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이창명 (Chang Myung Lee)

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한국진공학회
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주요 연구분야

  • 자연과학 > 물리학

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  • 논문수19
  • 발행기간1997 ~ 2007
  • 이용수322
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
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게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
Electron Tunneling 구조를 갖는 InGaN/GaN MQW LED의 특성 한국진공학회 학술발표회초록집 2007 96 0
Bandgap Engineering of self - assembled InAs quantum dots with a thin AlAs barrier 한국진공학회 학술발표회초록집 2003 4 0
Optical properties of vertically coupled InAs self - assembled quantum dots 한국진공학회 학술발표회초록집 2003 3 0
Droplet epitaxy 방법에 의해 성장된 GaAs 양자점의 광학적 특성 한국진공학회 학술발표회초록집 2002 4 0
GaAs / AlGaAs 양자세선의 전자기적 특성 Applied Science and Convergence Technology 2001 24 0
Droplet epitaxy 방법에 의해 성장된 InGaAs 양자점의 광학적 특성 한국진공학회 학술발표회초록집 2001 3 0
MOCVD로 성장한 Zn - doped InGaN의 광특성 연구 Applied Science and Convergence Technology 2001 50 0
Exciton Dynamics of GaAs / AlGaAs Quantum Wells Journal of Korean Vacuum Science & Technology 2000 13 0
A study on ohmic contact to p - type GaN 한국진공학회 학술발표회초록집 2000 24 0
A study on deep level defects of GaN by TSC 한국진공학회 학술발표회초록집 2000 20 0
The Characteristics of GaN by MBE with InxGa1-xN buffer layer 한국진공학회 학술발표회초록집 1999 12 0
Photoconductivity in Mg - doped p - type GaN by MBE 한국진공학회 학술발표회초록집 1999 4 0
MBE로 성장한 InGaN / GaN 양자우물 구조의 Photoconductivity 한국진공학회 학술발표회초록집 1998 11 0
Schottky diode characteristics on hydrogenated n - type GaN 한국진공학회 학술발표회초록집 1998 9 0
Photoconductivity study for GaN 한국진공학회 학술발표회초록집 1998 3 0
Characteristics of InGaN / GaN Quantum Well Structure Grown by MBE 한국진공학회 학술발표회초록집 1998 12 0
Thermally stable contact of Nickel Silicide between metal and GaN 한국진공학회 학술발표회초록집 1998 7 0
Nitridation effect of GaN epitaxial layer grown by MBE 한국진공학회 학술발표회초록집 1997 12 0
Mg flux 에 따른 P - type GaN 특성 변화 한국진공학회 학술발표회초록집 1997 11 0