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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1994.1
- 수록면
- 35 - 38 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (7)
1994
p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설(GIDL) 전류의 효과
정연식
,
임재우
,
이용재
대한전자공학회 학술대회
1994.07
학술대회자료
p-MOSFET에서 동작상태 스트레스에 따른 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류의 효과 ( The Effect of Gate-Induced Drain Leakage ( GIDL ) Current with On-state stress in p-MOSFETs )
정연식
,
임재우
,
이용재
대한전자공학회 학술대회
1994.07
학술대회자료
동작-스트레스에 의한 p-MOSFET에서 핫-캐리어 효과
정연식
,
권상수
,
임재우
외 1명
한국통신학회 학술대회논문집
1994.07
학술대회자료
산화막 변화에 의한 p-MOSFET에서 게이트에 유기된 드레인 누설 ( GIDL ) 전류 ( GIDL Current Effects in p-MOSFET's by gate oxide variation )
정연식
,
이용재
대한전자공학회 학술대회
1994.01
학술대회자료
드레인 전압변화 스트레스에 의한 P-MOSFET의 열화 특성 ( Degradation Characteristics of p-MOSFET's by Various Drain Voltage stress )
정연식
,
권상수
,
이용재
대한전자공학회 학술대회
1994.01
학술대회자료
동작-스트레스에 의한 P-Mosfet에서 핫-캐리어 효과 ( Hot-Carrier Effects in P-MOSFET's by on-Stress )
정연식
,
권상수
,
임재우
외 1명
한국통신학회 학술대회논문집
1994.01
학술대회자료
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