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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Il-Wook Cho (Kangwon National University) Mee-Yi Ryu (Kangwon National University) Jin Dong Song (Korea Institute of Science and Technology)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.27 No.3
발행연도
2018.5
수록면
56 - 60 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2018

Temperature-dependent Luminescence Properties of Digital-alloy In(Ga1-zAlz)As
Il-Wook Cho ,  Mee-Yi Ryu ,  Jin Dong Song Applied Science and Convergence Technology 2018.05 학술저널

2015

Optical properties of digital-alloy In(Ga1-zAlz)As grown by molecular beam epitaxy
Il-Wook Cho ,  Ji Won Jung ,  Mee-Yi Ryu 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2015.02 학술대회자료

초록· 키워드

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The optical properties of the digital-alloy (In<SUB>0.53</SUB>Ga<SUB>0.47</SUB>As)<SUB>1-z</SUB>/(In<SUB>0.52</SUB>Al<SUB>0.48</SUB>As)z grown by molecular beam epitaxy as a function of composition z (z = 0.4, 0.6, and 0.8) have been studied using temperature-dependent photoluminescence (PL) and time-resolved PL (TRPL) spectroscopy. As the composition z increases from 0.4 to 0.8, the PL peak energy of the digital-alloy In(Ga<SUB>1-z</SUB>Al<SUB>z</SUB>)As is blueshifted, which is explained by the enhanced quantization energy due to the reduced well width. The decrease in the PL intensity and the broaden FWHM with increasing z are interpreted as being due to the increased Al contents in the digital-alloy In(Ga<SUB>1-z</SUB>Al<SUB>z</SUB>)As because of the intermixing of Ga and Al in interface of InGaAs well and InAlAs barrier. The PL decay time at 10 K decreases with increasing z, which can be explained by the easier carrier escape from InGaAs wells due to the enhanced quantized energies because of the decreased InGaAs well width as z increases. The emission energy and luminescence properties of the digitalalloy (InGaAs)<SUB>1-z</SUB>/(InAlAs)<SUB>z</SUB> can be controlled by adjusting composition z.
#Digital-alloy #InGaAlAs #Photoluminescence #Time-resolved photoluminescence

목차

Abstract
I. Introduction
II. Experiments
III. Results and Discussion
IV. Conclusions
References

참고문헌 (22)

참고문헌 신청
P. Cinguino, F. Genova, C. Rigo, C. Cacciatore, and A. Stano, Appl. Phys. Lett. 50, 1515 (1987). St. Kollakowski, E. H. Bottcher, A. Strittmatter, and D. Bimberg, Electron. lett. 34, 587 (1998). S. D. McDougall, O. P. Kowalski, J. H. Marsh, and J. S. Aitchison, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 1557 (1999). D. Gready, G. Eisenstein, V. Ivanov, C. Gilfert, F. Schnabel, A. Rippien, J. P. Reithmaier, and C. Bornholdt, IEEE Photon. Technol. Lett. 26, 11 (2014). W. Rudno-Rudzi?ski, M. Syperek, A. Mary?ski, J. Andrzejewski, J. Misiewicz, S. Bauer, V. I. Sichkovskyi, J. P. Reithmaier, M. Schowalter, B. Gerken, A. Rosenauer, and G. S?k, Phys. Status Solidi A 215, 1700455 (2018).

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