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이용수
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작 및 측정
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
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고온에서 PD-SOI PMOSFET의 소자열화
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
Hot carrier 및 NBTI 에 의한 P채널 MuGFET 소자열화
대한전자공학회 학술대회
2010 .10
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( I ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( I ) )
전자공학회논문지-A
1993 .08
NBTI 조건에서 양자 효과가 고려된 Si-SiO₂ 계면 트랩 형성모델을 사용한 pMOSFET 소자 열화 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
2009 .07
양 방향 Hot Carrier 스트레스에 의한 PMOSFET 노쇠화 ( PMOSFET Degradation due to Bidirectional Hot Carrier Stress )
전자공학회논문지-A
1995 .06
NBTI 조건에서 양자 효과가 고려된 Si-SiO₂ 계면 트랩 형성모델을 사용한 pMOSFET 소자 열화 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
2009 .07
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of PMOSFET Under AC Stress )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )
전자공학회논문지-A
1993 .09
p+ 다결정 실리콘 게이트를 갖는 p채널 MOSFET의 hot carrier 효과 ( Hot carrier effects of PMOSFET with p+ polysilicon gate )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
Strained-Si PMOSFET에서 디지털 및 아날로그 성능의 캐리어 방향성에 대한 의존성
전자공학회논문지-SD
2010 .08
PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
전자공학회논문지-SD
2004 .07
직류 및 교류스트레스 조건에서 발생된 Hot-Carrier가 PMOSFET의 누설전류에 미치는 영향 ( Hot-Carrier Induced GIDL Characteristics of PMOSFETs under DC and Dynamic Stress )
전자공학회논문지-A
1993 .12
0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )
한국통신학회논문지
1998 .11
Hot Carrier Stress로 인한 SOI MOSFET의 전력 성능 저하
전자공학회논문지-IE
2008 .12
δ 도핑된 Si0.8Ge0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
Deep Submicrometer PMOSFET의 Hot Carrier 현상과 소자 노쇠화 ( Hot Carrier Effects and Device Degradation in Deep Submicrometer PMOSFET )
전자공학회논문지-A
1996 .04
BF2 이온 주입된 P 다결정실리콘 게이트 PMOSFET의 Hot-Carrier 효과 ( Hot-Carrier Effect of BF2 Implanted p Polysilicon Gate PMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1991 .01
Hot-Carrier 스트레스에 의하여 발생된 계면상태가 PMOSFET의 밴드간 터널링 전류에 미치는 영향 ( The Effect of Interface State ( Nit ) Generated by Hot-Carrier Stress on GIDL Current of PMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
얇은 박막 SOI(Silicon-On-Insulator) MOSFET에서의 소자 변수 추출 방법
대한전기학회 학술대회 논문집
1992 .07
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