메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
장성준 (여주대학) 홍성희 (여주대학) 이재기 (가천의과학대학교)
저널정보
한국통신학회 한국통신학회논문지 한국통신학회논문지 제34권 제12호(통신산업응용)
발행연도
2009.12
수록면
389 - 394 (6page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
실리콘 박막 두께가 1㎚-10㎚인 초박막 SOI pMOSFET를 제작하여 실리콘 박막 두께와 결정면에 따른 NBTI(Negative Bias Temperature Instability)와 hot carrier에 의한 소자 신뢰성을 측정 분석하였다. 박막의 두께가 얇을수록 NBTI에 의한 소자열화가 적게 되는 것을 알 수 있었다. 실리콘 박막의 두께에 따른 hot carrier 소자열화를 측정 분석한 결과 실리콘의 박막의 두께가 얇을수록 소자열화가 많이 됨을 알 수 있었다.

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작 및 측정
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (0)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2010-567-002528660