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권대웅 (Dae Woong Kwon)

소속기관
Seoul National University
소속부서
Department of Electrical and Computer Engineering
직급
-
ORCID
-
연구경력
-

주요 연구분야

  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 논문 현황

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  • 논문수17
  • 발행기간2010 ~ 2017
  • 이용수644
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
Characterization of the Vertical Position of the Trapped Charge in Charge-trap Flash Memory JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2017 40 0
Si1-xGex Positive Feedback Field-effect Transistor with Steep Subthreshold Swing for Low-voltage Operation JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2017 15 0
Investigation of Feasibility of Tunneling Field Effect Transistor (TFET) as Highly Sensitive and Multi-sensing Biosensors JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2017 32 0
Investigation of Drain Current Transient Behavior by Step Gate Bias in Polysilicon Channel Device 대한전자공학회 학술대회 2017 10 0
시뮬레이션을 통한 TFET 소자에서의 Source-to-Gate Underlap/Overlap 길이에 따른 특성 변화 연구 대한전자공학회 학술대회 2016 82 0
시뮬레이션을 통한 Tunneling Field Effect Transistor의 온도와 트랩 분포에 따른 전류 전달 특성 분석 대한전자공학회 학술대회 2016 35 0
시뮬레이션을 통한 Double Gate Tunneling Field Effect Transistor의 최적화 연구 대한전자공학회 학술대회 2016 43 0
시뮬레이션을 통한 이중 게이트 Tunneling Field Effect Transistor의 Compact Modeling 대한전자공학회 학술대회 2016 12 0
양성 피드백을 이용한 낮은 문턱 전압 이하 스윙을 갖는 전계 효과 트랜지스터 구현 대한전자공학회 학술대회 2015 19 0
시뮬레이션을 통한 Silicon Germanium Tunnel Field Effect Transistor의 온도 특성 분석 대한전자공학회 학술대회 2015 7 0
터널링 전계효과 트랜지스터의 양극성 현상을 줄이기 위한 공정 방법 대한전자공학회 학술대회 2010 90 0
Dumbbell-shaped Nanowire with Body Contact Region for Three Dimensional (3D) NAND Flash Memory Application ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications 2010 106 0
Relationships of Resistive Switching Parameters of Resistive Random Access Memory (RRAM) for High Density and Low Power Application ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications 2010 64 0
두 개의 게이트와 함몰 채널을 가지는 1T DRAM Cell 대한전자공학회 학술대회 2010 47 0
Investigation of Current Degradation Induced by Silicide Source/Drain in the nanowire NAND Flash Memory 대한전자공학회 학술대회 2010 28 0
두 개의 게이트와 함몰 채널을 가지는 1T DRAM Cell 대한전자공학회 학술대회 2010 11 0
Investigation of Current Degradation Induced by Silicide Source/Drain in the nanowire NAND Flash Memory 대한전자공학회 학술대회 2010 3 0