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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 80 - 86 (7page)
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본 논문은 게이트 채널 길이 0.13 [㎛]의 p-MOS 트랜지스터에서 음 바이어스 온도 불안정(NBTI) 전류 스트레스 인가에 의한 게이트유기 드레인 누설(GIDL) 전류를 측정 분석하였다. NBTI 스트레스에 의한 문턱전압의 변화와 문턱전압아래 기울기와 드레인 전류 사이에 상관관계로부터, 소자의 특성 변화의 결과로 열화에 대한 중요한 메카니즘이 계면 상태의 생성과 관련이 있다는 것을 분석하였다. GIDL 전류의 측정 결과로부터, NBTI 스트레스에 기인한 계면상태에서 전자-정공 쌍의 생성이 GIDL 전류의 증가의 결과를 도출하였다.
이런 결과로 부터, 초박막 게이트 산화막 소자에서 NBTI 스트레스 후에 증가된 GIDL 전류를 고려해야만 한다. 또한, 동시에 신뢰성 특성과 직류 소자 성능의 고려가 나노 크기의 CMOS 통신회로 설계의 스트레스 파라미터들에서 반드시 있어야 한다.
이런 결과로 부터, 초박막 게이트 산화막 소자에서 NBTI 스트레스 후에 증가된 GIDL 전류를 고려해야만 한다. 또한, 동시에 신뢰성 특성과 직류 소자 성능의 고려가 나노 크기의 CMOS 통신회로 설계의 스트레스 파라미터들에서 반드시 있어야 한다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작
Ⅲ. 측정 및 결과 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - H. Hwang / 2009 / Contribution of Interface States and Oxide Traps to the Negative Bias Temperature Instability of High-k pMOSFETs / IEEE EDL 30 (3) : 291 ~ 293
2. [학술지(정기간행물)] - S. J. Lin / 2009 / Gate-Induced Drain Leakage(GIDL)Improvement for Millisecond Flash Anneal(MFLA)in DRAM Application / IEEE Trans. Electron Devices 56 (8) : 1608 ~ 1617
3. [학술지(정기간행물)] - M. Gurfinkel / 2006 / Enhanced Gate Induced Drain Leakage current in HfO2 MOSFETs due to remote interface trapassisted tunneling / in IEDM Tech. Dig. : 14 ~ 16
4. [학술지(정기간행물)] - Ali Khakifiroo / 2008 / MOSFET Performance Scaling-Part II:Future Directions / IEEE Trans. Electron Devices 55 (6) : 1401 ~ 1408
5. [학술지(정기간행물)] - I.S. Han / 2008 / New Observation of Mobility and Reliability Dependance on Mechanical Film Stress in Strained Silicon CMOSFETs / IEEE Trans. on ED 55 (6) : 1352 ~ 1358
2. [학술지(정기간행물)] - S. J. Lin / 2009 / Gate-Induced Drain Leakage(GIDL)Improvement for Millisecond Flash Anneal(MFLA)in DRAM Application / IEEE Trans. Electron Devices 56 (8) : 1608 ~ 1617
3. [학술지(정기간행물)] - M. Gurfinkel / 2006 / Enhanced Gate Induced Drain Leakage current in HfO2 MOSFETs due to remote interface trapassisted tunneling / in IEDM Tech. Dig. : 14 ~ 16
4. [학술지(정기간행물)] - Ali Khakifiroo / 2008 / MOSFET Performance Scaling-Part II:Future Directions / IEEE Trans. Electron Devices 55 (6) : 1401 ~ 1408
5. [학술지(정기간행물)] - I.S. Han / 2008 / New Observation of Mobility and Reliability Dependance on Mechanical Film Stress in Strained Silicon CMOSFETs / IEEE Trans. on ED 55 (6) : 1352 ~ 1358
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