저진공 축전결합형 SF, SF/O, SF/CH 플라즈마를 이용한 아크릴의 반응성 건식 식각

박연현; 주영우; 김재권; 노호섭; 이제원

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박연현 (인제대학교 나노공학부) 주영우 (인제대학교 나노공학부) 김재권 (인제대학교 나노공학부) 노호섭 (인제대학교 나노공학부) 이제원 (인제대학교 나노공학부)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제19권 제2호

발행연도: 2009.1

수록면: 68 - 72 (5page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (4)

2009

저진공 축전결합형 SF, SF/O, SF/CH 플라즈마를 이용한 아크릴의 반응성 건식 식각

박연현 , 주영우 , 김재권 외 2명 한국재료학회지 2009.01 학술저널

2008

$O_2$/$SF_6$/$CH_4$ 플라즈마를 이용한 Acrylic의 건식 식각

박연현 , 주영우 , 김재권 외 3명 한국재료학회 학술발표대회 2008.01 학술대회자료

2007

Dry etching of Polymethyl methacrylate (PMMA) in capacitively coupled $SF_6,\;SF_6/Ar\;and\;SF_6/CH_4$ plasmas

박연현 , 주영우 , 김재권 외 5명 한국재료학회 학술발표대회 2007.01 학술대회자료

$O_2/SF_6$ 플라즈마를 이용한 Poly Ethylene Terephthalate(PET)의 건식 식각에 관한 연구

박연현 , 주영우 , 김재권 외 4명 한국재료학회 학술발표대회 2007.01 학술대회자료

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This study investigated dry etching of acrylic in capacitively coupled $SF_6$, $SF_6/O_2$ and $SF_6/CH_4$ plasma under a low vacuum pressure. The process pressure was 100 mTorr and the total gas flow rate was fixed at 10 sccm. The process variables were the RIE chuck power and the plasma gas composition. The RIE chuck power varied in the range of $25{\sim}150\;W$. $SF_6/O_2$ plasma produced higher etch rates of acrylic than pure $SF_6$ and $O_2$ at a fixed total flow rate. 5 sccm $SF_6$/5 sccm $O_2$ provided $0.11{\mu}m$/min and $1.16{\mu}m$/min at 25W and 150W RIE of chuck power, respectively. The results were nearly 2.9 times higher compared to those at pure $SF_6$ plasma etching. Additionally, mixed plasma of $SF_6/CH_4$ reduced the etch rate of acrylic. 5 sccm $SF_6$/5 sccm $CH_4$ plasma resulted in $0.02{\mu}m$/min and $0.07{\mu}m$/min at 25W and 150W RIE of chuck power. The etch selectivity of acrylic to photoresist was higher in $SF_6/O_2$ plasma than in pure $SF_6$ or $SF_6/CH_4$ plasma. The maximum RMS roughness (7.6 nm) of an etched acrylic surface was found to be 50% $O_2$ in $SF_6/O_2$ plasma. Besides the process regime, the RMS roughness of acrylic was approximately $3{\sim}4\;nm$ at different percentages of $O_2$ with a chuck power of 100W RIE in $SF_6/O_2$ plasma etching.

#polymer etching #plasma etching #RIE #acrylic

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