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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 123 - 128 (6page)
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본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 채널크기 변화에 따른 문턱전압이하 전류의 변화를 분석하였다. 이를 위하여 단채널 효과를 감소시킬 수 있는 나노소자인 이중게이트 MOSFET에 대한 정확한 해석학적 분석이 요구되고 있다. 채널 내 전위분포를 구하기 위하여 포아송방정식을 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용하였다. 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 채널크기 등에 대하여 문턱전압이하 전류 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압이하 전류 특성을 분석하였다. 분석결과, 문턱전압이하 전류는 채널크기 및 가우시안 분포함수의 변수 등에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 전류 모델
Ⅲ. 차단전류에 대한 결과 고찰
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (7)
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1. [학술지(정기간행물)] - A.J.Garcia-Loureiro / 2011 / Implementation of the Density Gradient Quantum Corrections for 3-D Simulations of Multigate Nanoscaled Transistors / IEEE Trans. on CAD of IC and Systems 30 (6) : 841 ~ 851
2. [학술지(정기간행물)] - D.Munteanu / 2009 / 3-D Simulation Analysis of Bipolar Amplification in Planar Double-Gate and FinFET With Independent Gates / IEEE Trans. on Nuclear Science 56 (4) : 2083 ~ 2090
3. [학술지(정기간행물)] - S.G.Kwon / 2010 / A Bendable-Channel FinFET for Logic Application / IEEE Electron Device Lett 31 (6) : 624 ~ 626
4. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG)MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
5. [학술지(정기간행물)] - G. Zhang / 2008 / Threshold voltage model for short channel FD-SOI MOSFETs with vertical Gaussian profile / IEEE Trans. Electron Device 55 (3) : 803 ~ 809
2. [학술지(정기간행물)] - D.Munteanu / 2009 / 3-D Simulation Analysis of Bipolar Amplification in Planar Double-Gate and FinFET With Independent Gates / IEEE Trans. on Nuclear Science 56 (4) : 2083 ~ 2090
3. [학술지(정기간행물)] - S.G.Kwon / 2010 / A Bendable-Channel FinFET for Logic Application / IEEE Electron Device Lett 31 (6) : 624 ~ 626
4. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG)MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
5. [학술지(정기간행물)] - G. Zhang / 2008 / Threshold voltage model for short channel FD-SOI MOSFETs with vertical Gaussian profile / IEEE Trans. Electron Device 55 (3) : 803 ~ 809
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