| (재)대전테크노파크 고주파부품산업지원센터 |
전자공학회지 |
2010 |
30 |
0 |
| [소특집:광스위칭, 송수신 소자 기술]반도체 광 송수신 소자기술 및 동향 |
전자공학회지 |
2002 |
12 |
0 |
| 광통신용 반도체 광변조기 및 광변조기 집적 레이저 |
전자공학회지 |
1998 |
16 |
0 |
| 푸쉬풀 능동 정합 회로를 이용한 저잡음 증폭기의 설계 |
대한전자공학회 학술대회 |
1998 |
4 |
0 |
| A 3.0V Front-end Receiver GaAs MMIC for the CDMA / AMPS Dual Mode Cellular Phones |
대한전자공학회 학술대회 |
1998 |
1 |
0 |
| A 3V GaAs MESFET Monolithic Transmitter for Digital / Analog Dual-mode Hand-held Phones |
대한전자공학회 학술대회 |
1998 |
1 |
0 |
| Modulator integrated Distributed Feedback ( MIDFB ) laser Diode for High Speed Optical Fiber Transmission |
대한전자공학회 학술대회 |
1998 |
1 |
0 |
| 반도체레이저와 광검출기가 단일칩 집적된 양방향 통신용 광송수신 소자의 제작 |
대한전자공학회 학술대회 |
1998 |
0 |
0 |
| Sidelobe Suppression of Optical Filter Using Selective Area Growth |
대한전자공학회 학술대회 |
1998 |
0 |
0 |
| 10 - Gb/s 광통신시스템을 위한 GaAs Hbt ic 의 설계 및 제작 ( Design and Fabrication of GaAs HBT ICs for 10-Gb/s Optical Communication System ) |
전자공학회논문지-D |
1997 |
19 |
0 |
| GaAs HBT 를 이용한 10 Gbps 리미팅 앰프의 설계 및 제작 ( Design and Fabrication of 10 Gbps Limiting Amplifier Using an AlGaAs / GaAs HBT ) |
전자공학회논문지-D |
1997 |
17 |
0 |
| 광 검출기가 집적된 양방향 송수신기용 광집적회로 ( Photodiode Integrated Photonic Integrated Circuit ( PIC ) for Bidirectional Transceivers ) |
대한전자공학회 기타 간행물 |
1997 |
11 |
0 |
| 1.55mm 복소결합된 분포궤환형 반도체 레이저의 넓은 온도영역에서의 동작 특성 ( Wide-Temperature range Operation of 1.55mm Complex-Coupled dfb Lasers ) |
대한전자공학회 기타 간행물 |
1997 |
6 |
0 |
| GaAs Enhancement / Depletion Mode MESFETs for Low Power Consumption MMICs using Chemically Wet Etching Technique |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
4 |
0 |
| 18 GHz Bandwidth LD Driver IC Implemented with AlGaAs / GaAs HBTs |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
1 |
0 |
| 광섬유 증폭기용 고출력 980nm Al-free CaInAs / GaINAsP / GaInP GRIN-SCH-LD 제작 및 특성 |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
1 |
0 |
| Design of a 3.3V GaAs MESFET Monolithic Upconversion Resistive Mixer for PCS |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
1 |
0 |
| Fabrication and Characterization of 10Gb/s InGaAsP / InGaAsP MQW DFB Laser Diode |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
1 |
0 |
| 10Gbps Pre-Amplifier Implemented with AlGaAs / GaAs HBTs |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
0 |
0 |
| A Study on the Defects in In0.53 Ga0.47 As / In0.52 Al0.48 As / InP Epi-Structure |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
0 |
0 |
| Emitter Structure Dependence on the Performance of AlGaAs / GaAs HBTs |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
0 |
0 |
| Fabrication and Characterization of Semiconductor Optical Filter with Narrow Bandwidth |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
0 |
0 |
| Fabrication of 1.55um 2×2 InGaAsP / InP LD-Gate Optical Switch |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
0 |
0 |
| Fabrication of 155Mbps Optical Transmitter Module with Automatic Power Control Circuit by Controlling LD Modulation current |
대한전자공학회 학술대회 |
1997 |
0 |
0 |
| 광섬유 증폭기용 980㎚ 고출력 레이저의 구조에 따른 특성 비교 |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
6 |
0 |
| 위상변환 마스크 리소그래피에 의한 0.15 ㎛ T-형 게이트 형성방법 |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
4 |
0 |
| InAlAs / InGaAs / InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구 ( A Study on Ohmic Contacts of InAlAs / InGaAs / InP Pseudomorphic ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
4 |
0 |
| 위상변환 마스크 리소그래피에 의한 0.15μm T-형 게이트 형성방법 ( The Formantion of 0.15μm T-Shaped GAte By Phase Shift Mask Using A New Optical Lithograpic Technique ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
3 |
0 |
| 차단 주파수가 138㎓인 0.35㎛ InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성 |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
2 |
0 |
| MOVPE를 이용한 980㎚ 양자우물구조 고출력 레이저 제작 |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
2 |
0 |
| 차단 주파수가 138GHz인 0.35μm InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성 ( 0.35μm Gate InP Pseudomorphic HEMT with Cutoff Frequency of 138 GHz ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
1 |
0 |
| HBT의 오프셋 전압에 대한 이론적 고찰 |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
1 |
0 |
| HBT의 오프셋 전압에 대한 이론적 고찰 ( A Study on Collector-Emitter Offset Voltage in Heterojunction Bipolar Transistors ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
0 |
0 |
| MOVPE를 이용한 980nm 양자우물구조 고출력 레이저 제작 ( Fabrications of 98nm High Power Quantum Well LAser Diodes Using Metal Organic VApor Phase Epitaxy ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
0 |
0 |
| 응력완화 1,3μm GaInAsP/InP Uncooled-LD의 다중양자우물층과 SCH층 구조에 따른 동작 특성 ( The Operating Characteristics of Strain-Compensated 1.3μm GaInAsP/InP Uncooled-LD with the Structure of Multiple Quantum Well and Separate Confinement Heterostructure Layers ) |
전자공학회논문지-A |
1996 |
17 |
0 |
| N+ - InGaAs에 대한 AuGe / Ni / Au 오믹접촉 특성의 합금화열처리 의존성 ( Alloying Treatment Dependence of AuGe / Ni / Au Ohmic Contact to n+ - InGaAs ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
4 |
0 |
| Tensile Strain을 이용한 Electro-Absorption Modulator의 제작 및 특성분석 ( Fabrication and Characterization fo Tensile-Strained Electro-Absorption Modulator ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
3 |
0 |
| A 3.3V GaAs MESFET Monolithic Driver Amplifier for Digital / Analog Dual-Mode Hand-Held Phones |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
2 |
0 |
| Fabrication of InP / InGaAs Avalanche Photodiode Modules for 2.5Gbps Optical Communication |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
2 |
0 |
| InGaAs 흡수 회절 격자를 갖는 복소 결합형 DFB 레이저 다이오드의 이상 발진 현상 ( Abnormal Characteristics of Complex Coupled DFB-LD with InGaAs Absorptive Grating ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
2 |
0 |
| Two-Step 메사에칭 공정을 이용한 SI-PBH DFB-LD 의 제작 및 특성 분석 ( Fabrication and Characterization of SI-PBH DFB-LD Using Two-Step mesa Etching Process ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
2 |
0 |
| A 3.3V GaAs Power Amplifier for CDMA / AMPS Dual-Mode Cellular Phones |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
1 |
0 |
| Fabrication of Low Threshold Complex Coupled Laser Diode Using InGaAs Absorptive Grating |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
1 |
0 |
| 10Gbps LD Driver IC using AlGaAs / GaAs HBTs |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
0 |
0 |
| 10-GHz Bandwidth Limiting Amplifier using an AlGaAs / GaAs HBT |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
0 |
0 |
| 2 × 2 InGaAsP/ InP LD-Gate Optical Switch |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
0 |
0 |
| A 3.3V Front-end Receiver GaAs MMIC for the Digital / Analog Dual-Mode Hand-Held Phones |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
0 |
0 |
| A Novel Noise Model for GaAs MESFETs |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
0 |
0 |
| Design , Fabrication and Characterisation of 10Gbit/s Pre-Amplifier Using Heterojunction Bipolar Transistors |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
0 |
0 |
| T-Gate GaAs MESFET for High Power and High Frequency Application |
대한전자공학회 학술대회 |
1996 |
0 |
0 |
| 외부 광궤환에 의한 DFB-LD 모듈의 광송신 특성 변화 |
대한전자공학회 학술대회 |
1995 |
1 |
0 |
| 1.55μm DFB-Laser Diode를 위한 RIE를 이용한 회절 격자의 새로운 제작 방법 |
대한전자공학회 학술대회 |
1995 |
0 |
0 |
| 미해상회절 마스크 광리소그래피를 이용한 T-형 패턴 게이트 형성기술 |
대한전자공학회 학술대회 |
1995 |
0 |
0 |
| 1.55μm DFB-Laser Diode를 위한 RIE를 이용한 회절 격자의 새로운 제작 방법 ( A Novel Method of Grating Fabrication Using Reactive Ion Etching for 1.55 μm DFB-Laser Diode ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1995 |
3 |
0 |
| 미해상회절 마스크 광리소그레피를 이용한 T-형 패턴 게이트 형성기술 ( T-shaped Gate Metal Formation by using Optical Lithography Technique with Dummy Diffraction Mask ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1995 |
2 |
0 |
| 외부 광궤환에 의한 DFB-LD 모듈의 광송신 특성 변화 ( Effects of the External Feedback on the Optical Transmission Characteristics of DFB-LD Modules ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1995 |
1 |
0 |
| 플립 칩 본딩을 응용한 10Gbps 레이저 다디오드 모듈 |
대한전자공학회 학술대회 |
1995 |
1 |
0 |
| DFB LD 제작을 위한 Two-step 메사에칭 공정에 있어서의 Mesa Profile ( Mesa Profile in Two-step Mesa Etching Process for Distributed Feedback Laser Diodes Fabrication ) |
대한전자공학회 기타 간행물 |
1995 |
13 |
0 |
| 활성층과 장벽층에 따른 응력완화 다중 양자 우물 uncooled-LD의 동작 특성 ( The Operating Characteristics of Strain-compensated Multiple Quantum Well Uncooled-LD with Active and Barrier Layers ) |
대한전자공학회 기타 간행물 |
1995 |
7 |
0 |
| 지방 방출스펙트럼의 측정에 의한 1.55mm 다중양자우물 레이저 다이오드의 이득 및 선폭증가 계수의 분석 ( Gain and linewidth broadening factor of 1.55mm Multi-quantum-well laser-diode from spontaneous emission spectrum measurement ) |
대한전자공학회 기타 간행물 |
1995 |
4 |
0 |
| 가입자망을 위한 155Mbps 광송신모듈의 제작 및 특성측정 ( Fabrication and Characterization of 155Mbps Optical Transmitter Module for Subscriber Network ) |
대한전자공학회 기타 간행물 |
1995 |
0 |
0 |
| 반도체 기술 동향 |
전자공학회지 |
1991 |
97 |
0 |
| 이온빔 증착 텅스텐을 이용한 자기정렬 게이트 GaAs MESFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of Self Aligned Gate GaAs MESFETs Using Ion Beam Deposited Tungsten ) |
전자공학회논문지 |
1990 |
13 |
0 |
| 고온 급속열처리에 의한 이온빔 증착 W/GaAs의 구조 및 전기적 특성 ( Structural and Electrical Characteristics of Ion Beam Deposited Tungsten/GaAs by High Temperature Rapid Thermal Annealing ) |
전자공학회논문지 |
1990 |
17 |
0 |
| Design & Test for VHSIC Packaging |
대한전자공학회 워크샵 |
1990 |
7 |
0 |
| n형 GaAs의 RTA에 따른 Deep Trap 연구 ( Deep Trap in N-type GaAs by Rapid Thermal Annealing ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1990 |
3 |
0 |
| GaAs 기판위에 형성된 광여기 산화막의 물리적 특성 ( Physical Properties of Silicon Dioxide Film Deposited on GaAs by Photo Excitation ) |
전자공학회논문지 |
1989 |
8 |
0 |
| E / D MESFET의 임계전압 변동에 강한 GaAs 4K x 4bit SRAM ( A Design of GaAs 4K x 4bit SRAM with thr Increased Acceptable Variations of Threshold Voltage for E / D MESFETs ) |
특정연구 결과 발표회 논문집 |
1989 |
4 |
0 |
| Ni / AuGe / n-GaAs Ohmic 계의 항온 열처리중 Specific 접촉저항 변화 ( Specific Contact Resistance Change of a Ni / AuGe Ohmic System to n-GaAs during an Isothermal Alloying ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
4 |
0 |
| 1GHz SRAM 테스터 개발 ( 1GHz SRAM Tester Design ) |
특정연구 결과 발표회 논문집 |
1989 |
1 |
0 |
| GaAs 기판위에 형성된 광여기 산화막의 물리적 특성 |
대한전자공학회 학술대회 |
1989 |
0 |
0 |
| CVD oxide와 aluminum의 이온밀링 특성 ( Ion milling characteristics of CVD oxide and aluminum ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1988 |
1 |
0 |
| MMIC 및 digital IC 개발을 위한 분석기술 |
대한전자공학회 워크샵 |
1988 |
3 |
0 |
| GaAs MESFET 16×8 공간 스위칭 LSI ( GaAs MESFET 16×8 Space Switching LSI ) |
특정연구 결과 발표회 논문집 |
1988 |
9 |
0 |
| GaAs 모노리식 초고주파 직접회로 설계 및 평가 ( The GaAs MMIC Amplifier and Mixer Design ) |
특정연구 결과 발표회 논문집 |
1988 |
8 |
0 |
| MMIC 및 digital IC 개발을 위한 분석기술 |
대한전자공학회 워크샵 |
1988 |
8 |
0 |
| GaAs 4 : 1 MUX개발 ( Development of GaAs 4:1 MUX ) |
특정연구 결과 발표회 논문집 |
1988 |
4 |
0 |
| 급속 열처리 ( RTA ) 에 의한 실리콘 이온주입 갈륨 비소의 활성화 특성에 관한 연구 ( A study on the activation characteristics of silicon ion implanted GaAs by RTA ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1987 |
0 |
0 |
| 실리콘을 이온주입한 칼륨비소의 RTA에 의한 활성화 특성 ( Activation Characteristics of Si-Implanted GaAs by RTA ) |
특정연구 결과 발표회 논문집 |
1987 |
13 |
0 |
| 고 gm 을 위한 HEMT 설계 |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
0 |
0 |
| Tiw, A1/Tiw 박막의 저항특성및 annealing 효과 |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
5 |
0 |
| Trench isolation을 사용한 다이오드의 전기적 특성 |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
2 |
0 |
| TiW , AI / TiW 박막의 저항특성 및 annealing 효과 ( Sheet Resistance and Annealing Effects of Thin TiW , AI / TiW Films ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
8 |
0 |
| Trench isolation을 사용한 다이오드의 전기적 특성 ( The Electrical Characteristics of diode using trench isolation ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
6 |
0 |
| 고 gm을 위한 HEMT 설계 ( The design of HEMT for high gm ) |
대한전자공학회 학술대회 |
1986 |
0 |
0 |