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조두형

소속기관
ETRI
소속부서
ICT소재부품연구소 융합부품기술센터
직급
연구원
ORCID
-
연구경력
-

주요 연구분야

  • 자연과학 > 물리학
  • 공학 > 전기/제어계측공학
  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 논문 현황

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  • 논문수16
  • 발행기간2012 ~ 2019
  • 이용수441
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
Boron 확산공정을 이용한 5,000V, 4인치 광 사이리스터의 제작 및 특성 평가 전력전자학회논문지 2019 8 0
4인치 광점호 Thyristor의 제조 및 특성 분석에 대한 연구 전력전자학회 학술대회 논문집 2019 9 0
금속 전극의 미세 패턴 구조 및 식각 측면 기울기 개선 반도체 공정 한국진공학회 학술발표회초록집 2019 32 0
전력반도체소자의 애벌런치 에너지 및 역회복시간 분석을 위한 VHDL 설계 대한전자공학회 학술대회 2017 15 0
전력소자의 애벌런치 에너지 분석을 위한 FPGA 설계 대한전자공학회 학술대회 2017 14 0
MOS 구조를 이용한 Power Rectifier 제작 및 특성분석 연구 대한전자공학회 학술대회 2017 13 0
낮은 트리거 전압 기술을 이용한 MOSFET 기반 ESD 보호회로의 특성 비교에 관한 연구 대한전자공학회 학술대회 2016 26 0
PNP 달링톤 구조를 이용한 GSTNMOS ESD 보호회로에 관한 연구 대한전자공학회 학술대회 2016 10 0
4H-SiC Schottky Barrier Diode Using Double-Field-Plate Technique 전자공학회논문지 2016 69 0
문턱전압 조절 이온주입에 따른 MCT(MOS Controlled Thyristor)의 스위칭 특성 연구 전자공학회논문지 2016 71 0
4H-SiC 소자의 JTE 구조 및 설계 조건 변화에 따른 항복전압 분석 전기전자학회논문지 2015 35 0
1700V급 4H-SiC 쇼트키 다이오드를 위한 Edge Termination (Single/Double Zone JTE)의 항복전압 특성 대한전자공학회 학술대회 2015 44 0
Schottky Body Diode를 집적하여 향상된 Reverse Recovery 특성을 가지는 50V Power MOSFET 전기전자학회논문지 2015 36 0
A Novel Structure for the Improved Switching Time of 50V Class Vertical Power MOSFET 전기전자학회논문지 2015 0 0
Gate 전하를 감소시키기 위해 Separate Gate Technique을 이용한 Trench Power MOSFET 전기전자학회논문지 2012 18 0
Dual-Material-Gate Technique을 이용하여 On-resistance와 Breakdown Voltage를 향상시킨 Super-Junction MOSFET 대한전자공학회 학술대회 2012 41 0