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신창환 (Changhwan Shin)

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University of Seoul
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  • 공학 > 전자/정보통신공학 TOP 10%

저자의 논문 현황

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  • 논문수24
  • 발행기간2013 ~ 2018
  • 이용수926
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
Comparative Study of Negative Differential Capacitance in Ferroelectric Capacitors: P(VDF0.75-TrFE0.25) and P(VDF0.50-TrFE0.50) JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2018 20 0
Tapered Coating for Nano-electro-mechanical (NEM) Relay to Improve Energy-delay Product JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2018 18 0
Comparative Study of Negative Capacitance in Ferroelectric Capacitors JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2018 41 0
음의 정전용량 효과를 이용한 압전 소자 연구 대한전자공학회 학술대회 2017 31 0
Negative Differential Capacitance 효과를 활용한 FinFET 및 SOI 소자의 성능 향상 실험 연구 대한전자공학회 학술대회 2017 30 0
강유전체와 압전 물질의 병렬연결을 통한 압전 센서의 성능 향상 연구 대한전자공학회 학술대회 2017 17 0
Pb(Zr0.52Ti0.48)O₃ 선택 소자 구현 및 두께 변화에 따른 특성 분석 대한전자공학회 학술대회 2017 9 0
Study of Line Edge Roughness with/without Interface Traps in Stacked- Nanowire Field Effect Transistor 대한전자공학회 학술대회 2017 8 0
극단적 에너지절감형 초절전 미래 반도체소자 기술 개발 연구 대한전자공학회 학술대회 2016 65 0
위상학적 절연체 내 음의 양자 정전용량을 활용한 저전력 반도체 소자 구현에 관한 이론 연구 대한전자공학회 학술대회 2016 50 0
Atomic Layer Deposition of TiO₂ using Titanium Isopropoxide and H₂O JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2016 11 0
Impact of Trap Position on Random Telegraph Noise in a 70-Å Nanowire Field-Effect Transistor JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2016 7 0
Worst Case Sampling Method with Confidence Ellipse for Estimating the Impact of Random Variation on Static Random Access Memory (SRAM) JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2015 13 0
Highly Scalable NAND Flash Memory Cell Design Embracing Backside Charge Storage JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2015 14 0
Negative Capacitance Field-Effect Transistor의 온도별 특성 연구 대한전자공학회 학술대회 2014 74 0
High-κ/Metal-gate기술이 사용된 Germanium-source Tunnel Field-Effect Transistor의 Work-Function Variation에 관한 연구 대한전자공학회 학술대회 2014 22 0
Assistive Circuit for Lowering Minimum Operating Voltage and Balancing Read/Write Margins in an SRAM Array JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2014 16 0
Analysis of Random Variations and Variation-Robust Advanced Device Structures JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2014 58 0
Computing-Inexpensive Matrix Model for Estimating the Threshold Voltage Variation by Workfunction Variation in High-κ/Metal-gate MOSFETs JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2014 28 0
Monte Carlo Simulation Study: the effects of doublepatterning versus single-patterning on the line-edgeroughness (LER) in FDSOI Tri-gate MOSFETs JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2013 26 0
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