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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제4호
발행연도
2010.1
수록면
280 - 286 (7page)

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We have investigated the influence of rapid thermal annealing (RTA) temperature on properties of Al-doped zinc oxide (AZO) thin films deposited on glass substrate by using radio-frequency magnetron sputtering. The RTA is performed in a nitrogen ambient in the temperature range from 300 to 600℃ for 1 minute in a rapid thermal annealer after growing the AZO thin films. The crystallographic structure and the surface morphology of AZO thin film are measured by using X-ray diffraction, and atomic force microscopy and scanning electron microscopy, respectively. The optical transmittance of the deposited thin films is examined in the wavelength range of 300-1100 nm, where the average transmittance is above the 90% in the visible and near-infrared regions. The optical bandgap is calculated from the Tauc's model, and it shows a significant dependence on the RTA temperature. As for the electrical properties of the thin films, the AZO thin film annealed at 400℃ shows the lowest electrical resistivity of 8.6×10-3 Ω㎝ and the Hall mobility of 11.3 cm²/V-sec. These results suggest that the RTA temperature is an important parameter to influence on the structural, electrical, and optical properties of AZO thin films.

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