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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제11권 제1호
발행연도
2010.1
수록면
228 - 233 (6page)

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Methyl hydrogen polysiloxne으로 처리한 ZnO, fumed SiO₂와 다양한 망간 전구체를 이용하여 서브마이크로미 터 크기를 갖는 망간이 도핑된 Zn2SiO₄ 형광체 입자를 고상법으로 제조하였다. 결정화와 광발광 특성은 XRD, SEM, PL스펙트라를 이용하여 분석하였다. 고상법으로 제조한 망간 도핑된 Zn2SiO₄는 methyl hydrogen polysiloxne 처리한 ZnO의 분산과 응집 때문에 1000℃에서 성공적으로 얻어졌고, 진공자외선 여기하에서 제조된 입자의 최대 PL강도는 0.02mol Mn, 1000℃에서 확인되었다.

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