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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2002.4
- 수록면
- 1 - 9 (9page)
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DRAM에서 셀 파라메터들의 확률 분포를 고려하여 데이터 보유 시간에 대한 분포 특성을 계산하였다. 셀 파라메터와 셀 내부 전압의 과도 특성으로부터 데이터 보유 시간의 식을 유도하였다. 접합 공핍 영역에서 발생하는 누설 전류의 분포 특성은 재결합 트랩의 에너지 분포로, 셀 캐패시턴스 분포 특성은 유전체 성장에서 표면 반응 에너지의 분포 특성으로, 그리고 sense amplifer의 감도를 각각의 독립적인 확률 변수로 보고, monte carlo 시뮬레이션을 이용하여, 셀 파라메터 값들의 확률적 분포와, DRAM 셀들의 데이터 보유 시간에 대하여cumulative failure bit의 분포함수를 계산하였다. 특히 sense amplifier의 감도 특성이 데이터 보유 시간 분포의 tail bit에 상당히 영향을 미침을 보였다.
목차
Ⅰ. 서 론
Ⅱ. DRAM의 데이터 retention time.
Ⅲ. 셀 파라메터의 분포함수
Ⅴ. 시뮬레이션 결과
Ⅵ. 결 론
참고문헌
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