응 게이트 전압 제어기를 이용한 고효율 3-stage 반전 도허티 전력증폭기 |
대한전자공학회 학술대회 |
2010 |
39 |
0 |
1 |
0 |
3 |
3 |
32 |
| A Study on Carrier Injection Velocity in sub-100㎚ SiGe Channel pMOSFETs Using RF C-V Measurement |
대한전자공학회 학술대회 |
2010 |
20 |
0 |
1 |
3 |
0 |
2 |
14 |
| Junctionless Double-Gate MOSFET의 소자 성능에 관한 비교 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
2010 |
18 |
0 |
7 |
8 |
1 |
2 |
0 |
| SiGe pMOSFETs 의 저온 초고주파 특성 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
2010 |
12 |
0 |
1 |
1 |
1 |
2 |
7 |
| Quantum Simulation을 이용한 Silicon Channel 두께와 Doping이 Double Gate MOSFET 소자의 GIDL 특성에 미치는 영향 분석 |
대한전자공학회 학술대회 |
2010 |
7 |
0 |
5 |
0 |
0 |
1 |
1 |
| 비대칭 지연 선로를 이용한 고선형 Three-way 도허티 전력증폭기 |
대한전자공학회 학술대회 |
2010 |
5 |
0 |
1 |
0 |
2 |
1 |
1 |
| SiGe pMOSFETs 의 저온 초고주파 특성 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
2010 |
3 |
0 |
1 |
0 |
2 |
0 |
0 |
| A Study on Carrier Injection Velocity in sub-100nm SiGe Channel pMOSFETs Using RF C-V Measurement |
대한전자공학회 학술대회 |
2010 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| 수평 전기장을 고려한 variable range hopping 전도메커니즘 기반의 유기박막트랜지스터 모델 |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
76 |
1 |
4 |
0 |
2 |
19 |
50 |
| Hot carrier 효과에 의한 단채널 금속 게이트/High-k 절연막 nMOSFET의 고주파 특성 열화 |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
68 |
5 |
5 |
9 |
5 |
2 |
42 |
| Silicon Nanowire FET 제작과 DC 및 Low Frequency Noise 특성 분석 |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
59 |
1 |
12 |
7 |
5 |
1 |
33 |
| 광대역 디지털 전치 왜곡기를 이용한 고효율 GaN HEMT Doherty 전력증폭기의 선형성 개선 |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
56 |
2 |
1 |
1 |
4 |
7 |
41 |
| 메모리효과 보상을 가지는 새로운 아날로그 전치왜곡기 |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
43 |
1 |
2 |
0 |
3 |
6 |
31 |
| Al0.30Ga0.70N Back Barrier를 사용한 AlGaN/GaN HEMT의 항복 전압 특성 시뮬레이션 |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
43 |
0 |
1 |
1 |
3 |
6 |
32 |
| Hot carrier 효과에 의한 단채널 금속 게이트/High-k 절연막 nMOSFET의 고주파 특성 열화 |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
25 |
10 |
1 |
6 |
2 |
3 |
3 |
| 광대역 디지털 전치 왜곡기를 이용한 고효율 GaN HEMT Doherty 전력증폭기의 선형성 개선 |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
15 |
0 |
3 |
0 |
5 |
5 |
2 |
| 수평 전기장을 고려한 variable range hopping 전도메커니즘 기반의 유기박막트랜지스터 모델 |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
15 |
0 |
1 |
1 |
8 |
5 |
0 |
| 높은 드레인 바이어스에서 전력증폭기의 메모리효과 감소 |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
14 |
0 |
1 |
0 |
2 |
2 |
9 |
| 높은 드레인 바이어스에서 전력증폭기의 메모리효과 감소 |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
7 |
0 |
1 |
4 |
1 |
1 |
0 |
| Hot Electron Degradation Effects in 35-㎚ InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
6 |
0 |
2 |
1 |
0 |
1 |
2 |
| 메모리효과 보상을 가지는 새로운 아날로그 전치왜곡기 |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
5 |
1 |
2 |
1 |
0 |
0 |
1 |
| Al0.30Ga0.70N Back Barrier를 사용한 AlGaN/GaN HEMT의 항복 전압 특성 시뮬레이션 |
대한전자공학회 학술대회 |
2009 |
3 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
| Linearity-Optimized 3.5 ㎓ GaN HEMT Doherty Amplifier |
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications |
2008 |
41 |
1 |
4 |
1 |
2 |
12 |
21 |
| Linearity Improvement of Doherty Amplifier Using Analog Predistorter with Phase-Controlled Error Generator |
전자공학회논문지-SC |
2007 |
39 |
0 |
1 |
0 |
7 |
2 |
29 |
| High-Efficiency Class-F Power Amplifier Using Composite Right/Left-Handed Transmission Lines |
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications |
2007 |
8 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
7 |
| 3차 상호변조왜곡성분의 독립적인 조절을 위한 새로운 전치왜곡기 |
대한전자공학회 학술대회 |
2007 |
6 |
0 |
4 |
0 |
1 |
1 |
0 |
| 저온에서 500 ㎓의 ft를 가지는 In0.52Al0.48As/In0.53 Ga0.47 As Metamorphic GaAs HEMT의 제작 |
대한전자공학회 학술대회 |
2007 |
4 |
0 |
0 |
1 |
0 |
3 |
0 |
| 3차 상호변조왜곡성분의 독립적인 조절을 위한 새로운 전치왜곡기 |
대한전자공학회 학술대회 |
2007 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| 저온에서 500 ㎓의 ft를 가지는 In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Metamorphic GaAs HEMT의 제작 |
대한전자공학회 학술대회 |
2007 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| RFIC설계를 위한 70㎚ CMOS의 BSIM4 매크로 모델링 |
대한전자공학회 학술대회 |
2006 |
15 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
13 |
| 낮은 누설전류를 위한 소스/드레인-게이트 비중첩 Nano-CMOS구조 전산모사 |
대한전자공학회 학술대회 |
2006 |
12 |
4 |
1 |
1 |
2 |
0 |
4 |
| 게이트 레이아웃을 이용한70㎚ nMOSFET 초고주파 성능 최적화 |
대한전자공학회 학술대회 |
2006 |
10 |
0 |
0 |
1 |
5 |
1 |
3 |
| 위상조절 왜곡기발생기를 가진 아날로그 전치왜곡기를 이용한 Doherty Amplifier의 선형성 개선 |
대한전자공학회 학술대회 |
2006 |
10 |
0 |
1 |
1 |
0 |
2 |
6 |
| 70 ㎚ nMOS의 RF 적용을 위한 transistor matching |
대한전자공학회 학술대회 |
2006 |
7 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
5 |
| 잉크젯 프린팅으로 제작된 유기 박막 트랜지스터의 이력특성 분석 |
대한전자공학회 학술대회 |
2006 |
6 |
0 |
1 |
0 |
3 |
0 |
2 |
| 20 ㎚급 T-형 게이트 제작을 위한 2단 전자 빔 노광 공정 |
대한전자공학회 학술대회 |
2006 |
4 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
| 35㎚ In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Metamorphic GaAs HEMT의 제작 |
대한전자공학회 학술대회 |
2006 |
2 |
0 |
0 |
0 |
2 |
0 |
0 |
| 축적형 버랙터의 RF 모델링 기법 |
대한전자공학회 학술대회 |
2003 |
23 |
0 |
1 |
0 |
2 |
10 |
10 |
| 부분 채널도핑된 GaAs계 이중이종접합 전력FET의 선형성 증가 |
전자공학회논문지-SD |
2002 |
7 |
0 |
0 |
0 |
1 |
2 |
4 |
| 특성 임피던스 변환을 이용한 X-밴드 FET 위상변위기 |
대한전자공학회 학술대회 |
2002 |
5 |
0 |
1 |
0 |
1 |
3 |
0 |
| 이준위 근사법을 이용한 단일전자 소자의 SPICE 모델링 |
대한전자공학회 기타 간행물 |
2001 |
6 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
3 |
| AlGaAs / InGaAs / GaAs 이종접합 양자선 - FET의 제작 및 특성 |
대한전자공학회 학술대회 |
2000 |
7 |
1 |
1 |
1 |
3 |
1 |
0 |
| X - 밴드 저잡음 증폭기용 0.25 ㎛ T - 형 게이트 P - HEMT 제작 |
대한전자공학회 학술대회 |
2000 |
6 |
0 |
3 |
1 |
2 |
0 |
0 |
| 이중이종접합을 이용한 채널도핑된 GaAs계 전력FET의 선형성 증가 |
대한전자공학회 학술대회 |
2000 |
4 |
0 |
1 |
2 |
0 |
1 |
0 |
| 0.25 μm T형 게이트 P-HEMT 제작 및 특성 평가와 MMIC 저잡음 증폭기에 응용 ( Fabrication and characterization of the 0.25 μm T-shaped gate P-HEMT and its application for MMIC low noise amplifier ) |
전자공학회논문지-D |
1999 |
21 |
0 |
2 |
1 |
3 |
5 |
10 |
| 0.5 μm - GaAs MESFET 을 이용한 X - 밴드 모노리식 직렬 궤환 LNA 의 설계 및 특성 ( Design and Characteristics of X - band Monolithic Series Feedback LNA using 0.5 μm - GaAs MESFET ) |
전자공학회논문지-D |
1997 |
18 |
0 |
0 |
1 |
0 |
3 |
14 |
| 게이트/소오스 인덕터 피킹기술을 이용한 광대역 전치증폭기의 설계에 관한 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
5 |
0 |
3 |
0 |
1 |
1 |
0 |
| 0.25㎛ T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계 |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
3 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
| 게이트 / 소오스 인덕터 피킹기술을 이용한 광대역 전치 증폭기의 설계에 관한 연구 ( A study on the Design of Wideband Preamplifier Using Gat / Source Inductor Peaking Technique ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
2 |
0 |
0 |
0 |
2 |
0 |
0 |
| Fabrication and Characterization of 0.2um T-shaped gate AlGaAs / InGaAs P-HEMTs |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| 단일 전자 논리 회로를 위한 단일 전자 상보 논리 게이트의 설계 ( Design of Complementary Single Electron Logic for Single-electron Digital Logic Circuits ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
6 |
3 |
1 |
2 |
0 |
0 |
0 |
| 단일 전자 논리 회로를 위한 단일 전자 상보 논리 게이트의 설계 |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
5 |
2 |
2 |
1 |
0 |
0 |
0 |
| Si1-xGex p-MOSFET 단채널효과의 해석학적 모델 |
대한전자공학회 학술대회 |
1995 |
7 |
1 |
0 |
1 |
1 |
4 |
0 |
| Si-xGex P-MOSFET 단채널효과의 해석학적 모델 ( An Analytical Model of Short Channel Effects of Si1-xGex P-MOSFETS ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1995 |
4 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
| 저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AIGaAs / InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성 ( Fabrication and Characterization of Si Delta Doped AlGaAs / InGaAs Double Channel P-HEMTs Grown by LP-MOCVD for Power Application ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1995 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| 유화처리와 광 CVD 법 질화인막을 이용한 GaAs MISFET 특성 ( Characteristics of Sulfide Treated GaAs MISFETs with Photo - CVD Grown P3N5 Gate Insulators ) |
전자공학회논문지-A |
1994 |
13 |
0 |
2 |
0 |
1 |
3 |
7 |
| 유화처리와 광 CVD법으로 성장시킨 질화인막을 이용한 증가형 InP MISFETs 의 특성 |
대한전자공학회 학술대회 |
1994 |
3 |
0 |
0 |
0 |
0 |
3 |
0 |
| 저압 MOCVD법을 이용한 Si델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 구조의 저잡음 P-HEMTs의 전기적 특성 |
대한전자공학회 학술대회 |
1994 |
3 |
0 |
0 |
0 |
0 |
3 |
0 |
| 저압 MOCVD법을 이용한 Si델타도핑된 AlGaAs / InGaSa구조의 저잡음 P-HEMTs의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of Si-Delta-Doped AlGaSa / InGaSa Low Noise P-HEMTs Grown by LP-MOCVD ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1994 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
| 절연 게이트 역 이중 채널 전력용 Pseudomorphic HEMT의 제작 및 특성 연구 |
대한전자공학회 학술대회 |
1994 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| 저압 유기금속기상 성장법에 의한 AlGaAs/GaAs 양자 우물에 델타 도우핑된 채널 FET 특성 ( Characteristics of AlGaAs/GaAs Quantum-Well Delta-Doped Channel FET`s by Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition ) |
전자공학회논문지-A |
1992 |
8 |
0 |
0 |
1 |
1 |
3 |
3 |
| 저압MOCVD법에 의하여 성장한 AIGaAs/GaAs 양장우물구조의 TEM/AES분석 ( TEM/AES Analysis of AIGaAs/GaAs Quantum Well Structures Grown by LP-MOCVD ) |
전자공학회논문지 |
1990 |
23 |
0 |
0 |
2 |
8 |
5 |
8 |
| 광 CVD법에 의한 InP MIS형 쇼트키 장벽 다이오드 구조 ( InP MIS type Schottky barrier diode by a photo-CVD ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
5 |
0 |
2 |
3 |
0 |
0 |
0 |
| 저압 MOCVD법을 이용한 AlGaAs / GaAs 양자우물구조 ( AlGaAs / GaAs Quantum Well Structures Grown by Low-pressure MOCVD ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
5 |
1 |
1 |
0 |
3 |
0 |
0 |
| GaAs 계 OMVPE 및 레이저 CVD System 연구 ( Studies of OMVPE and LACVD for GaAs semiconductors ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
4 |
0 |
0 |
0 |
2 |
2 |
0 |
| 광 CVD법에 의한 PN / InP MIS 구조 ( Al / PN / InP MIS STRUCTURE BY PHOTO-CVD ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
| 저온 CVD PN-InP MISFETs ( Low-temperature CVD PN-InP MISFETs ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1987 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
| ( Ba1-xBix ) TiO3 PTC thermistor의 첨가량의 최적조건 |
대한전자공학회 심포지엄 논문집 |
1978 |
8 |
2 |
0 |
0 |
0 |
1 |
5 |
| ( Ba1-xBix ) TiO3 PTC thermistor의 첨가량의 최적조건 |
대한전자공학회 학술대회 |
1978 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |