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본 논문에서는 트렌치 게이트 MOSFET에 적용을 위한 고 신뢰성을 갖는 트렌치 형성기술과 고품격의 제조기술을 제안하였다. 이는 향후 전력용 MOSFET 에 널리 적용이 가능하다. 트렌치 구조는 DMOSFET에서 셀 피치크기를 줄여서 Ron 특성을 개선하거나 대다수 전력용 IC에서 전력용 소자를 다른 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 소자로부터 독립시킬 목적으로 채용된다. 마스크 레이어를 사용하여 자기정렬기술과 산화막 스페이서가 채용된 고밀도 트렌치 MOSFET를 제작하기 위한 새로운 공정방법을 구현하였다. 이 기술은 공정 스텝수를 감소시키고 트렌치 폭과 소오스, p-body 영역을 감소시킴으로써 결과적으로 셀 밀도와 전류 구동성능을 증가시키며 온 저항의 감소를 가져왔다.
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B. J. Baliga / 2012 / Power semiconductor Devices / PWS Publishing Company
K. Shenai / 1985 / A novel high-frequency power FET structure fabricated using LPCVD WSi2 gate and LPCVD W source contact technology :804~808
D. Ueda / 1987 / An ultra-low on resistance power MOSFET fabricated by using a fully self aligned process / IEEE Transactions on Electronic Devices ED-34(4):926~930
M. Sato / 1987 / Etched Shape Control of Single-Crystal Silicon in Reactive Ion Etching Using Chlorine / Journal of The Electrochemical Society 134:2856
S. Chae / 1999 / Plasma induced charging damage on thin gate oxide / IEEE Transactions on. Electronic Devices ST-P19:497~500
K. Shenai / 1985 / A novel high-frequency power FET structure fabricated using LPCVD WSi2 gate and LPCVD W source contact technology :804~808
D. Ueda / 1987 / An ultra-low on resistance power MOSFET fabricated by using a fully self aligned process / IEEE Transactions on Electronic Devices ED-34(4):926~930
M. Sato / 1987 / Etched Shape Control of Single-Crystal Silicon in Reactive Ion Etching Using Chlorine / Journal of The Electrochemical Society 134:2856
S. Chae / 1999 / Plasma induced charging damage on thin gate oxide / IEEE Transactions on. Electronic Devices ST-P19:497~500
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