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- 학술저널
- 한국통신학회
- 한국통신학회논문지
- 한국통신학회논문지 제34권 제9호(통신이론 및 시스템)
- 2009.09
- 880 - 886 (7 pages)
- KCI등재
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-567-018855539
초록
메모리는 최근 많은 전자제품에 이용되면서 많은 연구자들이 메모리에 대한 연구를 진행하고 있다. 그중, 단위면적당 저장용량을 증가하기 위한 많은 연구들이 진행되고 있는데, 단위 면적당 저장용량을 증가하기 위하여 메모리의 공정의 크기를 줄이는 연구 뿐 아니라, 최근에는 한 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장 할 수 있는 멀티 레벨 셀 메모리의 연구가 진행되고 있다. 하지만, 한 셀에 멀티 비트를 저장하게 되면서 다양한 오류들로 인하여 저장된 데이터를 정확히 읽는 데 어려움이 많다. 본 논문에서는 멀티 레벨 셀 메모리의 오류의 요인을 분석하고 그에 대한 멀티 레벨 셀 메모리의 채널을 모델링 하였다.
Recently, the memory is used in many electronic devices, thus, the many researchers make a study of the memory. To increase a storage capacity per memory block, the researchers study for reducing the fabrication process of memory and multi-level cell memory which is storing more than 2-bits in a cell. However, the multi-level cell memory has low bit-error rates by various noises. In this paper, we study the noise of multi-level cell memory, and we propose the channel model of multi-level cell memory.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 멀티 레벨 셀 메모리 채널
Ⅲ. 시뮬레이션을 위한 멀티 레벨 셀 메모리의 채널 모델링
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌(19)
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