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이진효 (Jin-Hyo Lee)

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대한전자공학회
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주요 연구분야

  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 연구 키워드

저자가 작성한 논문들의 주요 키워드입니다.

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저자의 논문 현황

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  • 논문수43
  • 발행기간1979 ~ 1998
  • 이용수612
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
새로운 트랜치 방법을 이용한 저저항 실리콘 기판에서의 High Q 인덕터의 구현 ( Realization of High Q Inductor on Low Resistivity Silicon Wafer using a New and Simple Trench Technique ) 대한전자공학회 학술대회 1998 3 0
새로운 트랜치 방법을 이용한 저저항 실리콘 기판에서의 High Q 인덕터의 구현 대한전자공학회 학술대회 1998 0 0
강유전체와 절연체의 여러가지 변수에 따른 MFSFET의 특성 대한전자공학회 학술대회 1998 2 0
0.3 um급 Inverse-T Gate 모스와 LDD모스의 전류구동력 및 신뢰성 특성 비교 ( Characterization of Current Drivability and Reliability of 0.3 um Inverse T-Gate MOS Compared with Those of Conventional LDD MOS ) 전자공학회논문지-A 1993 10 0
PE-CVD Oxide의 Hillock억제 효과에 대한 고찰 ( I ) ( The Investigation on Hillock Suppresion Effects of PE-CVD Oxide ( I ) ) 대한전자공학회 학술대회 1989 15 0
Ellipsometry방법에 의한 이온 주입 단결정 실리콘의 비정질층 두께 측정 연구 ( Evaluation of the Amorphous Layer Thickness in Implanted Silicon by Ellipsometry ) 대한전자공학회 학술대회 1989 12 0
급속열처리법에 의한 재산화질화산화막의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of Reoxidized-Nitrided-Oxide Film Fomed by Rapid Theraml Processing ) 대한전자공학회 학술대회 1989 0 0
스트레스전압 극성에 따른 얇은 산화막의 TDDB 특성 ( The TDDB Characteristics of Thin SiO2 with Stress Voltage Polarity ) 전자공학회논문지 1989 63 0
Ion Implantation 과 PECVD Oxide Capping 이 Al-1% Si 박막의 Hillock 생성에 미치는 영향 ( The Effects of Ion Implantation and PECVD Oxide Capping on the Hillock Growth in Al-1%Si Thin Film ) 대한전자공학회 학술대회 1989 10 0
금속열처리법에 의한 재산화질화산화막 ( Reoxidized-Nitrided-Oxide Film Formed by Rapid Thermal Processing ) 대한전자공학회 학술대회 1989 2 0
정전류 Stress 하에서의 얇은 산화막의 TDDB 특성 ( The TDDB Characteristics of Thin Si02 under Constant Stress Condition ) 대한전자공학회 학술대회 1988 16 0
Hot-carrier 효과로 인한 MOSFET의 성능저하 및 동작수명 측정 ( Hot-carrier Induced MOSFET Degradation and its Lifetime Measurement ) 전자공학회논문지 1988 135 0
Hot-carrier 현상을 이용한 n-MOSFET의 동작수명 측정 ( Measurement of n-MOSFETs Lifetime using Hot-carrier induced Degradation ) 대한전자공학회 학술대회 1987 42 0
급속 열처리 장치를 이용한 타이타늄 실리사이드 형성 ( Formation of Titanium Silicide by Rapid Thermal Aneal System ) 대한전자공학회 학술대회 1987 5 0
Small-Geometry MOSFET에서 Bias에 따른 게이트 Capacitance 측정 ( Gate Capacitance Measurement on the Small-Geometry MOSFET`s with Bias ) 전자공학회논문지 1987 25 0
자기정렬된 고속 바이폴라 트랜지스터의 전기적 특성 ( The Electrical Properties of Self-Aligned High Speed Bipolar Transistor ) 전자공학회논문지 1987 12 0
차세대 기억소자의 기술동향 전자공학회지 1987 26 0
반도체 기술 전자공학회지 1987 114 0
다결정 실리콘 자기정렬에 의한 바이폴라 트랜지스터의 제작 ( The Fabrication of Polysilicon Self-Aligned Bipolar Transistor ) 전자공학회논문지 1986 16 0
아나로그와 양립하는 I2L의 제작 ( The Fabrication of Analog Compatible I2L ) 전자공학회논문지 1986 5 0
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