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김민휘 (Min-Hwi Kim)

소속기관
서울대학교
소속부서
전기정보공학부
직급
-
ORCID
-
연구경력
-

주요 연구분야

  • 자연과학 > 물리학
  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 연구 키워드

저자가 작성한 논문들의 주요 키워드입니다.

저자의 연구 키워드
#nitride
#nonvolatile memory
#reset current reduction
#resistive switching
#RRAM
#Si bottom electrode
#Si₃N₄
#structural effects
#synapse device

저자의 논문 현황

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  • 논문수13
  • 발행기간2013 ~ 2018
  • 이용수496
  • 피인용수0

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게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
실리콘 질화막 기반 저항 변화 메모리의 전압 의존적 저항 변화 특성 모델링 대한전자공학회 학술대회 2018 22 0
Reset Current Reduction for RRAM with Si Bottom Electrode 대한전자공학회 학술대회 2017 16 0
Si₃N₄ 및 SiO₂ 이중층 절연막 기반 저항 변화 메모리 구동에 compliance 전류가 미치는 영향 대한전자공학회 학술대회 2016 36 0
Dopant concentration dependent resistive switching characteristics in silicon nitride-based memory devices 한국진공학회 학술발표회초록집 2016 10 0
Effect of si bottom electrode on resistive switching characteristics for Si-compatible 3D vertical memory 한국진공학회 학술발표회초록집 2016 5 0
CMOS 호환 가능한 Si₃N₄ 기반 저항 변화 메모리의 점진적 저항 변화 특성 분석 대한전자공학회 학술대회 2016 42 0
저전력 동작을 위한 실리콘 나이트라이드 기반의 저항 변화 메모리 소자에서 forming 전압이 미치는 효과 대한전자공학회 학술대회 2016 32 0
실리콘 산화막 기반의 저항변화메모리 대한전자공학회 학술대회 2015 24 0
시뮬레이션을 통한 RRAM crossbar array의 구현과 read margin 및 전력 소모 개선 방안 연구 대한전자공학회 학술대회 2015 102 0
Nitride-Based RRAM Devices for Various Applications ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications 2015 49 0
대용량 메모리 어레이 시뮬레이션을 위한 양극성 저항 변화 메모리 회로 모델링 대한전자공학회 학술대회 2015 46 0
Structural Effects on Unipolar Resistive Switching Behaviors in Oxide-Based RRAM for High-Density and Low-Power Applicaions ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications 2015 23 0
에어갭의 도입을 통한 낸드 플래시 메모리의 셀 간 간섭의 완화 대한전자공학회 학술대회 2013 89 0