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강명곤 (Myounggon Kang)

소속기관
한국교통대학교
소속부서
전자공학과
직급
부교수
ORCID
-
연구경력
-

주요 연구분야

  • 자연과학 > 물리학
  • 공학 > 전자/정보통신공학
  • 공학 > 화학/생물공학

저자의 논문 현황

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  • 논문수27
  • 발행기간2005 ~ 2020
  • 이용수479
  • 피인용수0

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  • 피인용 논문 제목
    • 피인용 논문 저자
게시판 목록
논문명 저널명 발행연도 이용수 피인용수
3 nm Node Nanoplate-FET에서 Self-heating Effect의 완화 방법 전자공학회논문지 2020 5 0
3D NAND Flash Memory의 Word Line 수에 따른 Down Coupling Phenomenon에 대한 Natural Local Self-Boosting 연구 대한전자공학회 학술대회 2019 6 0
FinFET의 Fin Width와 Height에 따른 TID Effect 대한전자공학회 학술대회 2019 5 0
Total Ionizing Dose effect에 따른 Inverter 회로의 동작특성 분석 대한전자공학회 학술대회 2019 3 0
3D TCAD를 이용한 3-㎚ node 나노 플레이트 소자에서의 OFF-State Stress 분석 전자공학회논문지 2019 20 0
TID Effect에 따른 FinFET 소자의 특성 분석 대한전자공학회 학술대회 2019 28 0
3D NAND Flash Memory 의 단수에 따른 NLSB 효과 분석 대한전자공학회 학술대회 2019 22 0
3D NAND Flash Memory 의 Cell Patterns 에 따른 Down Coupling Phenomenon 연구 대한전자공학회 학술대회 2019 21 0
3D NAND Flash Memory에서의 Hot Carrier Injection(HCI) 현상 분석 대한전자공학회 학술대회 2018 37 0
Synthesis of Conjugated Polymers with Different Branching Positions of the Alkyl Side Chain in OFETs 한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집 2018 3 0
Analysis of Self Heating Effect(SHE) according to Buried Oxide Thickness in SOI Nanowire FET JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2017 22 0
Analysis and Comparison of Intrinsic Characteristics for Single and Multi-channel Nanoplate Vertical FET Devices JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2017 19 0
Dummy WL을 이용하여 Sub-Block Erase 동작이 가능한 NAND Flash Memory 대한전자공학회 학술대회 2017 26 0
SOI Nanowire FET에서 Insulator 두께에 따른 Self Heating 효과 분석 대한전자공학회 학술대회 2016 54 0
Nanowire FET에서 채널과 기판 사이 산화막 두께와 도핑에 따른 GIDL 분석 대한전자공학회 학술대회 2016 40 0
Intrinsic Gate Delay를 고려한 Nanowire-FET에서의 채널 간 간격 분석 대한전자공학회 학술대회 2016 21 0
수직 구조 나노와이어 펫의 구조적 특징에 따른 기생 커패시턴스 성분 및 RC 지연 분석 대한전자공학회 학술대회 2016 18 0
Analysis of on current-boosting and hot carrier degradation considering trenched source/drain in 5nm node stacked nanowire FET 한국진공학회 학술발표회초록집 2016 9 0
Analysis on self heating effect on trench structure in 5 nm node 3D stacked nanowire FET 한국진공학회 학술발표회초록집 2016 5 0
Design guideline for 5 nm node nanowire FET considering parasitic resistance and capacitance 한국진공학회 학술발표회초록집 2016 5 0
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