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황찬국

소속기관
Pohang Accelerator Laboratory
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주요 연구분야

  • 자연과학 > 물리학
  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 논문 현황

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  • 논문수43
  • 발행기간1997 ~ 2020
  • 이용수449
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
주사 광전자 분광 현미경 (SPEM) : 나노 미터급 시료의 분석 연구법 한국진공학회 학술발표회초록집 2020 5 0
Low contact resistance in graphene-graphite system 한국진공학회 학술발표회초록집 2020 2 0
Upgrade of the 10D beamline in PLS2 for better ARPES performance 한국진공학회 학술발표회초록집 2020 2 0
Renovation of the 10D HRPES I beamline in Pohang Accelerator Laboratory 한국진공학회 학술발표회초록집 2019 5 0
Controlling the Electronic Structures of Two-Dimensional Materials for New Functionalities with Synchrotron Radiation based-Photoemission Spectroscopy 한국진공학회 학술발표회초록집 2018 11 0
[확대경] 건강한 가속기 사회를 위한 제언 진공이야기 2017 5 0
Rotated Domains in Chemical Vapor Deposition-grown Monolayer Graphene on Cu(111): An Angle-resolved Photoemission Study 한국진공학회 학술발표회초록집 2014 4 0
Si Nanostructure on Graphene 한국진공학회 학술발표회초록집 2014 3 0
Rotated Domains in Chemical Vapor Deposition-grown Monolayer Graphene on Cu(111) 한국진공학회 학술발표회초록집 2013 6 0
Angle-resolved Photoemission Study of Epitaxial Graphene on Cu(111) 한국진공학회 학술발표회초록집 2012 6 0
Patterning self-assembled pentacene nanolayer by EUV-induced 3-dimensional polymerization 한국진공학회 학술발표회초록집 2010 9 0
Photoemission study on the reactivity of organic molecules on chemically modified TiO2(001) surfaces 한국진공학회 학술발표회초록집 2010 9 0
Coverage Dependent Adsorption Configuration of Phenylalanine on Ge(100) 한국진공학회 학술발표회초록집 2010 6 0
6H-SiC(0001) 기판 위 성장된 epitaxial 그래핀과 Tetra(4-carboxyphenyl)porphine의 상호작용 및 그 기능성 한국진공학회 학술발표회초록집 2010 73 0
Investigation of adsorption structure for methionine on Ge(100) 한국진공학회 학술발표회초록집 2010 7 0
Characterization of functionalized silicon surfaces and graphenes using synchrotron radiation PES 한국진공학회 학술발표회초록집 2010 5 0
극자외선 간섭 리소그래피용 Transmission Grating 나노공정기술개발 한국통신학회 기타 간행물 2009 64 0
Pentacene as a Protection Layer of Graphene on 6H-SiC(0001) 한국진공학회 학술발표회초록집 2009 20 0
Structural and chemical separation of TaSiN thin film for using the electrode of PRAM device 한국진공학회 학술발표회초록집 2009 7 0
Bonding length change of N₂ molecule in Ge(100) by using the first-principle calculation 한국진공학회 학술발표회초록집 2009 5 0
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