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김장현 (Jang Hyun Kim)

소속기관
서울대학교
소속부서
전기정보공학부
직급
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ORCID
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연구경력
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주요 연구분야

  • 공학 > 전자/정보통신공학

저자의 논문 현황

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  • 논문수21
  • 발행기간2010 ~ 2016
  • 이용수805
  • 피인용수0

논문제목를 인용한 논문목록입니다.

  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
시뮬레이션을 통한 Double Gate Tunneling Field Effect Transistor의 최적화 연구 대한전자공학회 학술대회 2016 43 0
시뮬레이션을 통한 이중 게이트 Tunneling Field Effect Transistor의 Compact Modeling 대한전자공학회 학술대회 2016 12 0
시뮬레이션을 통한 Silicon Germanium Tunnel Field Effect Transistor의 온도 특성 분석 대한전자공학회 학술대회 2015 7 0
HDP CVD에서 공정 가스 유량 감소에 따른 D/S ratio의 변화에 의한 Gap-fil 특성 확인 대한전자공학회 학술대회 2015 103 0
PDA 처리에 따른 Al₂O₃ 박막의 interface trapped charge에 의한 hump 현상 감소에 관한 연구 대한전자공학회 학술대회 2015 25 0
Effects of Current Spreading in GaN-based Lightemitting Diodes Using ITO Spreading Pad JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2015 41 0
고리형식의 Gate를 가진 터널 전계효과 트랜지스터 대한전자공학회 학술대회 2014 26 0
Tunnel Field-Effect Transistor에서의 온도변화에 따른 높은 게이트 전압에서의 전류감소 현상분석 대한전자공학회 학술대회 2014 14 0
Schottky Barrier Tunnel Field-Effect Transistor using Spacer Technique JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2014 45 0
Reduction of Current Crowding in InGaN-based Blue Light-Emitting Diodes by Modifying Metal Contact Geometry JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2014 34 0
시뮬레이션을 통한 Tunneling Field Effect Transistor의 최적화 연구 대한전자공학회 학술대회 2014 121 0
수직형 터널링 전계효과 트랜지스터에서 Si Active 모양에 따른 전류변화에 관한 연구 대한전자공학회 학술대회 2013 24 0
비정상적인 I-V 특성을 보이는 GaN LED 소자에 대한 전기적, 광학적 분석 대한전자공학회 학술대회 2012 33 0
GaN 발광 다이오드의 ITO층 습식식각 공정에 따른 Cathodoluminescence 이미지 분석 대한전자공학회 학술대회 2012 31 0
비대칭 MOSFET 소자에서 gate oxide의 re-oxidation process의 공정방법 및 효과 대한전자공학회 학술대회 2012 18 0
GaN 발광 다이오드의 전류 포화 지연현상 분석 대한전자공학회 학술대회 2011 12 0
MIS Capacitance Model Structure을 이용한 HfInZnO Thin Film Transistors의 Capacitance-Voltage 특성분석 대한전자공학회 학술대회 2011 4 0
터널링 전계효과 트랜지스터의 양극성 현상을 줄이기 위한 공정 방법 대한전자공학회 학술대회 2010 90 0
Relationships of Resistive Switching Parameters of Resistive Random Access Memory (RRAM) for High Density and Low Power Application ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications 2010 64 0
두 개의 게이트와 함몰 채널을 가지는 1T DRAM Cell 대한전자공학회 학술대회 2010 47 0
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