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심태언

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대한전자공학회
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주요 연구분야

  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 연구 키워드

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  • 논문수14
  • 발행기간1991 ~ 1995
  • 이용수158
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
In-Situ Boron Doped Polysilicon Gate를 적용한 Dual-Gate CMOS Device의 특성 대한전자공학회 학술대회 1995 6 0
W / TiN 적층구조 Gate를 적용한 CMOS Device의 특성 대한전자공학회 학술대회 1995 5 0
TRENCH 공정을 이용한 MOS DEVICE의 전기적 특성 대한전자공학회 학술대회 1995 2 0
MOS 소자에서 Titanium 폴리사이드 게이트에 의한 산화막 열화 ( Thin Oxide Degradation by Titanium-Polycide Gate in MOS Device ) 전자공학회논문지-A 1992 20 0
DC 반응성 스퍼터링된 TiN 박막의 구조적 및 전기적 특성 ( Structural and Electrical Properties of Reactively Sputtered Titanium Nitride Films ) 전자공학회논문지-A 1992 52 0
열처리에 따른 TiN/Ti/Si 구조의 열적반응 및 산소원자의 거동에 관한 연구 ( The Thermal Reactin and Oxygen Behavior in the Annealed TiN/Ti/Si Structures ) 전자공학회논문지-A 1992 25 0
Composite Target으로 중착된 Mo-Silicide의 형성 및 이에 따른 불순물의 거동 ( Behavior of the Implanted Dopants and Formation of Molybdenum Silicide by Composite Sputtering ) 대한전자공학회 학술대회 1992 7 0
Al-1%Si 과 Ti-Silicide의 반응성에 관한 연구 ( A Study on the Reaction of Al-1%Si with Ti-Silicide ) 대한전자공학회 학술대회 1992 4 0
불순물이 주입된 Poly-Si/Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior off Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities ) 전자공학회논문지-A 1991 15 0
Composite Target으로 증착된 Ti-Silicide의 형성 ( The Formation of Ti-Silicide Deposited With Composite Target ) 대한전자공학회 학술대회 1991 7 0
열처리에 따른 TiN Diffusion Barrier 에서의 Oxygen 거동에 관한 연구 ( Oxygen Behaviors During Heat Treatment of TiN Diffusion Barriers ) 대한전자공학회 학술대회 1991 6 0
Cross-Sectional Transmission Electron Microscopy ( XTEM ) 로 관찰한 ToN / Ti / Si Word-Line Contact의 열적 반응 ( Cross-Sectional Transmission Electron Microscopy Studies on TiN / Ti / Si Word-Line Contacts After Heat Treatments ) 대한전자공학회 학술대회 1991 2 0
Cleaning Technology의 최근 동향 전자공학회지 1991 4 0
불순물이 주입된 Poly-Si / Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior of Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities ) 대한전자공학회 학술대회 1991 3 0