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저자정보
이학주 (한국과학기술연구원) 전형탁 (한양대학교) 백영준 (한국과학기술연구원) 이욱성 (한국과학기술연구원)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회 학술발표회 초록집 한국표면공학회 2010년도 추계학술대회 및 한일 국제 심포지엄
발행연도
2010.11
수록면
30 - 31 (2page)

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DC-PACVD를 이용하여 4-in Si wafer에 두께 및 표면 roughness가 균일하고, 매끄러운 경면성의 표면을 갖는 NCD 박막 합성을 구현하기 위한 방법론을 연구하였다. Ultrasonically seeding 및 cleaning 시간에 따라 DPD의 차이를 보였으며, 메탄 주입 시점을 앞당김으로써 incubation time에서 seeding particles이 hydrogen-rich plasma에 의해 에칭되는 비율을 줄일 수 있었다. 음극온도에 따라서 DC plasma에 의해 분해된 원료 가스 중의 carbon 성분이 음극 표면으로 손실되는 정도에 차이가 있었으며, 결과적으로 기판에 도달하여 핵생성 ... 전체 초록 보기

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