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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 219 - 225 (7page)
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To investigate the effects of slurry temperature on the chemical mechanical polishing(CMP) performance of oxide film with silica and ceria slurries, we have studied slurry properties as a function of different slurry temperature. Also, the effects of each input parameter of slurry on the oxide CMP characteristics were investigated. The pH showed a slight tendency of decrease, the conductivity in slurries showed an increased tendency, the mean particle size in slurry decreased, and the zeta potential of slurry decreased with temperature. The removal rates significantly increased and maintained at the specific levels over 40 oC. The better surface morphology of oxide films could be obtained at 40 oC of silica slurry and at 90 oC of ceria slurry. It is found that the CMP performance of oxide film could be significantly improved or controlled by change of slurry temperature.
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/ 1983. / Physical Chemistry : 783 ~
/ 1994. / Consumables for the chemical mechanical polishing 337 : 121 ~
/ 1995. / The effect of the polishing pad treatments on the chemical-mechanical polishing of SiO2 films Thin Solid Films : 601 ~
/ 1997. / A detailed look at oxide CMP pad-to-pad consistency : 335 ~
/ 1997. / CMP of FSG Issue in process integration Proceedings of the 2nd International CMP- MIC Conference : 209 ~
/ 1994. / Consumables for the chemical mechanical polishing 337 : 121 ~
/ 1995. / The effect of the polishing pad treatments on the chemical-mechanical polishing of SiO2 films Thin Solid Films : 601 ~
/ 1997. / A detailed look at oxide CMP pad-to-pad consistency : 335 ~
/ 1997. / CMP of FSG Issue in process integration Proceedings of the 2nd International CMP- MIC Conference : 209 ~
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