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박경완

소속기관
University of Seoul
소속부서
Department of Physics
직급
교수
ORCID
-
연구경력
-

주요 연구분야

  • 자연과학 > 물리학
  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 논문 현황

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  • 논문수65
  • 발행기간1993 ~ 2019
  • 이용수530
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
Thermal annealing effect on nonvolatile memory characteristics of ZnO/SiOx multilayer ReRAM device and its endurance improvement depending on O₂-gas flow rate during deposition of intermediate ZnO layer 한국진공학회 학술발표회초록집 2019 3 0
Resistive Switching Effects of Zinc Silicate Thin Films grown by RF-magnetron co-sputtering method for Nonvolatile Memory Applications 한국진공학회 학술발표회초록집 2019 0 0
4차 산업 혁명에 대한 斷想 진공이야기 2019 7 0
Thermal annealing effect on nonvolatile memory characteristics of ZnO/SiOx multilayer ReRAM devices 한국진공학회 학술발표회초록집 2019 3 0
Resistive Switching Effects of Zinc Silicate Thin Films for Nonvolatile Memory Applications 한국진공학회 학술발표회초록집 2019 1 0
Properties of Resistive Switching in TiO₂ Nanocluster-SiOx(x<2) Matrix Structure JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2018 19 0
ZnO/SiOx 다층 구조 ReRAM 소자의 메모리 특성에 대한 열처리 효과 한국진공학회 학술발표회초록집 2018 14 0
Characteristics of Zinc Silicate-based resistive random access memory 한국진공학회 학술발표회초록집 2018 2 0
Characteristics of an asymmetric double barrier device using charging effects for nonvolatile memory application 한국진공학회 학술발표회초록집 2017 2 0
Properties of resistive switching in SiO₂/Si/TiO₂ structure by thermal annealing for non-volatile memory 한국진공학회 학술발표회초록집 2017 3 0
Effects of double-SiO₂ thin-layers insertion on bipolar resistive switching characteristics for nonvolatile memory application 한국진공학회 학술발표회초록집 2017 2 0
Thermoelectric properties of Silicon-based Ni/Ge mulilayer thermoelectric device 한국진공학회 학술발표회초록집 2017 1 0
실리콘 기반 물질의 광 방출 특성 한국진공학회 학술발표회초록집 2012 12 0
200℃의 저온에서 PECVD 기법으로 성장한 SiNx 박막의 열처리에 따른 광학적 특성 변화 규명 Applied Science and Convergence Technology 2011 1 0
Si 나노점 및 NiSi 나노 와이어를 이용한 전계방출 연구 한국진공학회 학술발표회초록집 2009 14 0
SiO₂/SiNx 터널 절연막의 적층에 따른 비휘발성 메모리 소자 응용 한국진공학회 학술발표회초록집 2009 6 0
Effect of triple stacked bandgap-engineered tunneling barrier with silicon-richsilicon- nitride layer as charge storage node in non-volatile memory applications 한국진공학회 학술발표회초록집 2009 3 0
쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 구조를 적용한 실리콘 나노점 부유 게이트 비휘발성 메모리 특성 Applied Science and Convergence Technology 2009 0 0
Effect of Filament Temperature, Processing Pressure and CH₄ gas on Silicon-Carbide Films at Low Temperatures by Cat-CVD 한국진공학회 학술발표회초록집 2009 6 0
실리콘 나노점을 부유게이트로 사용한 비휘발성 메모리에서 다중 관통막에 관한 연구 한국진공학회 학술발표회초록집 2009 5 0
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