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김여환 (Yeo Hwan Kim)

소속기관
대한전자공학회
소속부서
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직급
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ORCID
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연구경력
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주요 연구분야

  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 연구 키워드

저자가 작성한 논문들의 주요 키워드입니다.

저자의 연구 키워드
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저자의 논문 현황

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  • 논문수14
  • 발행기간1984 ~ 1996
  • 이용수278
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
비소로 선무정질화된 p+ 다결정 규소박막의 물성 ( Characteristics of As Preamorphized p+-Polycrystalline Silicon Film ) 대한전자공학회 학술대회 1996 1 0
전계 방출 소자의 특성 분석과 회로 모델 대한전자공학회 학술대회 1995 1 0
전계 방출 소자의 특성 분석과 회로 모델 ( Characteristics and Circuit Model of Field Emission Device ) 대한전자공학회 학술대회 1995 5 0
Retrograde 켈렉터 도우핑 프로파일을 가진 바이폴라 트랜지스터에서 임계 전류 밀도의 모델링 ( Modeling of Critical Current Density in Bipolar Transistor with Retrograde Collector Profile ) 대한전자공학회 학술대회 1995 4 0
기판 접착을 이용한 몸체-접지형 SOI nMOSFET ( A Ground-Body SOI nMOSFET by Wafer Bonding ) 대한전자공학회 학술대회 1995 1 0
E-beam lithography 를 이용한 0.1μm NMODFET 제작 ( The Fabrication of the 0.1μm NMOSFET by E-beam Lithography ) 전자공학회논문지-A 1994 21 0
스테퍼와의 혼합 묘화를 위한 전자 빔 직접 묘화 기술에 관한 연구 ( A Study of the Electron-beam Direct Writing Technique for Mix-and-Match with Stepper ) 전자공학회논문지-A 1992 13 0
Hot-carrier 효과로 인한 MOSFET의 성능저하 및 동작수명 측정 ( Hot-carrier Induced MOSFET Degradation and its Lifetime Measurement ) 전자공학회논문지 1988 135 0
Hot-carrier 현상을 이용한 n-MOSFET의 동작수명 측정 ( Measurement of n-MOSFETs Lifetime using Hot-carrier induced Degradation ) 대한전자공학회 학술대회 1987 42 0
Small-Geometry MOSFET에서 Bias에 따른 게이트 Capacitance 측정 ( Gate Capacitance Measurement on the Small-Geometry MOSFET`s with Bias ) 전자공학회논문지 1987 25 0
이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 ( Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET`s ) 전자공학회지 1985 18 0
Deep Implementation을 이용한 CMOS 소자의 제작 및 측정 ( The Fabrication and Evaluation of CMOS Device Using Deep Implantation ) 대한전자공학회 학술대회 1985 4 0
좁은 폭을 가지는 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 ( Threshold Voltage Modeling of Narrow Width MOSFET`s ) 대한전자공학회 학술대회 1984 5 0
이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 MOSFET의 제작 및 평가 ( Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET`s ) 대한전자공학회 학술대회 1984 3 0