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유예지 (서울대학교) 전종욱 (건국대학교) 강명곤 (한국교통대학교) 신형철 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제56권 제10호(통권 제503호)
발행연도
2019.10
수록면
19 - 24 (6page)
DOI
10.5573/ieie.2019.56.10.19

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이 논문에서는 3-nm node 나노 플레이트 소자에서의 OFF-State Stress(OSS)의 물리적인 메커니즘과 이로 인한 소자의 열화 특성이 연구되었다. 트랜지스터의 기술 노드가 감소하면서 발생하는 Short Channel Effect(SCE)의 해결을 위해 Gate-All-Around(GAA) 나노 플레이트 소자가 나노 단위에서의 가능성이 있는 기술로 제시되었으나, 노드가 급격히 감소함에 따라 오프 상태에서의 스트레스로 인한 hot hole 주입 및 트랩된 전하의 영향이 심화 되어 소자의 특성 변화 및 누설 전류의 증가가 불가피하게 되었다. 이에 따라 TCAD를 활용하여 나노 플레이트 소자에서의 OSS에 대한 열화 특성 분석을 진행하고 Ultra-scaled NPFET에서의 OSS로 인한 열화 분석의 중요성을 제시한다.
#Nanoplate FET(NPFET) #TCAD #Off-State Stress(OSS) #Interface Traps #Oxide degradation

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 시뮬레이션 결과 분석
Ⅳ. 결론
REFERENCES

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송유빈 ,  김경록 대한전자공학회 학술대회 2022 .06

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