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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.8
- 수록면
- 254 - 257 (4page)
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Negative bias temperature instability (NBTI) and hot carrier injection (HCI) stress are among the most critical reliability issues in scaled CMOS technologies. The reduction in absolute threshold voltage over time due to NBTI stress and HCI stress can lead to severe performance degradation, especially in high-frequency, timing-critical systems. The proposed on-chip TDC-based threshold voltage sensor is able to detect variations in threshold voltage, which can be used to compensate for aging induced performance degradation.
목차
Abstract
I. Introduction
II. Proposed Work
III. Simulation Results
IV. Conclusion
References
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