지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.6
- 수록면
- 11 - 16 (6page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (5)
2013
3차원 패키징용 TSV의 열충격 시험에 의한 Cu 돌출과 미세조직
노명훈
,
이순재
,
정재필
외 1명
대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집
2013.11
학술대회자료
3차원 패키징을 위한 TSV의 합금 충전 및 돌출 억제
노명훈
,
이준형
,
정재필
외 1명
대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집
2013.11
학술대회자료
3차원 패키징을 위한 TSV의 다양한 Cu 충전 기술
노명훈
,
이준형
,
김원중
외 2명
대한용접·접합학회지
2013.06
학술저널
열충격 시험에 의한 TSV의 Cu 돌출 및 표면 거칠기 변화
노명훈
,
이준형
,
정재필
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2013.05
학술대회자료
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
Through-silicon-via (TSV) is a major technology in microelectronics for three dimensional high density packaging. The 3-dimensional TSV technology is applied to CMOS sensors, MEMS, HB-LED modules, stacked memories, power and analog, SIP and so on which can be employed to car electronics. The copper electroplating is widely used in the TSV filling process. In this paper, the various Cu filling methods using the control of the plating process were described in detail including recent studies. Via filling behavior by each method was also introduced.
목차
Abstract
1. 서론
2. TSV의 Cu 전해도금을 위한 기능성 박막
3. 도금 공정 변수 조절에 의한 전해도금
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (21)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - M. Motoyoshi / 2009 / Through-silicon via (TSV) / Proceedings of IEEE 97 (1) : 43 ~ 48
2. [학술대회논문] - X. Zhang / 2009 / Development of through silicon via (TSV) interposer techonology for large die (21x21mm) fine-pitch Cu/low-k FCBGA package / Proceedings - Electronic Components and Technology Conference : 305 ~ 312
3. [학술지(정기간행물)] - J.A.T. Norman / 2008 / New precursors for CVD copper metallization / Microelectron. Eng 85 (100) : 2159 ~ 2163
4. [학술대회논문] - M.J. Wolf / 2008 / High aspect ratio TSV copper filling with different seed layers / Proceedings - Electronic Components and Technology Conference : 563 ~ 570
5. [학술지(정기간행물)] - T.C. Tsai / 2012 / CMP process development for the via-middle 3D TSV applications at 28nm technology node / Microelectronic Engineering 92 : 29 ~ 33
2. [학술대회논문] - X. Zhang / 2009 / Development of through silicon via (TSV) interposer techonology for large die (21x21mm) fine-pitch Cu/low-k FCBGA package / Proceedings - Electronic Components and Technology Conference : 305 ~ 312
3. [학술지(정기간행물)] - J.A.T. Norman / 2008 / New precursors for CVD copper metallization / Microelectron. Eng 85 (100) : 2159 ~ 2163
4. [학술대회논문] - M.J. Wolf / 2008 / High aspect ratio TSV copper filling with different seed layers / Proceedings - Electronic Components and Technology Conference : 563 ~ 570
5. [학술지(정기간행물)] - T.C. Tsai / 2012 / CMP process development for the via-middle 3D TSV applications at 28nm technology node / Microelectronic Engineering 92 : 29 ~ 33
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
3차원 실장을 위한 TSV의 Cu 충전 및 Si 칩 적층 기술
노명훈
,
박상윤
,
김원중
외 1명
대한용접·접합학회지
2011
.06
TSV 형성을 위한 DRIE 기술
백규하
,
김동표
,
박건식
외 3명
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
2009
.12
TSV 충진 및 3D 패키징 솔더 범핑 기술
유세훈
,
고영기
,
신의선
외 1명
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
2009
.12
3D Packing용 TSV의 전해도금을 이용한 Si-wafer Cu 고속 충전
정도현
,
홍성철
,
이왕구
외 2명
대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집
2011
.04
Cu 전해도금을 이용한 TSV 충전 기술
기세호
,
신지오
,
정일호
외 2명
대한용접·접합학회지
2014
.06
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-580-003329113