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저자정보
박혜진 (광운대학교) 최진우 (광운대학교) 조태훈 (광운대학교) 윤명수 (광운대학교) 권기청 (광운대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제49권 제1호
발행연도
2016.2
수록면
92 - 97 (6page)

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The plasma has been used in various industrial fields of semiconductors, displays, transparent electrode and so on. Plasma diagnostics is critical to the uniform process and the product. We use the electron temperature of the various plasma parameters for the diagnosis of plasma. Generally, the range of the electron temperature which is used in a semiconductor process used the range of 1 eV to 10 eV. The difference of electron temperature of 0.5 eV has a influence in plasma process. The electron temperature can be measured by the electrical method and the optical method. Measurement of electron temperature for various gas flow rates was performed in DC-magnetron sputter and Inductively Coupled Plasma. The physical properties of the thin film were also determined by changing electron temperatures. The transmittance was measured using the integrating sphere, and wavelength range was measured at 300 ~ 1100 nm. We obtain the thin film of the mobility, resistivity and carrier concentration using the hall measurement system. As to the electron temperature increase, optical and electrical properties decrease. We determine it was influenced by the oxygen flow ratio and plasma.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과
4. 결론
References

참고문헌 (25)

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