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  • 공학 > 전자/정보통신공학

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  • 논문수11
  • 발행기간1996 ~ 1998
  • 이용수65
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
InGaAsP / InP 다중양자우물의 서로섞임에서 확산계수의 결정 ( Determination of the Diffusion coefficient in InGaAsP / InP Multi-Quantum-Well Intermixing ) 한국통신학회 광전자공학 학술회의 1998 11 0
다중양자우물 구조의 Impurity Free Vacancy Diffusion ( IFVD ) 에 의한 Band Gap Energy Tuning의 소자집적을 위한 지역 선택성 조사 및 그 응용 ( Band Gap Energy Tuning of the Multi Quantum Well by Impurity Free Vacancy Diffusion and its Area Selectivity for the Intergration of the Devices and its Application ) 한국통신학회 광전자공학 학술회의 1998 5 0
다중양자우물 구조의 Impurity Free Vacancy Diffusion ( IFVD ) 에 의한 Band Gap Energy Tuning의 소자집적을 위한 지역 선택성 조사 및 그 응용 ( Band Gap Energy Tuning of the Multi Quantum Well By Impurity Free Vacancy Diffusion and its Area Selectivity for the Integration of the Devices and its Application ) 대한전자공학회 학술대회 1998 3 0
패턴된 SiO2막을 이용한 불순물 없는 Vacancy 확산에 의한 INGaAs / InGaAsP 다중양자우물에서의 서로 섞임현상 ( Quantum-Well Intermixing in InGaAs/InGaAsP Multi-Quantum-Well by Impurity-Free Vacancy Diffusion using Patterned SiO2 Film ) 대한전자공학회 학술대회 1998 2 0
InGaAsP / InP 다중양자우물의 서로섞임에서 확산계수의 결정 ( Determination of the Diffusion Coefficient in InGaAsP / InP Multi-Quantum-Well Intermixing ) 대한전자공학회 학술대회 1998 2 0
이온 주입의 전기적 고립을 통한 평면형 다중 양자 우물 구조의 애벌런치 & pn 및 p - i - n 광 다이오드의 제작 및 전기적 특성 ( The Fabrication and Electrical Characteristics of Planar Multi - Quantum Well ( MQW ) Avalanche , MQW - pn , and p - i - n Photodiode Implanted with Oxygen for Electrical Isolation ) 전자공학회논문지-D 1997 23 0
Oxygen 이온주입에 의한 평면형 MQW , p-i-n 광 다이오드의 전기적 고립 ( The Electrical Isolation of Planar MQW & p-i-n Photodiode by Oxygen Ion Implantation ) 한국통신학회 광전자공학 학술회의 1997 8 0
얕은 이온 주입을 이용한 IFVD방법에 의한 InGaAs / InP Multi-Quantum Well Bandgap Tuning과 이를 이용한 편광 분리기 ( Bandgap Tuning of InGaAs / InP Multi-Quantum Well Structure by IFVD Using Shallow P-Implantation and Polarization Separator ) 한국통신학회 광전자공학 학술회의 1997 6 0
얕은 이온 주입을 이용한 IFVD 방법에 의한 InGaAs / InP Multi-Quantum Well Bandgap Tuning 과 이를 이용한 편광 분리기 ( Bandgap Tuning of InGaAs / InP Multi-Quantum Well Structure by IFVD Using Shallow P-Implantation and Polarization Separator ) 대한전자공학회 학술대회 1997 2 0
Oxygen 이온주입에 의한 평면형 MQW , p-i-n 광 다이오드의 전기적 고립 ( The Electrical Isolation of Planar MQW & p-i-n Photodiode by Oxygen Ion Implantation ) 대한전자공학회 학술대회 1997 1 0
Fabrication of InGaAs / InP Junction FET using Alloyed Metal Junction 대한전자공학회 학술대회 1996 2 0