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Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
후기
참고문헌
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SiH₄-H₂계에서 유체유동이 Si의 화학증착에 미치는 영향
한국표면공학회지
1990 .09
$SiH_4$ 환원에 의한 Selective CVD-W막 특성에 대한 증착시간과 압력의 효과
한국재료학회지
1991 .01
SiH4 / WF6 변화에 따른 플라즈마 화학증착 텅스텐의 플라즈마 분광분석 ( II ) ( Plasma Emission Spectroscopy of Plasma Enhanced CVD-W Deposition with the Variations of SiH4 / WF6 Ratio )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
증착 압력이 a-Si:H막의 전도도와 광학적 특성에 미치는 영향
공업화학
1999 .01
SiH₄ 가스의 에너지 분포함수 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
텅스텐 플러그 CVD 공정에서 SiH4 Soak의 영향
전기전자재료학회논문지
2003 .01
화학 증착법에 의한 텅스텐 박막 ( CVD-W )
전자공학회지
1988 .08
기상화학증착 텅스텐 막질의 표면 형태에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2008 .06
플라즈마 화학증착법 및 진공 화학 증착법에 의한 텅스텐 박막의 특성 비교 ( I ) ( Characteristic Comparison of Plasma Enhanced CVD and Vacuum CVD Tungsten Thin Films )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
산화규소 표면위에서 $WF_6-SiH_4$ 화학증착에 의한 텅스텐 핵의 생성
한국재료학회지
1992 .01
SiH₄ 플라즈마중의 전자수송특성 해석
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .11
SiH4/H2 혼합기체를 multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2012 .07
플라즈마 화학증착 텅스텐 박막 특성에 미치는 표면 반응온도의 영향 ( Effects of Surface Reaction Temperature on the Properties of Plasma Enhanced CVD Tungsten Thin Films )
대한전자공학회 학술대회
1990 .07
SiH4/NH3/N2 및 SiH4/NH3/Ar 유량비율이 PECVD SiNx : H 박막의 특성에 미치는 영향 ( Effect of Flow Rate Ratios of SiH4/NH3/N2 and SiH4/NH3/Ar on the Properties of PECVD SiNx : H Films )
전자공학회논문지
1988 .05
SiH₄-Ar혼합기체의 전자분포함수 해석
전기학회논문지 P
2004 .06
SiH₄+Ar혼합기체의 전자군 파라미터 해석
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .06
사일린 환원반응에 의한 텅스텐 박막의 화학증착 ( Chemical Vapor Deposition of Tungsten by Silane Reduction )
전자공학회논문지
1990 .10
SiH4 를 사용한 광화학기상증착법에 의한 에피 실리콘 저온 성장
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
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