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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1995.11
- 수록면
- 1,054 - 1,057 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (7)
1994
p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설(GIDL) 전류의 효과
정연식
,
임재우
,
이용재
대한전자공학회 학술대회
1994.07
학술대회자료
p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류의 효과 ( The Effect of Gate-Induced Drain Leakage ( GIDL ) Current with On-state stress in p-MOSFETs )
정연식
,
임재우
,
이용재
대한전자공학회 학술대회
1994.07
학술대회자료
동작-스트레스에 의한 p-MOSFET에서 핫-캐리어 효과
정연식
,
권상수
,
임재우
외 1명
한국통신학회 학술대회논문집
1994.07
학술대회자료
산화막 변화에 의한 p-MOSFET에서 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류 ( GIDL Current Effects in p-MOSFET's by gate oxide variation )
정연식
,
이용재
대한전자공학회 학술대회
1994.01
학술대회자료
드레인 전압변화 스트레스에 의한 P-MOSFET의 열화 특성 ( Degradation Characteristics of p-MOSFET's by Various Drain Voltage stress )
정연식
,
권상수
,
이용재
대한전자공학회 학술대회
1994.01
학술대회자료
동작-스트레스에 의한 P-Mosfet에서 핫-캐리어 효과 ( Hot-Carrier Effects in P-MOSFET's by on-Stress )
정연식
,
권상수
,
임재우
외 1명
한국통신학회 학술대회논문집
1994.01
학술대회자료
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모스 트랜지스터에서 드레인-게이트 중첩영역의 게이트-유기-드레인-누설(GIDL) 전류 열화
대한전자공학회 학술대회
1995 .12
-
모스 트랜지스터에서 드레인-게이트 중첩영역의 게이트-유기-드레인-누설 ( GIDL ) 전류 열화 ( Gate-Induced-Drain-Leakage ( GIDL ) Current Degradations of Drain-gate Overlap Region in MOSFET's )
대한전자공학회 학술대회
1995 .11
-
p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설(GIDL) 전류의 효과
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류의 효과 ( The Effect of Gate-Induced Drain Leakage ( GIDL ) Current with On-state stress in p-MOSFETs )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
피-모스 트랜지스터에서 교류 스트레스에 의한 주파수 변화의 열화특성
대한전자공학회 학술대회
1995 .06
-
피 모스 트랜지스터에 교류 스트레스에 의한 주파수 변화의 열화특성 ( Degradation Characteristics of Frequency Variations by AC Stress at p-MOS Transistor )
대한전자공학회 학술대회
1995 .07
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The Characteristics of LLLC in Ultra Thin Silicon Oxides
전자공학회논문지
2013 .08
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나노 구조에서 실리콘 산화 절연막의 스트레스 유기 누설전류
전자공학회논문지-IE
2002 .12
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실리콘 산화막의 전류 특성
전기전자재료학회논문지
2016 .01
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플래쉬 EEPROM을 위한 실리콘 산화막의 스트레스 유기 누설전류
전자공학회논문지-IE
2001 .12
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게이트 정전류 스트레스
대한전기학회 학술대회 논문집
2018 .10
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NDRD 방식의 강유전체-게이트 MFSFET 소자의 특성
전자공학회논문지-SD
2003 .01
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양극성 이중 독립 게이트 실리콘 나노와이어 전계 효과 트랜지스터 설계
한국정보통신학회논문지
2015 .12
-
Gate-Induced Drain Leakage를 줄인 새로운 구조의 고성능 Elevated Source Drain MOSFET에 관한 분석 ( Analysis of a Novel Elevated Source Drain MOSFET with Reduced Gate-Induced Drain Leakage and High Driving Capability )
전자공학회논문지-SD
2001 .06
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시뮬레이션을 통한 게이트-소스/드레인 간 Overlap 길이에 따른 GAA FET의 Extension 저항 추출 및 분석
대한전자공학회 학술대회
2018 .06
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MOST 드레인 전류의 제곱특성을 이용한 4-상한 MOS 아날로그 곱셈기 ( An MOS Four-Quadrant Analog Multiplier Using the Square-Law of MOST Drain Current )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
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누설전류억제 SRAM을 위한 Power Gating 회로 연구
대한전자공학회 학술대회
2006 .11
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열처리 후 가해진 스트레스가 산화막 누설전류에 미치는 영향 ( Effects of re-stress after anneal on oxide leakage )
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
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대기상태인 논리 회로에서의 누설전류 최소화 입력 탐색 방법
전자공학회논문지-SD
2009 .10
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0.3 um급 Inverse-T Gate 모스와 LDD모스의 전류구동력 및 신뢰성 특성 비교 ( Characterization of Current Drivability and Reliability of 0.3 um Inverse T-Gate MOS Compared with Those of Conventional LDD MOS )
전자공학회논문지-A
1993 .08
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