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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제8호
발행연도
2004.8
수록면
705 - 710 (6page)

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SRAM에서 쓰기 전력을 줄이기 위하여 소스 전압을 높인 메모리 셀을 이용한 저전력 SRAM을 제안하였다. 메모리 셀의 소스 전압을 GND 에서 V_T로 올리고 비트라인과 데이터버스의 프리차지 전압을 V_DD에서 V_DD-V_T로 낮춤으로써 비트라인과 데이터버스의 스윙 전압을 줄였다. 이것은 면적의 증가와 속도 감소 없이 SRAM의 쓰기 전력을 크게 줄여준다. 8K×32 비트의 SRAM 이 0.25um CMOS 공정으로 제작되었다. 제작된 SRAM은 25V 전원과 300MHz 동작 주파수에서 쓰기 동작의 소모전력을 45% 줄였고, 최대 동작 주파수는 330MHz였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. ESLC-SRAM의 구조

3. 칩제작 및 실험 결과

4. 결론

참고문헌

저자소개

참고문헌 (4)

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